EPAD性能特点
精密匹配的一对MOSFET系列
ALD1108xx / ALD1109xx / ALD1148xx / ALD1149xx是单片
四核/双N沟道MOSFET在出厂时配套使用ALD的
成熟EPAD CMOS技术。这些装置的目的是为
低电压，小信号的应用。
ALD的电可编程模拟器件（ EPAD ）技
术提供了业界唯一的匹配晶体管与家庭
的范围内的精确度阈值。这个家庭的所有成员
被设计并积极编程的呈匹配
器件的电特性。阈值范围为 -
3.50V耗竭至+ 3.50V提升设备，包括标
在-3.50V ， -1.30V ， -0.40V ， + 0.00V ， 0.20V + ，规定准产品
+ 0.40V ， 0.80V + ， + 1.40V和+ 3.30V 。 ALD也可以提供任何
-3.50V和+ 3.50V之间顾客所希望的值。对于所有这些
设备，甚至枯竭，零阈值晶体管， ALD
EPAD技术使得同一很好地控制关断，分
阈值和低漏电流等特性作为标准enhance-
彪型MOSFET 。与设计和活性编程，
不同批次和生产日期不同，即使单位
具有良好的匹配特性。因为这些设备都是在
同一块芯片上，他们也表现出优异的温度系数跟踪。
这EPAD MOSFET阵列产品系列（ EPAD MOSFET ）是可用
能够在三个不同的类别，每个提供一个明显的
不同的电气规格和特点。第一
一类是ALD110800 / ALD110900零门槛
模式
EPAD的MOSFET。第二类是ALD1108xx /
ALD1109xx增强模式MOSFET的EPAD 。第三CAT-
egory是ALD1148xx / ALD1149xx耗尽型EPAD
的MOSFET。 （后缀“ XX ”表示0.1 V步阈值电压，
例如， XX = 08表示0.80V ） 。
该ALD110800 / ALD110900 （四/双）在EPAD的MOSFET
其中每个MOSFET的各个阈值电压固定在
零。阈值电压定义为余
DS
= 1uA的@ V
DS
= 0.1V
当栅极电压V
GS
= 0.00V 。零门槛的设备能操作
吃在增强区域时高于阈值电压运行
年龄和电流电平（V
GS
> 0.00V和我
DS
>为1uA ）和subthresh-
当在等于或低于阈值电压和电流操作的旧区域
租金水平（V
GS
< = 0.00V和我
DS
<为1uA ） 。该装置中，伴随着
该产品系列的其他非常低阈值电压的成员，
构成的一类EPAD的MOSFET ，使超低电源
电压操作和电路设计毫微功率类型，适用
在模拟或数字电路。
该ALD1108xx / ALD1109xx （四/双）产品系列的特点
精密匹配增强型EPAD MOSFET器件，
这需要一个正偏置电压接通。精密门槛
值，如+ 1.40V ， 0.80V + ， + 0.20V提供。无导电
源极和漏极在零施加的栅极之间存在信道
电压对于这些器件，所不同的是+ 0.20V版本具有
亚阈值电流约为20nA 。
该ALD1148xx / ALD1149xx （四/双）耗尽型
EPAD的MOSFET ，它们的栅极时，常通装置
偏置电压是零伏。耗尽型阈值电压
是一个负电压电平处的EPAD MOSFET关断。
无供电电压和/或在V
GS
= 0.0V的EPAD
MOSFET器件已经开启，并显示出定义
控制导通电阻的源极和漏极端子之间。
该ALD1148xx / ALD1149xx耗尽型EPAD MOSFET的
从大多数其他类型的耗尽型MOSFET的不同，并
某些类型在该JFET的它们不表现出高栅漏
电流和信道/结漏电流。当负
信号电压被施加到栅极端子，设计者/用户
可以取决于该EPAD MOSFET器件上被控制，调制
迟来，关掉准确。该装置可被调制，并
关断的栅极电压的控制下，以相同的方式
作为增强模式EPAD MOSFET和相同的设备
公式适用。
EPAD MOSFET的理想选择最低的失调电压和differen-
TiAl金属的热响应，并且它们被用于切换和amplify-
ing应用在低电压（ 1V至10V或+/- 0.5V至+/- 5V ）或
超低电压（小于1V或+/- 0.5V ）系统。它们的特点是
低输入偏置电流（小于30PA最大） ，超低功耗
（微瓦）或纳安级功耗（功率在纳瓦测量）操作
化，低输入电容和开关速度快。这些描述
虎钳可以用在这些特征的组合
是期望的。
关键应用环境
EPAD （ MOSFET阵列产品是在一个电路应用
或多个以下操作环境：
*低电压： 1V至10V或+/- 0.5V至+/- 5V
*超低电压小于1V或0.5V +/-
*低功耗：电压X电流=测量微瓦的功率
*纳安级：电压X电流=测量纳瓦电源
*精密匹配和两种或更多的MOSFET跟踪
电气特性
导通和关断的EPAD的电气特性
MOSFET产品都显示在漏源导电流与
漏源电压和漏源电流与栅
源电压曲线图。每个图形显示的漏源导
电流与漏源导电压特性的功能
栅极 - 源极电压的下一个不同的操作区域和灰
不同的偏置条件。作为阈值电压是紧紧试样
田间，在漏源导电流在给定的门输入电压
更好的控制和更可预测的相比，许多
其他类型的MOSFET。
EPAD MOSFET的行为类似于标准MOSFET ， there-
前经典方程为一个n沟道MOSFET适用于EPAD
MOSFET的为好。在线性区域中的漏电流（Ⅴ
DS
＆ LT ;
V
GS
- V
GS （ TH）
）由下式给出：
I
D
= U 。
OX
。的W / L 。 [V
GS
- V
GS （ TH）
- V
DS
/2] . V
DS
其中：
U =移动
C
OX
=电容/栅电极的单位面积
V
GS
=栅极至源极电压
V
GS （ TH）
=导通阈值电压
V
DS
=漏极至源极电压
W =通道宽度
L =通道长度
在操作中，我的这个区域
DS
值正比于V
DS
价值
并且该装置可被用作栅极电压控制的电阻。
对于V的高值
DS
其中，V
DS
> = V
GS
- V
GS （ TH）
的饱和
化电流I
DS
现在由下式给出（大约） ：
I
DS
= U 。
OX
。的W / L 。 [V
GS
- V
GS （ TH）
]2
3 11
ALD114813/ALD114913
先进的线性器件
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