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AF70N03
N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 低栅极电荷
- 简单的驱动要求
- 快速切换
-RoHS标准
-Pb免费电镀产品
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有
商业，工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器。
I
D
(A)
60
产品概述
BV
DSS
(V)
30
R
DS （ ON）
(m)
9
引脚分配
（前视图）
引脚说明
引脚名称
3
2
1
D
G
S
描述
来源
门
漏
S
G
D
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
70N03 X X
包
D： TO- 252
填料
空白：管或散装
答：带卷&
框图
D
S
G
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
1.0版2005年8月10日
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AF70N03
N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
=10V
漏电流脉冲
（注1 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=100C
T
A
=25C
等级
30
±20
60
43
195
53
0.36
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻结案件
热阻Junction-环境
马克斯。
马克斯。
最大
2.8
110
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏源漏
电流（T
J
=25C)
漏源漏
电流（T
J
=175C)
门源漏
总栅极电荷
（注2 ）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注2 ）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25℃ ，
I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=33A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
V
DS
= V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=33A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=33A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=33A
R
G
=3.3, V
GS
=10V
R
D
=0.45
V
GS
=0V
V
DS
=25V,
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
范围
典型值。
-
0.032
-
-
-
35
-
-
-
16.5
5
10.3
8.2
105
21.4
8.5
1485
245
170
马克斯。
-
-
9
18
3
-
1
uA
250
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nA
nC
单位
V
V / OC
m
V
S
nS
pF
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体
二极管）
脉冲源电流（体二极管）
（注1 ）
测试条件
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.3V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
60
195
1.3
单位
A
A
V
正向电压上
（注2 ）
T
J
= 25 ° C，I
S
=60A,
V
GS
=0V
-
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1.0版
2005年8月10日
AF70N03
N沟道增强型功率MOSFET
注1 ：
脉冲宽度有限的安全工作区。
注2 ：
脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
典型性能特性
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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2005年8月10日
AF70N03
N沟道增强型功率MOSFET
典型性能特性
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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AF70N03
N沟道增强型功率MOSFET
标识信息
TO-252
（顶视图）
标志
产品型号
70N03
YYWWX
YY ：年
WW ： N个星期
X
：内部代码（可选）
包装信息
封装类型： TO- 252
D
D1
E2
E3
B1
e
A2
e
R: 0.127~0.381
F1
A3
(0.1mm)
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.尺寸不包括模具突起。
符号
A2
A3
B1
D
D1
F
F1
E1
E2
E3
e
C
单位：毫米
分钟。
喃。
马克斯。
1.80
2.30
2.80
0.40
0.50
0.60
0.40
0.70
1.00
6.00
6.50
7.00
4.80
5.35
5.90
2.20
2.63
3.05
0.50
0.85
1.20
5.10
5.70
6.30
0.50
1.10
1.70
3.50
4.00
4.50
-
2.30
-
0.35
0.50
0.65
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C
F
E1
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A50QS450-4
AM29F016D-120DGI1
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AD7859L
ADP1707ARDZ-1.05R7
AM29SL160CB-100WCEN
AP1090
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AT28PC64E-25PC
AM1S-0509S-N
AM29DL322GB120WMI
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型号
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单价/备注
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