特点
低电压操作
- 2.7V阅读
- 5V编程/擦除
快速读取访问时间 - 120纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字（ 16K字节）引导块与编程锁定
- 两个8K字（ 16K字节）参数块
- 一个488K字（ 976K字节）主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
字的字编程 - 30
μS/字
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 25毫安工作电流
– 50
A
CMOS待机电流
典型万次擦写循环
8-Megabit
（ 512K ×16 ）
CMOS闪存
内存
AT49BV8192
AT49BV8192T
AT49LV8192
AT49LV8192T
描述
该AT49BV8192和AT49LV8192是3伏， 8兆闪存存储器组织
为每个16位512K字。 Atmel的非易失先进制造
CMOS技术，这些器件可提供存取时间为120 ns的与功耗
仅仅67毫瓦2.7V读取。当取消选择，在CMOS待机电流小于50
A.
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
RESET
V
PP
I / O0 - I / O15
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
编程/擦除电源
供应
数据
输入/输出
无连接
TSOP顶视图
类型1
A15
A13
A11
A9
A14
A12
A10
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
2
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
25
47
45
43
41
39
37
35
33
31
29
27
NC
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
VCC
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
GND
A0
CE
A16
GND
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
OE
SOIC （ SOP ）
VPP
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
I/O0
I/O8
I/O1
I/O9
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
NC
GND
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
A8
NC
NC
WE
RESET
VPP NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
0978B-A–11/97
1
该器件包含一个用户启用“引导块”保护
功能。两个版本的功能可供选择：
AT49BV / LV8192座落于最低阶的引导块
地址（ “底部启动”）;在AT49BV / LV8192T找到它
在最高位地址（ “顶级启动” ）
为了让简单的系统内可重编程中，
AT49BV / LV8192不需要高的输入电压为
编程。读数据从器件中是类似
从EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE
输入以避免总线冲突。重新编程的
AT49BV / LV8192是首先擦除的块进行
数据，然后编程一个字逐个字为基础。
该设备是通过执行擦除命令擦除
序列;设备内部控制擦除操作
化。所述存储器被划分成三个块进行擦除
操作。有两个8K字参数块节
tions和一个扇区组成的引导块和所述的
主存储器阵列块。该AT49BV / LV8192是亲
编程就一个字，用字的基础。
该设备具有保护数据在引导的能力
块;这个功能是通过一个命令序列启用。
一旦引导块编程锁定功能
使能时，在所述引导块中的数据不能被改变
时的3.6伏或更小的输入电平被使用。典型的
方案的数目和擦除周期中超过10000
周期。
可选的8K字引导块部分包括重现
编程锁定功能，以提供数据的完整性。该
引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被保护
被重新编程。
在一个芯片擦除，扇区擦除或编程字，
在V
PP
引脚必须在5V
±
10%.
框图
AT49BV/LV8192
AT49BV/LV8192T
V
CC
V
PP
GND
OE
WE
CE
RESET
地址
输入
数据输入/输出
I / O0 - I / O15
数据输入/输出
I / O0 - I / O15
控制
逻辑
输入/输出
缓冲器
程序数据
锁存器
Y型GATING
主内存
（ 488K字）
参数
BLOCK 2
8K字
参数
1座
8K字
BOOT BLOCK
8K字
输入/输出
缓冲器
程序数据
锁存器
Y型GATING
Y译码
X解码器
7FFFF
06000
05FFF
04000
03FFF
02000
01FFF
00000
BOOT BLOCK
8K字
参数
1座
8K字
参数
BLOCK 2
8K字
主内存
（ 488K字）
7FFFF
7E000
7DFFF
7C000
7BFFF
7A000
79FFF
00000
设备操作
阅读：
该AT49BV / LV8192访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-
化。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
命令序列被写入通过应用低
2
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
AT49BV/LV8192(T)
AT49BV/LV8192(T)
信号RESET引脚上的引导块阵列可重现
编程即使引导块程序锁定功能
已启用（见引导块编程锁定
覆盖部分） 。
删除：
前一个字可以被重新编程，就必须
被擦除。存储器位的擦除状态是逻辑“1”。
整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除
命令或单个扇区可以通过使用擦除
扇区擦除命令。
芯片擦除：
整个装置可在同一擦除
时通过使用6字节擦除芯片的软件代码。后
芯片擦除已经启动，该装置将内部的时间
擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。
到erease芯片的最大时间为t
EC
.
如果引导块锁定已启用，芯片擦除
不会删除在引导块中的数据;它会删除
主存储器块和仅在参数块。后
在芯片擦除时，设备将返回到读或待机
模式。
扇区擦除：
作为替代一整片擦除，
该设备分为三个部门，可以indi-
vidually删除。有两个8K字参数块
段和一个扇区组成的引导块的和
主存储器阵列块。扇区擦除命令
是六总线周期操作。扇区地址被锁存
在第六个周期，而30H数据的下降沿WE边缘
输入命令锁存在WE的上升沿。该
之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始
周期。擦除操作是内部控制;它会
自动完成时间。当引导块亲
未使能编程锁定功能，引导块
和主存储器块将擦除在一起（从
同一扇区擦除命令） 。一旦启动区域有
被保护，只有主存储器阵列部门将
擦除发出的扇区擦除命令时。
WORD编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的字逐个
字的基础。编程是通过内部完成
设备命令寄存器和一个4总线周期操作。
该设备将自动生成所需的内部
编程脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果硬件复位hap-
在编程过程中的笔，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，一个数据“0”的
不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
可以将“0”到“1” 。编程完成后，
指定的T
BP
周期时间。可以将数据查询功能
也被用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
设备
具有包含编程锁定一指定块
功能。此功能可以防止数据的编程，在
一旦该功能指定块已经被启用。该
块的大小是8K字。此块中，被称为
引导块，可以包含用于调出的安全码
该系统。启用锁定功能将允许启动
代码留在设备，而数据的其余部分
更新设备。该功能没有被爱科特
氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是
可选给用户。的地址范围
49BV / LV8192引导块是00000H到01FFFH而
在49BV / LV8192T的地址范围是7E000H到
7FFFFH.
一旦启用该功能，在引导块中的数据可以
不再被擦除或编程时的输入电平
5.5V或更低的使用。在主存储器中的块的数据可以
还是通过普通的编程方法来改变。
要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令到特定地址与特定的数据必须是
进行。请参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否启动的程序设计
块部分被锁定。当该设备处于软
洁具产品标识模式（见软件产品
识别进入和退出的部分） ，从地址读
位置00002H将显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I / O0的数据为高，程序锁相
从功能已启用，并且该块不能亲
编程。软件产品标识的退出代码
应使用以返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁OVER-
乘车：
用户可以重写引导区规划
锁定通过采取RESET引脚到12伏在
整片擦除，扇区擦除或字编程能操作
通报BULLETIN 。当RESET引脚被带回TTL电平
引导块编程锁定功能是反复活跃。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV / LV8192特征的数据
轮询，以指示一个程序循环的结束。在亲
克周期企图读取的最后一个字节加载意志
结果，在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦
程序循环已完成，真正的数据是有效
在所有输出和下一个周期可以开始。在一个芯片
或扇区擦除操作，试图读取该设备会
在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期有
完成时，真正的数据会从设备中读取。数据
轮询可能在程序周期内随时开始。
3
触发位：
除了数据轮询
AT49BV / LV8192提供了另一种方法，用于确定
一个程序或擦除周期的结束。在程序或
擦除操作时，连续尝试读取从数据
设备将导致I / O6 1和0之间切换。
一旦程序周期已经完成， I / O6将停止瓶酒
岭大战，有效的数据将被读取。检查触发位
在一个程序循环可以在任何时间开始。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外方案的
AT49BV / LV8192以下方式：（1 ）V
CC
意义：如果
V
CC
低于1.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
已到达
V
CC
层次感，设备会自动超时10
毫秒（典型值），在编程之前。 （三）禁止编程：相应固定
荷兰国际集团OE低， CE高任一个或WE抑制高亲
克周期。 （四）噪声滤波器：少于15毫微秒脉冲（典型
CAL ）在WE或CE输入无法启动程序
周期。
输入电平：
同时用2.7V至3.6V的工作
电源，地址输入和控制输入（ OE ，
CE和WE）可被驱动为0 5.5V ，而不
该装置的操作无不利影响。在I / O
线只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
4
AT49BV/LV8192(T)
AT49BV/LV8192(T)
命令定义（十六进制）
(1)
命令
顺序
读
芯片擦除
扇区擦除
Word程序
引导块锁定
(2)
产品ID进入
产品ID退出
(3)
公共汽车
周期
1
6
6
4
6
3
3
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
55
55
55
55
55
55
5555
5555
5555
5555
5555
5555
80
80
A0
80
90
F0
5555
5555
ADDR
5555
AA
AA
D
IN
AA
2AAA
55
5555
40
2AAA
2AAA
55
55
5555
SA
(4)(5)
10
30
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
产品ID退出
(3)
1
xxxx
F0
注意事项： 1，在每个总线周期的数据格式如下： I / O15 - I / O8 （不关心） ; I / O7 - I / O0 （十六进制）
2. 8K字引导扇区的地址为00000H范围为01FFFH的AT49BV / LV8192和7E000H到7FFFFH的
AT49BV/LV8192T.
3.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。
4， SA =扇区地址：
对于AT49BV / LV8192
SA = 03XXX的参数块1
SA = 05XXX的参数块2
SA = 7FXXX对主存储器阵列
对于AT49BV / LV8192T
SA = 7DXXX的参数块1
SA = 7BXXX的参数块2
SA = 79XXX的主存储器阵列
5.如果不启用引导块编程锁定功能，引导块和主内存块将删除
在一起（形成同一扇区擦除命令） 。一旦引导区域被保护，只有主存储器阵列
部门将擦除发出的扇区擦除命令时。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在复位电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
5
QQ：2881677436 复制
