A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1105
双N沟道和双P沟道匹配的一对MOSFET
概述
该ALD1105是单片双N沟道和双P沟道
互补匹配晶体管对用于范围广泛的
模拟应用。这些增强型晶体管是
用先进的线性器件“增强ACMOS硅制造
栅CMOS工艺。它由一个ALD1116 N沟道MOSFET对的
和一个ALD1117 P沟道MOSFET对在一个封装中。该ALD1105
是一种低漏电流， ALD1103的低漏电流的版本。
该ALD1105提供高输入阻抗和负电流的温度
系数。晶体管对匹配于最小偏移电压和
差热响应，并且它被设计为精确的信号
开关和放大应用+ 1V至+ 12V电源系统，其中低
输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎
无穷大）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
当在互补对所使用的，双CMOS模拟开关可以
建造。此外， ALD1105的目的是作为构造块
差分放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器
应用程序。
该ALD1105适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。该
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，DC装置的测试
在为3mA ，在25 ℃的漏电流为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
N沟道和P沟道对之间的热追踪
0.7V的两个N沟道&低阈值电压
P沟道MOSFET
低输入电容
低沃斯 - 10mV的
高输入阻抗 - 10
13
典型
低输入和输出泄漏电流
负电流（I
DS
）温度系数
增强模式（常关）
直流电流增益10
9
匹配的N沟道对和匹配的P沟道对在一个封装
应用
精密电流镜
互补推挽线性驱动器
离散模拟开关
模拟信号菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟量电流逆变器
精密匹配的电流源
引脚配置
DN1
GN1
SN1
V
-
DP1
GP1
SP1
1
2
3
4
5
6
7
DB ， PB ， SB包装
14
13
12
11
10
9
8
DN2
GN2
SN2
V
+
DP2
GP2
SP2
框图
n条栅极1（2）
漏1 （ 1 ）
氮源1 （ 3 ）
基板（4）
漏极2（14）
氮源2 （ 12 ）
n条栅2 （ 13 ）
订购信息
工作温度范围*
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
CERDIP
包
ALD1105 DB
14-Pin
塑料DIP
包
ALD1105 PB
14-Pin
SOIC
包
ALD1105 SB
P GATE 1（6）
P漏极1（5）
P源1（ 7 ）
基板（11）的
P漏极2（10）
P SOURCE 2 （ 8 ）
*联系工厂的工业温度范围。
P GATE 2 （ 9 ）
2005先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 http://www.aldinc.com
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1105
双N沟道和双P沟道匹配的一对MOSFET
概述
该ALD1105是单片双N沟道和双P沟道
互补匹配晶体管对用于范围广泛的
模拟应用。这些增强型晶体管是
用先进的线性器件“增强ACMOS硅制造
栅CMOS工艺。它由一个ALD1116 N沟道MOSFET对的
和一个ALD1117 P沟道MOSFET对在一个封装中。该ALD1105
是一种低漏电流， ALD1103的低漏电流的版本。
该ALD1105提供高输入阻抗和负电流的温度
系数。晶体管对匹配于最小偏移电压和
差热响应，并且它被设计为精确的信号
开关和放大应用+ 1V至+ 12V电源系统，其中低
输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎
无穷大）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
当在互补对所使用的，双CMOS模拟开关可以
建造。此外， ALD1105的目的是作为构造块
差分放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器
应用程序。
该ALD1105适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。该
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，DC装置的测试
在为3mA ，在25 ℃的漏电流为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
N沟道和P沟道对之间的热追踪
0.7V的两个N沟道&低阈值电压
P沟道MOSFET
低输入电容
低沃斯 - 10mV的
高输入阻抗 - 10
13
典型
低输入和输出泄漏电流
负电流（I
DS
）温度系数
增强模式（常关）
直流电流增益10
9
匹配的N沟道对和匹配的P沟道对在一个封装
应用
精密电流镜
互补推挽线性驱动器
离散模拟开关
模拟信号菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟量电流逆变器
精密匹配的电流源
引脚配置
DN1
GN1
SN1
V
-
DP1
GP1
SP1
1
2
3
4
5
6
7
DB ， PB ， SB包装
14
13
12
11
10
9
8
DN2
GN2
SN2
V
+
DP2
GP2
SP2
框图
n条栅极1（2）
漏1 （ 1 ）
氮源1 （ 3 ）
基板（4）
漏极2（14）
氮源2 （ 12 ）
n条栅2 （ 13 ）
订购信息
工作温度范围*
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
CERDIP
包
ALD1105 DB
14-Pin
塑料DIP
包
ALD1105 PB
14-Pin
SOIC
包
ALD1105 SB
P GATE 1（6）
P漏极1（5）
P源1（ 7 ）
基板（11）的
P漏极2（10）
P SOURCE 2 （ 8 ）
*联系工厂的工业温度范围。
P GATE 2 （ 9 ）
2005先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 http://www.aldinc.com
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1105
双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR
概述
该ALD1105是单片双N沟道和双P沟道
互补匹配晶体管对用于范围广泛的
模拟应用。这些增强型晶体管是
用先进的线性器件“增强ACMOS硅制造
栅CMOS工艺。它由一个ALD1116 N沟道MOSFET对的
和一个ALD1117 P沟道MOSFET对在一个封装中。该ALD1105
是一种低漏电流， ALD1103的低漏电流的版本。
该ALD1105提供高输入阻抗和负电流的温度
系数。晶体管对匹配于最小偏移电压和
差热响应，并且它被设计为精确的信号
开关和放大应用+ 2V至+ 12V系统中低
输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎
无穷大）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
当在互补对所使用的，双CMOS模拟开关可以
建造。此外， ALD1105的目的是作为构造块
差分放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器
应用程序。
该ALD1105适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，DC装置的测试
在为3mA ，在25 ℃的漏电流为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
N沟道和P沟道对之间的热追踪
0.7V的两个N沟道&低阈值电压
P沟道MOSFET
低输入电容
低沃斯 - 10mV的
高输入阻抗 - 10
13
典型
低输入和输出泄漏电流
负电流（I
DS
）温度系数
增强模式（常关）
直流电流增益10
9
在一个封装匹配N沟道和匹配的P-沟道
符合RoHS
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
小尺寸
封装（ SOIC ）
ALD1105SBL
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
塑料DIP
包
ALD1105PBL
-55 ° C至+ 125°C
14-Pin
CERDIP
包
ALD1105DB
P GATE 2 （ 9 ）
P漏极1（5）
P源1（ 7 ）
基板（11）的
P漏极2（10）
P SOURCE 2 （ 8 ）
应用
精密电流镜
互补推挽线性驱动器
模拟开关
菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟逆变器
精密匹配的电流源
引脚配置
DN1
GN1
SN1
V
-
DP1
GP1
SP1
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
SBL ， PBL ， DB套餐
14
13
12
11
10
9
8
DN2
GN2
SN2
V
+
DP2
GP2
SP2
框图
n条栅极1（2）
漏1 （ 1 ）
氮源1 （ 3 ）
基板（4）
漏极2（14）
氮源2 （ 12 ）
n条栅2 （ 13 ）
P GATE 1（6）
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
2.0版 2012高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压，V
GS
功耗
工作温度范围
10.6V
10.6V
500mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
SBL ， PBL包
DB包装
存储温度范围
焊接温度10秒
小心： ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
N - 通道
参数
符号最小值
TYP MAX
栅极阈值V
T
0.4
0.7
1.0
电压
失调电压
V
GS1
- V
GS2
V
OS
2
10
单位
V
TEST
条件
I
DS
= 1μA V
GS
= V
DS
I
DS
= 10μA V
GS
= V
DS
P - 通道
民
TYP MAX
-0.4
-0.7
-1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= -1μA V
GS
= V
DS
I
DS
= -10μA V
GS
= V
DS
mV
2
10
mV
栅极阈值
温度
TC
VT
漂移
在漏
当前
传输。
导
不匹配
产量
导
漏源
抗性
I
DS （ ON）
G
fs
G
fs
G
OS
R
DS （ ON）
3
-1.2
毫伏/°C的
-1.3
毫伏/°C的
4.8
mA
V
GS
= V
DS
= 5V
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
-1.3
-2
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
1
1.8
mmho
0.25
0.67
mmho
0.5
200
%
μmho
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
0.5
40
%
μmho
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
350
500
1200
1800
漏源
抗性
R
DS （ ON）
不匹配
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
栅极泄漏
当前
输入
电容
0.5
%
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
BV
DSS
I
DS （关闭）
I
GSS
C
国际空间站
12
V
I
DS
= 1μA V
GS
=0V
V
DS
= 12V我
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=12V
T
A
= 125°C
-12
V
I
DS
= -1μA V
GS
=0V
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=-12V
T
A
= 125°C
10
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
10
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
0.1
1
1
1
ALD1105
先进的线性器件
2 9
QQ：2880707522 复制
