AGR19045EF
45 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR19045EF是45 W， 28 V的N沟道later-
同盟扩散金属氧化物半导体（ LDMOS）
射频功率场效应晶体管（FET）适合
个人通信服务（PCS） （1930 MHz-
1990年兆赫） ，全球移动通信系统
（ GSM / EDGE ） ，时分多址（TDMA） ，
与单载波或多载波AB类功率
放大器应用。
GSM功能
典型的表现在整个GSM频段：
- P1dB为： 50瓦的典型。
- 功率增益@的P1dB = 14.0分贝连续波
（ CW ） 。
- 效率@的P1dB = 54 ％的典型CW 。
- 回波损耗： -10分贝。
设备性能特点
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
图1. AGR19045EF （法兰连接）套餐
典型的双载波n -CDMA性能： V
DD
=
28 V，I
DQ
= 550 mA时， F1 = 1958.75兆赫， F2 =
1961.25兆赫， IS- 95 CDMA （试点，同步，寻呼，
交通守则8-13 ） 。峰值/均值（ P / A） = 9.72分贝
在CCDF上0.01 ％的概率。 1.2288 MHz的传输
使命带宽（ BW ） 。相邻信道功率
比（ACPR ）测定在30 kHz的带宽在f1的 -
885千赫和f2 + 885千赫。三阶intermodu-
LATION失真（ IM3 ）测量过
1.2288 MHz带宽的F1 - 2.5兆赫和f2 + 2.5兆赫：
- 输出功率（P
OUT
): 9.5 W.
- 功率增益：15分贝。
- 效率： 24.8 ％ 。
- IM3 ： -34.5 dBc的。
- ACPR ： -49.5 dBc的。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在28伏直流比（VSWR ） ， 1930兆赫， 45瓦CW输出
把权力。
可用大信号阻抗参数。
ESD额定值*
AGR19045EF
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
优势特点
典型的边缘表现，
1990年兆赫， 26 V，I
DQ
= 400 MA：
- 输出功率（P
OUT
） ： 18瓦的典型。
- 功率增益为14.5分贝。
- 效率：典型35 ％ 。
- 频谱再生：
@ ± 400千赫= -62 dBc的。
@ ± 600千赫= -74 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 2.0％。
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR19045EF
45 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
电气特性
表1.热特性
参数
热阻，结到外壳
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C
减免上述25
°C
工作结温
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
P
D
—
T
J
T
英镑
价值
65
–0.5, 15
115
0.67
200
–65, 150
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
符号
R
θJC
价值
1.5
单位
° C / W
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。这些都是绝对压力额定值只。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件中超出的业务部门给出的暗示
数据表。如果长期工作在绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表3.直流特性
参数
开关特性
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
=
200A
漏源击穿电压（V
GS
= 0 V，I
D
=
38 A)
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
65
—
—
—
—
—
—
—
—
1.3
75
4
—
—
—
—
μAdc
μAdc
S
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.4 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 130 A)
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.4 A)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 400 mA）的
—
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
GS （ Q）
3.0
3.7
0.3
—
4.8
VDC
VDC
VDC
AGR19045EF
45 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
电气Characateristics
（续）
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.射频特性
参数
动态特性
符号最小值
—
典型值
1.0
最大单位
—
pF
C
RSS
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
（这部分内部匹配的输入和输出）。
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
G
PS
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 9瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 550毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
漏EF网络效率
η
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 9瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 550毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
三阶互调失真
IM3
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 9瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 550毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的; IM3
在1.228 MHz的带宽整合中心在测
为f1 - 2.5兆赫和f2 + 2.5兆赫，参考载波信道功率）
ACPR
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 9瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 550毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的;
ACPR测量在30kHz的积分带宽中心在f1的 - 885千赫
和f2 + 885 kHz时，参考载波信道功率）
IRL
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 9瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 550毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
1 dB增益压缩输出功率
P1dB
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 45瓦CW中，f = 1990 MHz的，我
DQ
= 400 mA）的
耐用性
Ψ
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 400 mA时， F = 1930兆赫， VSWR = 10 ： 1
[所有相位角] ）
14.5
—
—
15.0
24.8
–34.5
—
—
—
dB
%
dBc的
—
–49.5
—
dBc的
—
45
–10
50
—
—
dB
W
在产量不降低
力。
AGR19045EF
45 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
测试电路插图
AGR19045EF
FB1
V
GG
R1
C23
Z8
C22
C12
Z9
C13
C14
C15
C20
C16
C17 C18
Z11
V
DD
Z14
Z13
C5
Z6 2
1
3
DUT
Z7
C19
C1
C2
Z1
C3
Z2
C4
C6
Z3
Z4
Z10
Z12
RF
产量
Z5
C21
RF输入
C7
引脚： 1.漏， 2门， 3 SOURCE
一。原理图
2
3
1
配件清单：
微带线： Z1 ，在0.320 X 0.067英寸; 。 Z2 ， 0.185英寸X 0.067英寸; Z3 ， 0.345英寸X 0.067英寸; Z4 ， 0.250英寸X 0.160英寸; Z5 ， 0.180英寸X 0.260英寸;
Z6 ， 0.400英寸X 0.735英寸; Z7 ， 0.355英寸X 0.840英寸; Z8 ， 0.120英寸X 0.280英寸; Z9 ， 0.525英寸X 0.130英寸; Z10 ， 0.145英寸X 0.067英寸;
Z11 ， 0.245英寸X 0.067英寸; Z12 ， 0.290英寸X 0.067英寸; Z13 ， 0.370英寸X 0.030英寸; Z14 ， 0.280英寸X 0.050英寸
ATC
B案贴片电容： C5 ， C12 ， C22 ： 8.2 pF的; C6 ， C20 ： 10 pF的; C13 ： 1000 pF的。
ATC
S情况贴片电容： C21 ： 0.2 pF的
基美
B案贴片电容： C2 ， C16 ： 0.1 μF CDR33BX104AKWS 。钽电容： C17 ， 1 μF ， 50 V， T491C 。
Vitramon
1206 ： C4 ， C14 ： 22000 μF 。
约翰森千兆微调
可变电容C7 ： 0.4 PF- 2.5 pF的。
村田
0805 ： C3 ， C15 ： 0.01 μF ， GRM40X7R103K100AL 。
斯普拉格
钽表面贴装片式电容： C1 ， C18 ， C19 ， C23 ： 22 μF ， 35 V.
商Fair-Rite
铁氧体磁珠： FB1 ： 2743019447 。
固定的薄膜片式电阻： R1 ： 12
,
0.25 W， 0.08 X 0.13 。
印刷电路板蚀刻电路板。
Taconic的
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳厚，
ε
r = 3.5.
B.组件布局
图2. AGR19045EF测试电路
AGR19045EF
45 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
0.0
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
S
拖车
A
RD
0.0
0.49
0.48
±
180
170
U
CT
0.6
Z
0
= 10
IN
D
90
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
AD
＆ LT ;
A
RD
L
O
S
拖车
GTH
-170
L
EN
E
0.2
0.49
0.1
-90
0.4
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
0.6
7
0.4
AV
W
160
＆ LT ;
-
-85
N
TA
EP
SC
1.
0
V
TI
UC
4
0.0
0
-15
0
.46
0.3
IN
D
-75
R
O
),
Zo
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
0.9
1.0
1.2
-5
5
0
-5
45
-
兆赫（ F）
1930 (f1)
1960 (f2)
1990 (f3)
Z
L
Z
S
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
2.79 – j8.63
4.94 – j6.00
2.64 – j8.20
4.82 – j5.91
2.38 – j7.78
4.47 – j5.79
注：
L
基于增益，输出功率，漏极效率和互调失真之间的折衷选择了。
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
3
0.
2
18
0.
0
-5
-25
0
-65
.5
0.
f1
0.2
-70
06
0.
44
3
0.3
0.1
7
-30
-60
1.8
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
-70
5
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
AC
TA
0.0
0.4
9
1
NC
E
C
OM
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
0.
0.4
4
X/
0
f3
-20
Z
S
5
5
0.0
-15
4.0
3.
0
0.8
f3
f1
0.6
U
E
S
-80
5.0
0.2
1.
0
Z
L
-10
0.
8
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
20
10
0.
0.2
0.3
-4
0
8
0.4
10
0.1
-1
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
20
L
E
OF
昂
0.2
0.
19
0.
31
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
07
30
0.
43
QQ：2880707522 复制
