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500 MHz至1700 MHz的平衡混频器,
LO缓冲器, IF放大器和RF巴伦
ADL5357
特点
500 MHz至1700 MHz的RF频率范围
中频的30兆赫至450兆赫的频率范围内
功率转换增益: 8.6分贝
的9.1分贝SSB噪声系数
SSB噪声系数为5 dBm的阻断19.5分贝
26.6 dBm的输入IP3
10.2 dBm的P1dB为输入
为0 dBm典型的LO驱动
单端50 Ω RF和LO输入端口
高隔离度SPDT LO输入开关
单电源供电: 3.3 V至5 V
裸露焊盘5毫米× 5mm的20引脚LFCSP封装
1500 V HBM / 500 V FICDM ESD性能
功能框图
IFGM
20
IFOP
19
IFon
18
PWDN
17
LEXT
16
ADL5357
VPIF
1
15
LOI2
RFIN
2
14
VPSW
RFCT
3
BIAS
发电机
COMM
4
13
VGS1
12
VGS0
应用
蜂窝基站接收机
发射观测接收机
无线电链路下变频器
COMM
5
6
7
8
9
10
11
LOI1
NC =无连接
图1 。
概述
在ADL5357采用了高线性度双平衡无源
以及集成的RF和LO平衡电路混频器内核
允许单端操作。在ADL5357集成
射频巴伦,允许获得最佳性能超过500兆赫至
使用高端LO注入1700 MHz的RF输入频率范围
对于RF频率为500MHz到1200MHz的侧和低侧
注射频率从900 MHz到1700 MHz的。该
平衡的无源混频器提供良好的LO至RF
泄漏,通常比-46 dBm的更好,以及优良的间
调制性能。平衡混频器内核还提供了
极高的输入线性度,从而使该装置中所用
苛刻的蜂窝应用中,带内阻塞信号
否则可能导致动态性能的劣化。
高线性度IF缓冲放大器与无源混频器内核
以得到8.6 dB的典型功率转换增益,可用于
具有宽范围的输出阻抗。
在ADL5357提供两个切换的LO路径可以是
在TDD应用中使用,其中需要快速切换
两个本振之间。 LO电流可以通过外部设置
使用电阻器,以减少直流电流与相称
的性能所需的电平。对于低电压应用,中
ADL5357能够工作在电压降到3.3伏。
大幅降低电流。低电压下操作,一个
额外的逻辑引脚提供断电( <200 μA )的
需要时电路。
在ADL5357采用BiCMOS高性能的制作
IC工艺。该器件采用5 mm ×5毫米, 20引脚
LFCSP封装,工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
评估电路板也已经推出。
表1.无源混频器
RF频率
(兆赫)
500 1700
1200至2500年
单身
混频器
单调音台+
IF放大器
ADL5357
ADL5355
双通道混频器+
IF放大器
第0版
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获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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www.analog.com
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08081-001
VLO3
LGM3
VLO2
LOSW
NC
ADL5357
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
5 V性能............................................... ............................ 4
3.3 V性能............................................... ......................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
5 V性能............................................... ............................ 7
3.3 V性能............................................... ....................... 14
支线表................................................ .................................. 15
电路说明................................................ ......................... 16
RF子系统................................................ .............................. 16
LO子系统................................................ ............................. 17
应用信息................................................ .............. 18
基本连接................................................ ...................... 18
IF端口................................................ .......................................... 18
偏置电阻的选择............................................... ................ 18
调音台VGS控制DAC .............................................. ............ 18
评估板................................................ ............................ 20
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 23
修订历史
7月9日 - 修订版0 :初始版
第0版|第24 2
ADL5357
特定网络阳离子
V
POS
= 5 V,I
S
= 190毫安,T
A
= 25 ° C,F
RF
= 900兆赫,女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm的,Z
O
= 50 Ω ,除非另有说明。
表2中。
参数
RF输入接口
回波损耗
输入阻抗
RF频率范围
输出接口
输出阻抗
IF频率范围
直流偏置电压
1
LO接口
LO功率
回波损耗
输入阻抗
LO频率范围
POWER- DOWN ( PWDN )接口
2
PWDN门槛
逻辑0电平
逻辑1电平
PWDN响应时间
PWDN输入偏置电流
条件
可调参数>20分贝在有限的带宽
500
差分阻抗, F = 200 MHz的
外部产生
30
3.3
6
240||0.4
5.0
0
12
50
450
5.5
+10
典型值
19
50
1700
最大
单位
dB
Ω
兆赫
Ω|| pF的
兆赫
V
DBM
dB
Ω
兆赫
V
V
V
ns
ns
μA
μA
730
1.0
1670
0.4
1.4
设备启用, IF输出到90%的最终水平
设备停用,电源电流< 5毫安
设备启用
设备停用
160
220
0.0
70
1
2
通过扼流电感器应用从外部电路的电源电压。
该PWDN功能用于与V使用
POS
≤ 3.6 V只。
第0版|第24 3
ADL5357
5 V性能
V
POS
= 5 V,I
S
= 190毫安,T
A
= 25 ° C,F
RF
= 900兆赫,女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm时, VGS0 = VGS1 = 0 V ,和Z
O
= 50 Ω ,除非
另有说明。
表3中。
参数
动态性能
功率转换增益
电压转换增益
SSB噪声系数
SSB噪声系数在阻止
输入三阶截取( IIP3 )
输入二阶截取点( IIP2 )
输入1 dB压缩点( IP1dB )
LO至IF泄漏
LO至RF泄漏
RF至IF隔离
IF / 2杂散
IF / 3杂散
电源
正电源电压
静态电流
总静态电流
条件
包括4 : 1 IF端口变压器和PCB损失
Z
来源
= 50 Ω ,差分
负载
= 200 Ω差分
从需要的RF输入5 dBm的拦截器目前的±10兆赫,
LO源过滤
f
RF1
= 899.5兆赫,女
RF2
= 900.5兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
f
RF1
= 950兆赫,女
RF2
= 900兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
未过滤的中频输出
7
典型值
8.6
14.9
9.1
19.5
26.6
62.8
10.2
7
46.7
35
69.2
83.4
4.5
LO电源,电阻可编程
中频电源,电阻可编程
V
POS
= 5 V
5
100
90
190
5.5
最大
9.5
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
V
mA
mA
mA
22
-10 dBm的输入功率
-10 dBm的输入功率
3.3 V性能
V
POS
= 3.3 V,I
S
= 125毫安,T
A
= 25 ° C,F
RF
= 900兆赫,女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm时, R9 = 226 Ω , R14 = 604 Ω , VGS0 = VGS1 = 0 V ,
和Z
O
= 50 Ω ,除非另有说明。
表4 。
参数
动态性能
功率转换增益
电压转换增益
SSB噪声系数
输入三阶截取( IIP3 )
输入二阶截取点( IIP2 )
输入1 dB压缩点( IP1dB )
电源接口
电源电压
静态电流
掉电电流
条件
包括4 : 1 IF端口变压器和PCB损失
Z
来源
= 50 Ω ,差分
负载
= 200 Ω差分
f
RF1
= 899.5兆赫,女
RF2
= 900.5兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
f
RF1
= 950兆赫,女
RF2
= 900兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
典型值
8.8
15.1
9.0
21.4
55.7
7.1
3.0
电阻可编程
设备停用
3.3
125
150
3.6
最大
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
V
mA
μA
第0版|第24 4
ADL5357
绝对最大额定值
表5 。
参数
电源电压,V
POS
RF输入电平
LO输入电平
IFOP , IFON偏置电压
VGS0 , VGS1 , LOSW , PWDN
内部功耗
θ
JA
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
铅温度范围(焊接, 60秒)
等级
5.5 V
20 dBm的
13 dBm的
6.0 V
5.5 V
1.2 W
25°C/W
150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
第0版|第24 5
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