AF4901P
双P通道30 -V （D -S ）共漏极MOSFET
特点
- 低
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命
-Miniature SO- 8表面贴装封装保存
电路板空间
- 高功率和电流处理能力
-Extended V
GS
范围（± 25），用于电池组
应用
概述
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。
典型的应用是PWM DC-DC
转换器，电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机，充电器，通信电源
系统和电话电源系统。
产品概述
V
DS
(V)
-30
r
DS （ ON）
(m)
21@V
GS
=-10V
35@V
GS
=-4.5V
I
D
(A)
-9.5
-7.0
引脚分配
S
G
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D
D
D
D
针
名字
S
G
D
描述
来源
门
漏
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
4901P X X X
包
S： SOP - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
1.0版2004年7月16日
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AF4901P
双P通道30 -V （D -S ）共漏极MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
T
A
=25C
T
A
=70C
漏电流脉冲
（注2 ）
连续源电流（二极管传导）
（注1 ）
T
A
=25C
功耗
（注1 ）
T
A
=70C
工作结存储温度范围
等级
-30
±25
-9.5
-7.5
±30
-2.1
3.1
2.6
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
热电阻额定值
符号
R
θJC
R
θJA
参数
最大结到外壳
（注1 ）
最大结点到环境
（注1 ）
t
＆ LT ;
5秒
t
＆ LT ;
5秒
最大
40
78
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
注1 ：
表面装在1 “×1” FR4板。
注2 ：
脉冲宽度有限的最高结温
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
STATIC
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
（注3）
漏源导通电阻
（注3）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V,
T
J
=55C
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
V
GS
= -10V ，我
D
=-9.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-7.0A
V
GS
= -10V ，我
D
=-7A,
T
J
=125C
V
DS
= -5V ，我
D
=-13A
I
S
= 2.1A ，V
GS
=0V
V
DS
=-15V, V
GS
=-5V,
I
D
=-7A
分钟。
-30
-1
-
-
-
-30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
范围
典型值。
-
-1.6
-
-
-
-
19
28
26
19
-0.7
15
4.7
4.8
14
11
48
25
马克斯。
-
-3
±100
-1
-5
-
21
35
34
-
-1.2
22
-
-
23
20
76
39
S
V
单位
V
V
nA
uA
A
m
g
fs
转发Tranconductance
（注3）
V
SD
二极管的正向电压
动态
（注4 ）
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
开关
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
nC
V
DD
=-15, R
L
=6,
ID = -1A ， VGEN = -10V
nS
注3 ：
脉冲测试： PW
＆ LT ;
300US占空比
＆ LT ;
2%.
注4 ：
通过设计保证，不受生产测试。
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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AF4901P
双P通道30 -V （D -S ）共漏极MOSFET
标识信息
SOP-8L
（顶视图）
8
标志
产品型号
4901P
AA
宽x
1
批号：
"X" ：非无铅; "X" ：无铅
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
星期代码：
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
年份代码：
"4" = 2004
工厂代码
~
包装信息
封装类型： SOP- 8L
E
H
L
查看"A"
D
7 (4X)
0.015x45
7 (4X)
A2
A
A1
e
B
y
C
查看"A"
符号
A
A1
A2
B
C
D
E
e
H
L
y
θ
单位：毫米
分钟。
喃。
马克斯。
1.40
1.60
1.75
0.10
-
0.25
1.30
1.45
1.50
0.33
0.41
0.51
0.19
0.20
0.25
4.80
5.05
5.30
3.70
3.90
4.10
-
1.27
-
5.79
5.99
6.20
0.38
0.71
1.27
-
-
0.10
O
0
-
8
O
尺寸以英寸
分钟。
喃。
马克斯。
0.055
0.063
0.069
0.040
-
0.100
0.051
0.057
0.059
0.013
0.016
0.020
0.0075
0.008
0.010
0.189
0.199
0.209
0.146
0.154
0.161
-
0.050
-
0.228
0.236
0.244
0.015
0.028
0.050
-
-
0.004
O
0
-
8
O
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双P通道30 -V （D -S ）共漏极MOSFET
特点
- 低
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命
-Miniature SO- 8表面贴装封装保存
电路板空间
- 高功率和电流处理能力
-Extended V
GS
范围（± 25），用于电池组
应用
概述
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。
典型的应用是PWM DC-DC
转换器，电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机，充电器，通信电源
系统和电话电源系统。
产品概述
V
DS
(V)
-30
r
DS （ ON）
(m)
21@V
GS
=-10V
35@V
GS
=-4.5V
I
D
(A)
-9.5
-7.0
引脚分配
S
G
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D
D
D
D
针
名字
S
G
D
描述
来源
门
漏
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
4901P X X X
包
S： SOP - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
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双P通道30 -V （D -S ）共漏极MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
T
A
=25C
T
A
=70C
漏电流脉冲
（注2 ）
连续源电流（二极管传导）
（注1 ）
T
A
=25C
功耗
（注1 ）
T
A
=70C
工作结存储温度范围
等级
-30
±25
-9.5
-7.5
±30
-2.1
3.1
2.6
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
热电阻额定值
符号
R
θJC
R
θJA
参数
最大结到外壳
（注1 ）
最大结点到环境
（注1 ）
t
＆ LT ;
5秒
t
＆ LT ;
5秒
最大
40
78
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
注1 ：
表面装在1 “×1” FR4板。
注2 ：
脉冲宽度有限的最高结温
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
STATIC
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
（注3）
漏源导通电阻
（注3）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V,
T
J
=55C
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
V
GS
= -10V ，我
D
=-9.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-7.0A
V
GS
= -10V ，我
D
=-7A,
T
J
=125C
V
DS
= -5V ，我
D
=-13A
I
S
= 2.1A ，V
GS
=0V
V
DS
=-15V, V
GS
=-5V,
I
D
=-7A
分钟。
-30
-1
-
-
-
-30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
范围
典型值。
-
-1.6
-
-
-
-
19
28
26
19
-0.7
15
4.7
4.8
14
11
48
25
马克斯。
-
-3
±100
-1
-5
-
21
35
34
-
-1.2
22
-
-
23
20
76
39
S
V
单位
V
V
nA
uA
A
m
g
fs
转发Tranconductance
（注3）
V
SD
二极管的正向电压
动态
（注4 ）
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
开关
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
nC
V
DD
=-15, R
L
=6,
ID = -1A ， VGEN = -10V
nS
注3 ：
脉冲测试： PW
＆ LT ;
300US占空比
＆ LT ;
2%.
注4 ：
通过设计保证，不受生产测试。
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双P通道30 -V （D -S ）共漏极MOSFET
标识信息
SOP-8L
（顶视图）
8
标志
产品型号
4901P
AA
宽x
1
批号：
"X" ：非无铅; "X" ：无铅
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
星期代码：
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
年份代码：
"4" = 2004
工厂代码
~
包装信息
封装类型： SOP- 8L
E
H
L
查看"A"
D
7 (4X)
0.015x45
7 (4X)
A2
A
A1
e
B
y
C
查看"A"
符号
A
A1
A2
B
C
D
E
e
H
L
y
θ
单位：毫米
分钟。
喃。
马克斯。
1.40
1.60
1.75
0.10
-
0.25
1.30
1.45
1.50
0.33
0.41
0.51
0.19
0.20
0.25
4.80
5.05
5.30
3.70
3.90
4.10
-
1.27
-
5.79
5.99
6.20
0.38
0.71
1.27
-
-
0.10
O
0
-
8
O
尺寸以英寸
分钟。
喃。
马克斯。
0.055
0.063
0.069
0.040
-
0.100
0.051
0.057
0.059
0.013
0.016
0.020
0.0075
0.008
0.010
0.189
0.199
0.209
0.146
0.154
0.161
-
0.050
-
0.228
0.236
0.244
0.015
0.028
0.050
-
-
0.004
O
0
-
8
O
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QQ：2881677436 复制
