AH342
活跃的高/低互补输出霍尔效应锁存
特点
-
数字双互补汇/源输出
-
充分供给反向电压极性保护
范围内。
-
高输出电流能力
-
低调4引脚SIP封装
概述
该AH342是一种双极锁存霍尔IC与对
互补的推/拉输出。双厅
元件被用于抵消应力感生噪声和
漂移。强劲的输出能够采购起来
以7.4毫安和吸收高达4.4毫安。该装置
包含固有的反向极性保护达
全电源电压范围。
应用
-
-
-
-
-
输送机
电机控制
功率检测
线性或旋转运动检测
RPM感应
引脚分配
前视图
1 : Vcc的
2 : DO
3 :生日
1 2
3
4
4 :VSS
引脚说明
名字
VCC
DO
DOB
VSS
P / I / O
P
O
O
P
针#
1
2
3
4
描述
积极
供应
输出引脚
输出引脚
地
动力
342
订购信息
AH342 X - X X
晶圆体
空白
包
P: SIP - 4L
领导
L:无铅
*包装:散装
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此产品。在任何授权不得销售该产品。
Rev.1.1二○○五年九月三十〇日
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AH342
活跃的高/低互补输出霍尔效应锁存
框图
OUTPUT AMP
7.5V
660
来源
I
O
510
SINK
电压
调节器
产量
AMP
#1
接口
电路
产量
AMP
#2
IO
2
IO
1
HALL
传感器
AMP
和
TRIGGER
绝对最大额定值
(注1 )
特征
电源电压
外部电压加到输出
输出电流
磁通量密度
工作温度
储存温度
符号。
V
CC
V
OUT
Ic
B
T
OPR
T
英镑
o
条件
-40 ℃ 125℃
o
o
-40 ℃ 125℃
没有限制;电路
不能被损坏
磁超速
无电源应用
o
值
±28
-1.2 5
±10
无限
-40至125
-40至150
单位
V
V
mA
°C
°C
注1 :
绝对最大额定值是在极端的限制,该装置将承受而不会损坏器件。然而,该
电和磁特性不能保证作为最大极限(超过推荐的工作条件下)
有接近也不会器件在绝对最大额定值运行。
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AH342
活跃的高/低互补输出霍尔效应锁存
电气特性
(注2,3)
特性符号。
电源电压
V
CC
电源电流
I
CC
输出电压
# 1采购
# 2沉没
V
OUT
# 1沉没
# 2采购
泄漏(漏)I
泄漏(漏)
输出电流
# 1采购
# 2沉没
I
OUT
# 1沉没
# 2采购
输出开关时间
下降时间
上升时间
tf
tr
90 %至10% ;无负载28V ±0.5%
供应
10 %至90% ;无负载28V ±0.5%
供应
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
s
1.0
适用于2V输出和测量
电流。
开关
磁
操作时,无负载时28V的±0.5% 。
适用于2V输出和测量
电流。
开关
磁
释放时,无负载28V ± 0.5 % 。
5.5
2.8
2.8
5.5
7.4
3.4
3.4
7.4
8.0
4.7
4.7
8.0
5.0
2.4
2.4
5.0
7.4
3.4
3.4
7.4
8.5
5.0
mA
5.0
8.5
条件
28V ±0.5 %供电
磁性开关操作:
无负载28V ± 0.5 %的供应。
磁性开关发布:
无负载28V ± 0.5 %的供应。
施加电压0.2V大于
测得的输出电压源
措施
目前,
no
负载
28V ±0.5 %的供应。
24
o
C ± 2
o
C
民
TYP 。 MAX
4.5
4
6.0
0
0
6.0
-
-
4.5
7.0
0.1
0.1
7.0
-
28
6
7.5
0.2
0.2
7.5
1.0
-40
o
C至125
o
C
单位
民
TYP 。 MAX
4.5
3
-
-
-
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
28
7
-
-
-
-
1.0
V
mA
V
A
磁特性
( TA = + 25 ° C)
(注2,3)
特征
操作点
放点
迟滞
符号。
BOP
BRP
BHY
24 C ± 2 C
VS = 12V直流±0.5%伏
分钟。
马克斯。
40
120
-120
-40
120
200
o
o
o
( 1mT的= 10高斯)
-40 ℃ 125℃
VS = 4.5VDC至28V直流
单位
分钟。
马克斯。
30
150
高斯
-150
-30
高斯
120
200
高斯
o
o
o
o
注2 :
所有的参数都在只有25℃测试。工作温度( -40 ℃ 125℃ ),是由设计保证,它是
典型值。
注3 :
磁场强度(高斯)需要使开关改变状态(操作和释放)在将被指定
磁特性。为了测试所规定的磁特性的开关必须被放置在一个开关
均匀的磁场。
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活跃的高/低互补输出霍尔效应锁存
DO
(输出电压)
(输出电压)
DOB
V
cc
(关闭状态)
(关闭状态)
V
cc
关
B
hy
打开
打开
B
hy
关
(导通状态)
(导通状态)
V
SAT
V
SAT
S
N
B
rp
0
B
op
S
(磁通密度B)中
N
B
rp
0
B
op
(磁通密度B)中
性能特点( SIP4 )
的Ta (℃)
加入Pd( mW)的
的Ta (℃)
加入Pd( mW)的
P(D) (M W)
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
T A ( C)
25
550
105
198
50
440
110
176
60
396
115
154
70
352
120
132
80
308
125
110
85
286
130
88
90
264
135
66
95
242
140
44
100
220
150
0
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N ú RVE
注: SIP - 4L封装。
工作特性
DO
(输出电压)
S
侧面标
V
cc
高
V
d
B
hy
低
N
( SIP4 )
N
V
SAT
B
rp
0
B
op
S
(磁通密度)的
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