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Am29LV2562M
数据表
RETIRED
产品
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计,
S29GL512N取代Am29LV2562M ,是厂家推荐的迁移路径。请
参考S29GL512N数据表的规格和订购信息。可用性这
文档保留仅供参考,历史的目的。
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26494
调整
B
修订
+2
发行日期
2005年12月16日
这页有意留为空白。
Am29LV2562M
512兆位( 16一M× 32位/ 32 ×16位)
的MirrorBit 3.0伏只统一部门
快闪记忆体与VersatileI / O 控制
此产品已经退休,不适用于设计。新的和现有的设计, S29GL512N取代Am29LV2562M并且是
厂家推荐的迁移路径。请参考S29GL512N数据表规格和订购信息。可用性这
文档保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3伏读取,擦除和编程操作
VersatileI / O
TM
控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
在CE #和DQ输入/输出数据的输入电压
如通过在V的电压来确定
IO
销;操作
从1.65到3.6 V
在0.23微米制造的MirrorBit
技术
TM
- 4 - 双/ 8字读取页面缓冲器
- 16双/ 32字写缓冲
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 25 mA典型有效的读电流
- 100毫安典型的擦除/编程电流
- 2 μA典型待机模式电流
封装选项
- 80 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字或字节编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消组: V
ID
-level方法
在锁定机构群体不断变化的代码
- WP # / ACC输入加速编程时间
(高施加电压时)更大的吞吐量
在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )检测程序或
擦除周期结束
过程
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128双/ 256字界永久性的,
通过安全鉴定
8双字/ 16字的随机电子序列
号,通过一个命令序列访问
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 五百12 32 Kdoubleword ( 64千字)
扇区
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个扇区擦除10万次
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 120 ns访问时间
- 30 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 15 μs的典型的写缓冲双编程
时间: 16双/ 32字写缓冲减少
总编程时间多字的更新
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
26494
启:
B
Amendment/+2
发行日期:
2005年12月16日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
D A T A中文ê (E T)
概述
该Am29LV2562M由两个256兆, 3.0伏
单电源闪存设备和是或 -
ganized为16777216的双字或33554432
话。该装置具有一个32位宽的数据总线,可以
还通过使用作为一个16位宽的数据总线
WORD #的输入。该设备可以被编程
在主机系统或标准EPROM编程
聚体。
120 ns的访问时间是可用的。注意,每个
访问时间具有特定的工作电压范围内
(V
CC
),为在指定的
产品选择指南
订购信息
部分。该装置是OF-
fered在80 ball加固BGA封装。每一台装置
副设有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入,高电压
加速计划
( WP # / ACC )
输入提供了更短的编程时间
通过增加电流。该功能的目的是
系统在生产过程中有利于工厂的吞吐量,
但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时,主机系统只需要轮询
DQ7和DQ15 (数据#查询)或DQ6和DQ14
(切换)
状态位
或监控
就绪/忙#
( RY / BY # )
输出,以确定是否操作
就完成了。为了方便用户进行编程,一个
解锁附例
模式减少了命令序列开销
只需要两个写周期,而不是编程数据
四。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
和容忍的CE#控制输入和DQ I / O来
被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
是指为有效V的订购信息部分
IO
选项。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
组保护功能将禁止这两个方案,并
在扇区基团的任何组合擦除操作
的存储器。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门,然后
完成擦除操作。该
程序可持
挂起/恢复计划
功能可使主机系
统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门,然后完成程序
操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进度和复位器件,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
SecSi (安全硅)行业
提供
128双/ 256字区域代码或数据的
可以永久地保护。一旦这个部门是亲
tected ,行业内没有进一步的变化可能发生。
写保护( WP # / ACC )
功能保护
通过产生一个逻辑低电平的WP #第一个或最后一个扇区
引脚。
AMD的MirrorBit
TM
闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验,生产
的质量,可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
相关文档
有关的MirrorBit的精良的综合信息
UCTS ,包括移民信息,数据表, AP-
折叠术的注意事项,以及软件驱动程序,请参阅
www.amd.com
FL灰内存
产品信息
的MirrorBit
闪存信息
技术文件
心理状态。
下面是文件的部分列表
与之密切相关的产品:
的MirrorBit 闪存的写入缓冲区编程
和页面缓冲器读
实现对AMD的MirrorBit共同布局
和英特尔StrataFlash闪存设备
从单字节迁移到三字节设备ID
2
Am29LV2562M
2005年12月16日
D A T A中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊包装处理说明.................................... 6
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
x16模式................................................ .................................. 7
X32模式................................................ .................................. 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作............................................ ........... 9
图6.程序挂起/恢复程序.............................. 39
芯片擦除命令序列........................................... 39
扇区擦除命令序列........................................ 39
图7.擦除操作............................................. ................. 40
擦除暂停/删除恢复命令........................... 40
命令定义................................................ ............. 41
表10.命令定义( X32模式, WORD # = V
IH
) ......... 41
表11.命令定义( x16模式, WORD # = V
IL
).......... 42
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
DQ7和DQ5 :数据#投票........................................... ....... 43
图7.数据#轮询算法........................................... ....... 43
字/字节配置.............................................. ............ 9
VersatileIO
TM
(V
IO
)控制................................................ 9 .......
对于读阵列数据要求................................... 10
页面模式读取............................................... ............................. 10
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 44
DQ6和DQ14 :翻转位我........................................... ...... 44
图8.切换位算法............................................ ............ 44
写命令/命令序列............................ 10
写缓冲器................................................ ..................................... 10
加快程序运行............................................... ....... 10
自选功能................................................ ....................... 10
DQ2和DQ10 :翻转位II ........................................... ..... 45
阅读切换位DQ6和DQ14 / DQ2和DQ10 ............ 45
DQ5和DQ13 :超出时序限制............................... 45
DQ3和DQ11 :扇区擦除定时器...................................... 45
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ........... 46
表12.写操作状态............................................ ....... 46
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表............................................ ............ 12
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
图9.最大负过冲波形..................... 47
图10.最大正向超调波形..................... 47
自选模式................................................ ..................... 24
表3.自动选择码, (高压法) ....................... 24
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
图11.测试设置............................................. ........................ 49
表13.测试规范............................................. ............ 49
行业组保护和unprotection的............................. 25
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 25
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
图12.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 49
写保护( WP # ) ............................................ .................... 27
临时机构集团撤消....................................... 27
图1.临时机构集团撤消操作................ 27
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 28
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
只读操作.............................................. ............. 50
图13.读操作时序............................................ ... 50
图14.页读时序............................................ .......... 51
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 29
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 29
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 30
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 52
图15.复位时序............................................. .................. 52
硬件数据保护............................................... ....... 30
低VCC写禁止.............................................. ....................... 30
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 30
逻辑禁止................................................ .................................. 30
上电写禁止............................................. ....................... 30
擦除和编程操作.............................................. 53
图16.编程操作时序.......................................... 54
图17.加速程序时序图.......................... 54
图18.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 55
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 56
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 57
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 57
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。三十
表6. CFI查询标识字符串.......................................... 31
表7.系统接口字符串............................................ ......... 31
表8.设备几何定义............................................ ..32
表9.主要供应商特定的扩展查询........................ 33
临时机构撤消............................................... ... 58
图22.临时机构集团撤消时序图... 58
图23.类别组保护和撤消时序图.. 59
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
读阵列数据............................................... ................. 34
复位命令................................................ ..................... 34
自选命令序列............................................ 34
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 35
双/ Word程序命令序列................. 35
解锁绕道命令序列.............................................. 35
写缓冲区编程............................................... ................ 35
加快程序................................................ ...................... 36
图4.写缓冲器编程操作............................... 37
图5.程序操作............................................. ............. 38
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 60
图24.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 61
程序挂起/恢复程序命令序列... 38
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 62
引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 。 62
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
LSC080-80 - ball加固球栅阵列
18 ×12毫米包装............................................. ................. 63
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
2005年12月16日
Am29LV2562M
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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