A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110814/ALD110914
V
GS （ TH）
= +1.4V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110814 / ALD110914是单片四核/双N沟道MOSFET
匹配在使用ALD的成熟EPAD CMOS技术的工厂。
这些器件适用于低电压，小信号的应用程序。
该ALD110814 / ALD110914的MOSFET的设计和建造，也可扩展
ceptional设备的电气特性匹配。由于这些设备
在同一块芯片上时，它们也显示出优异的温度系数track-
荷兰国际集团的特点。每个设备是多功能的电路元件，并且是
有用的设计组件，用于范围广泛的模拟应用。他们
是用于电流源的基本构建块，差分放大器的输入
阶段，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。对于大多数应用程序
阳离子， V-连接和N / C引脚中最负电势
系统和V +引脚，以最积极的电势（或悬空
未使用） 。所有其他引脚必须在这些电压限制电压。
该ALD110814 / ALD110914设备是专为最低的失调电压
和差热响应，并且它们被设计用于转换
和放大在+ 1.5V应用到+ 10V系统中的低投入
偏置电流，低输入电容和开关速度快是期望的。
由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）
电流增益在低频或DC附近，操作环境。
该ALD110814 / ALD110914适用于精密应用
这需要很高的电流增益，β，如电流镜和
电流源。高输入阻抗和高直流电流增益
该场的影响导致晶体管通过极低的电流损耗
控制栅极。直流电流增益由栅极输入漏不限
目前，它被指定在30PA在室温下。例如，直流
该装置的的3毫安和输入漏电流的漏电流测试
30PA在25℃下为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
增强模式（常关）
标准门阈值电压： + 1.4V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
MOSFET，以增加漏电流并联
低输入电容
V
GS （ TH）
比赛进行到10mV的
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110814PC
16-Pin
SOIC
包
ALD110814SC
8-Pin
塑料DIP
包
ALD110914PA
8Pin
SOIC
包
ALD110914SA
应用
精密电流镜
精密电流源
电压菜刀
差分放大器的输入级
离散电压比较器
电压偏置电路
采样和保持电路
模拟转换器
电平转换器
源极跟随器和缓冲器
电流倍增器
离散模拟多路复用器/矩阵
离散模拟开关
引脚配置
ALD110814
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
13
12
11
10
9
PC ， SC套餐
ALD110914
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
启1.0-0506 2 005先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110814 / ALD110914
参数
栅极阈值电压
失调电压
VGS(th)1-VGS(th)2
偏移VoltageTempco
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS （ TH）
民
1.38
典型值
1.40
最大
1.42
单位
V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
IDS = 1μA
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA ， VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 10.6V
VGS = 5.4V +
VDS = + 5V
VGS = 5.4V +
VDS = + 10.4V
VOS
TC
VOS
TCΔVGS （日）
3
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
10
mV
μV/°C
mV
°C
在漏极电流
IDS （ ON）
mA
正向跨导
政府飞行服务队
1.4
mmho
跨不匹配
G
FS
GOS
RDS （ ON）
1.8
%
VGS = 5.4V +
VDS = + 10.4V
VDS = 0.1V
VGS = 4.0V +
VDS = 0.1V
VGS = 5.4V +
IDS = 1.0μA
VGS = -0.4V
VGS = 0.4V +
VDS = 10V ， TA = 125°C
VDS = 0V VGS = 10V
TA = 125℃
输出电导
漏源导通电阻
68
500
μmho
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
0.5
%
BVDSX
IDS （ OFF ）
10
V
漏源极漏电流
1
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
注意事项：
1
由结漏电流的
ALD110814/ALD110914
先进的线性器件
2
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110814/ALD110914
V
GS （ TH）
= +1.4V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110814 / ALD110914是单片四核/双N沟道MOSFET
匹配在使用ALD的成熟EPAD CMOS技术的工厂。
这些器件适用于低电压，小信号的应用程序。
该ALD110814 / ALD110914的MOSFET的设计和建造，也可扩展
ceptional设备的电气特性匹配。由于这些设备
在同一块芯片上时，它们也显示出优异的温度系数track-
荷兰国际集团的特点。每个设备是多功能的电路元件，并且是
有用的设计组件，用于范围广泛的模拟应用。他们
是用于电流源的基本构建块，差分放大器的输入
阶段，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。对于大多数应用程序
阳离子， V-连接和N / C引脚中最负电势
系统和V +引脚，以最积极的电势（或悬空
未使用） 。所有其他引脚必须在这些电压限制电压。
该ALD110814 / ALD110914设备是专为最低的失调电压
和差热响应，并且它们被设计用于转换
和放大在+ 1.5V应用到+ 10V系统中的低投入
偏置电流，低输入电容和开关速度快是期望的。
由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）
电流增益在低频或DC附近，操作环境。
该ALD110814 / ALD110914适用于精密应用
这需要很高的电流增益，β，如电流镜和
电流源。高输入阻抗和高直流电流增益
该场的影响导致晶体管通过极低的电流损耗
控制栅极。直流电流增益由栅极输入漏不限
目前，它被指定在30PA在室温下。例如，直流
该装置的的3毫安和输入漏电流的漏电流测试
30PA在25℃下为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
增强模式（常关）
标准门阈值电压： + 1.4V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
MOSFET，以增加漏电流并联
低输入电容
V
GS （ TH）
比赛进行到10mV的
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110814PC
16-Pin
SOIC
包
ALD110814SC
8-Pin
塑料DIP
包
ALD110914PA
8Pin
SOIC
包
ALD110914SA
应用
精密电流镜
精密电流源
电压菜刀
差分放大器的输入级
离散电压比较器
电压偏置电路
采样和保持电路
模拟转换器
电平转换器
源极跟随器和缓冲器
电流倍增器
离散模拟多路复用器/矩阵
离散模拟开关
引脚配置
ALD110814
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
13
12
11
10
9
PC ， SC套餐
ALD110914
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
启1.0-0506 2 005先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110814 / ALD110914
参数
栅极阈值电压
失调电压
VGS(th)1-VGS(th)2
偏移VoltageTempco
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS （ TH）
民
1.38
典型值
1.40
最大
1.42
单位
V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
IDS = 1μA
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA ， VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 10.6V
VGS = 5.4V +
VDS = + 5V
VGS = 5.4V +
VDS = + 10.4V
VOS
TC
VOS
TCΔVGS （日）
3
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
10
mV
μV/°C
mV
°C
在漏极电流
IDS （ ON）
mA
正向跨导
政府飞行服务队
1.4
mmho
跨不匹配
G
FS
GOS
RDS （ ON）
1.8
%
VGS = 5.4V +
VDS = + 10.4V
VDS = 0.1V
VGS = 4.0V +
VDS = 0.1V
VGS = 5.4V +
IDS = 1.0μA
VGS = -0.4V
VGS = 0.4V +
VDS = 10V ， TA = 125°C
VDS = 0V VGS = 10V
TA = 125℃
输出电导
漏源导通电阻
68
500
μmho
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
0.5
%
BVDSX
IDS （ OFF ）
10
V
漏源极漏电流
1
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
注意事项：
1
由结漏电流的
ALD110814/ALD110914
先进的线性器件
2
QQ：2880707522 复制
