AF8510C
N和P沟道增强型功率MOSFET
特点
- 更低的导通电阻
- 简单的驱动要求
- 快速切换的性能
- 无铅电镀产品
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
costeffectiveness 。
在SO -8封装的普遍首选的所有
商业，工业表面贴装应用和
适用于低电压应用索引离子，如直流/直流
转换器。
产品概述
CH
N
P
BV
DSS
(V)
30
-30
R
DS （ ON）
(m)
28
55
I
D
(A)
6.9
-5.3
引脚分配
引脚说明
引脚名称
S1
G1
D1
S2
G2
D2
描述
源（ NMOS ）
门（NMOS）
漏（NMOS）
源（ PMOS ）
栅极（PMOS）
漏极（PMOS）
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
SO-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
8510C X X
包
S： SOP - 8
填料
空白：管或散装
答：带卷&
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此产品。在任何授权不得销售该产品。
1.0版二〇〇五年十一月十四日
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AF8510C
N和P沟道增强型功率MOSFET
P- CH电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
T
J
参数
测试条件
分钟。
-30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.023
-
-
-
4.9
-
-
-
9
2
6
10
8
25
13
580
180
120
马克斯。
-
-
55
90
-3
-
-1
uA
-25
±100
15
-
-
-
-
-
-
930
-
-
nA
nC
单位
V
V/
o
C
m
V
S
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
击穿电压参考温度为25
o
C,
I
D
=1mA
系数
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
正向跨导
V
DS
= -10V ，我
D
=-5A
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
(T
J
=70
o
C)
栅源漏
V
GS
=±20V
总栅极电荷
（注3）
I
D
=-5.3A,
V
DS
=-24V,
栅极 - 源电荷
V
GS
=-4.5V
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
V
DS
=-15V,
I
D
=1A,
上升时间
R
G
=3.3, V
GS
=-10V
打开-O FF延迟时间
R
D
=15
下降时间
输入电容
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
输出电容
f=1.0MHz
反向传输电容
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
（注3）
反向恢复时间
)
反向恢复电荷
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= -5.3A ，V
GS
=0V,
dl/dt=100A/s
o
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
17
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
注1 ：
表面装在1 FR4板的铜垫;安装在最小的时候135℃ / W 。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
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1.0版
2005年11月14日
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