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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1851页 > ADUM5010
数据表
特点
isoPower技术
集成的隔离式DC - DC转换器
调节3.15 V至5.25 V输出
高达150 mW的输出功率
20引脚SSOP封装, 5.3毫米爬电距离
工作温度最高可达105℃
高共模瞬变抗扰度: >25 KV / μs的
安全和法规认证
UL认证(申请中)
2500 V RMS ,符合UL 1577 1分钟
CSA元件验收通知# 5A (申请中)
合格的VDE证书(待定)
DIN V VDE V 0884-10 ( VDE V 0884-10 ) : 2006-12
V
IORM
= 560 V峰值
集成的DC- DC转换器
ADuM5010
功能框图
NC
1
GND
P 2
NC
3
NC
4
GND
P 5
GND
P 6
NC
7
PDIS
8
V
DDP 9
GND
P 10
OSC
RECT
ADuM5010
20
NC
19
GND
ISO
18
NC
17
NC
16
GND
ISO
15
GND
ISO
14
NC
13
V
SEL
1.25V
12
V
ISO
REG
11
GND
ISO
10978-001
图1 。
应用
电源启动偏置和栅极驱动器
隔离传感器接口
工业的PLC
概述
ADuM5010
1
是一个综合的,隔离式DC - DC转换器。
基于对ADI公司,
的iCoupler
技术,该
DC - DC转换器提供稳压隔离电源,可调
与3.15 V至5.25 V的输入电源电压范围
从稍低于所要求的输出来显著更高。
流行的组合和它们的相关联的功率电平被示
在表1中。
iCoupler隔离器
芯片级变压器技术用于隔离
逻辑信号和直流到直流的磁性部件
转换器。其结果是小尺寸,完全隔离
的解决方案。
isoPower技术
采用高频开关元件转移
电源通过变压器。特别必须注意
在印刷电路板( PCB)布局,以满足排放
标准。见
AN- 0971应用笔记
电路板布局
建议。
表1.功率电平
输入电压( V)
5
5
3.3
输出电压(V)
5
3.3
3.3
输出功率(mW )
150
100
66
1
由美国专利5952849保护; 6873065 ; 6903578 ;和7075329 。其他专利正在申请中。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
电话: 781.329.4700 2012-2013 ADI公司保留所有权利。
技术支援
www.analog.com
ADuM5010
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性- 5 V初级输入电源/ 5 V
二次隔离电源............................................... ........... 3
电气特性- 3.3 V初级输入电源/ 3.3 V
二次隔离电源............................................... ........... 4
电气特性- 5 V初级输入电源/ 3.3 V
二次隔离电源............................................... 5 ...........
套餐特点................................................ ............... 6
监管部门的批准................................................ ................... 6
绝缘和安全相关的指标............................ 6
数据表
DIN V VDE V 0884-10 ( VDE V 0884-10 )绝缘
特点................................................. .............................. 7
推荐工作条件....................................... 7
绝对最大额定值............................................... ............. 8
ESD注意事项................................................ ................................... 8
引脚配置和功能描述.............................. 9
真值表................................................ 9 .....................................
典型性能特征........................................... 10
应用信息................................................ .............. 12
PCB布局................................................ ................................. 12
热分析................................................ ....................... 13
EMI事项................................................ ................... 13
隔离寿命................................................ ..................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
5月13日 - 修订版。 0到版本A
更改表16 .............................................. ............................ 9
10月12日 - 修订版0 :初始版
版本A |第16页2
数据表
特定网络阳离子
ADuM5010
电气特性- 5 V主输入电源/ 5 V次级隔离电源
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C,V
DDP
= V
ISO
= 5 V, V
SEL
电阻网络: R1 = 10 kΩ的, R2 = 30.9 kΩ的。最小/最大
规格适用于这4.5 V≤ V在整个推荐的工作范围
DDP
, V
SEL
, V
ISO
≤ 5.5 V和-40 ° C≤牛逼
A
≤ +105°C,
除非另有说明。开关规格用C测试
L
= 15 pF和CMOS信号电平,除非另有说明。
表2的DC- DC转换器中的静态参数
参数
DC- TO- DC转换器供应
设定
导热系数
线路调整
负载调整率
输出纹波
输出噪声
开关频率
脉冲宽度调制频率
输出电源
效率在我
ISO (MAX)中
I
DDP
,无V
ISO
负载
I
DDP
,整个V
ISO
负载
热关断
关断温度
热滞
符号
V
ISO
V
ISO ( TC )
V
ISO ( LINE)
V
ISO ( LOAD )
V
ISO ( RIP )
V
ISO ( NOISE )
f
OSC
f
PWM
I
ISO (MAX)中
I
DD1 ( Q)
I
DD1 (MAX)中
典型值
5.0
44
20
1.3
75
200
125
600
30
29
6.8
104
154
10
12
最大
单位
V
μV/°C
mV / V的
%
mV的P-P
mV的P-P
兆赫
千赫
mA
%
mA
mA
°C
°C
测试条件/评论
I
ISO
= 15 mA时, R1 = 10 kΩ的, R2 = 30.9 kΩ的
I
ISO
= 15毫安, V
DDP
= 4.5 V至5.5 V
I
ISO
= 3 mA至27毫安
20 MHz带宽,C
BO
= 0.1 μF || 10 μF ,我
ISO
= 27毫安
C
BO
= 0.1 μF || 10 μF ,我
ISO
= 27毫安
3
V
ISO
> 4.5 V
I
ISO
= 27毫安
表3.输入和输出特性
参数
DC特定网络阳离子
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
欠压锁定
正向阈值
负门槛
每通道的输入电流
符号
V
IH
V
IL
V
UV +
V
紫外线
I
PDIS
0.7 V
DDP
0.3 V
DDP
2.7
2.4
+0.01
典型值
最大
单位
V
V
V
ISO
, V
DDP
供应
V
V
A
测试条件/评论
10
+10
0 V ≤ V
PDIS
≤ V
DDP
版本A |第16页3
ADuM5010
数据表
电气特性- 3.3 V主输入电源/ 3.3 V二次隔离电源
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C,V
DDP
= V
ISO
= 3.3 V, V
SEL
电阻网络: R1 = 10 kΩ的, R2 = 16.9 kΩ的。最小/最大
规格适用于这3.0 V≤ V在整个推荐的工作范围
DDP
, V
SEL
, V
ISO
≤ 3.6 V和-40 ° C≤牛逼
A
≤ +105°C,
除非另有说明。开关规格用C测试
L
= 15 pF和CMOS信号电平,除非另有说明。
表4的DC- DC转换器中的静态参数
参数
DC- TO- DC转换器供应
设定
导热系数
线路调整
负载调整率
输出纹波
输出噪声
开关频率
脉冲宽度调制频率
输出电源
效率在我
ISO (MAX)中
I
DD1
,无V
ISO
负载
I
DD1
,整个V
ISO
负载
热关断
关断温度
热滞
符号
V
ISO
V
ISO ( TC )
V
ISO ( LINE)
V
ISO ( LOAD )
V
ISO ( RIP )
V
ISO ( NOISE )
f
OSC
f
PWM
I
ISO (MAX)中
I
DD1 ( Q)
I
DD1 (MAX)中
典型值
3.3
26
20
1.3
50
130
125
600
20
27
3.3
77
154
10
10.5
最大
单位
V
μV/°C
mV / V的
%
mV的P-P
mV的P-P
兆赫
千赫
mA
%
mA
mA
°C
°C
测试条件/评论
I
ISO
= 10 mA时, R1 = 10 kΩ的, R2 = 16.9 kΩ的
I
ISO
= 20mA下
I
ISO
= 10 mA时, V
DDP
= 3.0 V至3.6 V
I
ISO
= 2 mA至18毫安
20 MHz带宽,C
BO
= 0.1 μF || 10 μF ,我
ISO
= 18毫安
C
BO
= 0.1 μF || 10 μF ,我
ISO
= 18毫安
3
3.6 V > V
ISO
> 3 V
I
ISO
= 18毫安
表5.输入和输出特性
参数
DC特定网络阳离子
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
欠压锁定
正向阈值
负门槛
每通道的输入电流
符号
V
IH
V
IL
V
UV +
V
紫外线
I
PDIS
0.7 V
DDP
0.3 V
DDP
2.7
2.4
+0.01
典型值
最大
单位
V
V
V
DDP
供应
V
V
A
测试条件/评论
10
+10
0 V ≤ V
PDIS
≤ V
DDP
版本A |第16页4
数据表
ADuM5010
电气特性- 5 V主输入电源/ 3.3 V二次隔离电源
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C,V
DDP
= 5.0 V, V
ISO
= 3.3 V, V
SEL
电阻网络: R1 = 10 kΩ的, R2 = 16.9 kΩ的。最小/最大
规格适用于这4.5 V≤ V在整个推荐的工作范围
DDP
≤ 5.5 V, 3.0 V ≤ V
ISO
≤ 3.6 V和-40 ° C≤牛逼
A
+ 105℃,除非另有说明。开关规格用C测试
L
= 15 pF和CMOS信号电平,除非另有说明。
表6的DC- DC转换器中的静态参数
参数
DC- TO- DC转换器供应
设定
导热系数
线路调整
负载调整率
输出纹波
输出噪声
开关频率
脉冲宽度调制频率
输出电源
效率在我
ISO (MAX)中
I
DD1
,无V
ISO
负载
I
DD1
,整个V
ISO
负载
热关断
关断温度
热滞
符号
V
ISO
V
ISO ( TC )
V
ISO ( LINE)
V
ISO ( LOAD )
V
ISO ( RIP )
V
ISO ( NOISE )
f
OSC
f
PWM
I
ISO (MAX)中
I
DD1 ( Q)
I
DD1 (MAX)中
典型值
3.3
26
20
1.3
50
130
125
600
30
24
3.2
85
154
10
8
最大
单位
V
μV/°C
mV / V的
%
mV的P-P
mV的P-P
兆赫
千赫
mA
%
mA
mA
°C
°C
测试条件/评论
I
ISO
= 15 mA时, R1 = 10 kΩ的, R2 = 16.9 kΩ的
I
ISO
= 15毫安, V
DD1
= 4.5 V至5.5 V
I
ISO
= 3 mA至27毫安
20 MHz带宽,C
BO
= 0.1 μF || 10 μF ,我
ISO
= 27毫安
C
BO
= 0.1 μF || 10 μF ,我
ISO
= 27毫安
3
3.6 V > V
ISO
> 3 V
I
ISO
= 27毫安
表7.输入和输出特性
参数
DC特定网络阳离子
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
欠压锁定
正向阈值
负门槛
每通道的输入电流
符号
V
IH
V
IL
V
UV +
V
紫外线
I
PDIS
0.7 V
DDP
0.3 V
DDP
2.7
2.4
+0.01
典型值
最大
单位
V
V
V
ISO
, V
DDP
供应
V
V
A
测试条件/评论
10
+10
0 V ≤ V
PDIS
≤ V
DDP
版本A |第16页5
评估板用户指南
壹科技路 P。O.箱9106 诺伍德, MA 02062-9106 , USA 电话: 781.329.4700 传真: 781.461.3113 www.analog.com
UG-487
iCoupler隔离器
EVAL-ADuM5010EBZ,
150毫瓦
isoPower技术
评估板
特点
isoPower技术
集成的隔离式DC - DC转换器
调节3.15 V至5.25 V输出
高达150 mW的输出功率
20引脚SSOP封装, 5.3毫米爬电距离
工作温度最高可达105℃
高共模瞬变抗扰度: >25 KV / μs的
设定所需的输出电压,设定的使能控制,并
对于车载负载和旁路提供多个位置
电容器。
isoPower技术
器件采用高频大功率开关
电路,使整个芯片级,空气核心动力传递
变压器。该评估板包括EMI缓解
从建议
AN- 0971应用笔记。
所包含的技术,这种印刷电路板和电源模块,能够
对满足CISPER22 A类或B类的要求
根据电压和负载范围内。
规格齐全,为
ADuM5010
ADuM6010
在提供
ADuM5010
ADuM6010
数据表,
可从ADI公司,并且应咨询
在与本用户指南一起使用时的评价
板。
支持
的iCoupler
车型
ADuM5010
ADuM6010
概述
EVAL-ADuM5010EBZ
支持
ADuM5010
ADuM6010
150 mW的隔离电源模块。它提供了一个
JEDEC标准SSOP20垫布局以及用于支撑
评估板
图1 。
EVAL-ADuM5010EBZ
评估板
请参阅最后一页的示范意义
警告和法律条款和条件。
第0版|第8 1
11083-001
UG-487
目录
特点................................................. ............................................. 1
支持
的iCoupler
车型................................................. .......... 1
概述................................................ ......................... 1
评估板................................................ .............................. 1
修订历史................................................ ............................... 2
PCB评价目标............................................... ................... 3
连接器................................................. ................................... 3
部分配置结构............................................... 3 .....
评估板用户指南
旁路PCB上.............................................. .......................... 3
规定装载............................................... .................... 3
EMI缓解................................................ .............................. 4
高电压能力............................................... ................ 4
评估板电路图和艺术品................................... 5
订购信息................................................ ....................... 7
物料清单............................................... ............................... 7
修订历史
11月12日 - 修订版0 :初始版
第0版|第8 2
评估板用户指南
PCB评估GOALS
该板是为了实现两个目标。
这将允许的用户
ADuM5010
or
ADuM6010
to
锻炼的一部分的功能性的能力。这些
包括旁路,负载,电源评测
使能/禁止控制和设定可调节的输出
电压电平。
该评估板演示了EMI缓解
所需的技术,使一个低排放设计为
在讨论
AN- 0971应用笔记。
UG-487
在V控制
ISO
电压通过一个电压来实现
分频器那中心节点连接至V
SEL
引脚如图所示
在图3中有两个选项,用于设置输出电压
在此评估板支持。一个20 kΩ的电位器
串联一个16.5 kΩ电阻的位置R1A安装
R16A制作到V的可变电阻
ISO
16.5 kΩ至36 kΩ的。
一个接地电阻的位置R14A形成的小腿
分压器。这将给出一个范围内进行调节的
V
ISO
< 3.3 V至> 5 V.
另外,如果固定的输出电压是需要的, R16A可以
除去和电阻可以被安装在R13A该组合
在R14A现有电阻会形成一个固定的电压
分压器设定V
ISO
到一个单一的电压。参阅
ADuM5010
or
ADuM6010
数据表中选择的电阻值。
连接器
该评价系统将被用于评估各种
不同方面的表现。连接到电源
电源和仪表是进行正确的关键
测量不会造成人为的振铃,反射,
纹波和EMI。
两种类型的互连提供的SMA边缘连接
接器和通孔信号地对。之间的这些
两种选择,无论是临时和永久连接
板很容易做。当同轴连接需要,
SMA连接器可用于V
DDP
输入功率和
V
ISO
输出。选择这些连接器,因为它们是
低调,并提供优良的机械连接
在PCB上。大多数实验室设备是专门针对使用的BNC
连接器,所以适配器将被要求使用上板
连接器。
功率可以经由P6A和的P7a被直接连接到印刷电路板
通孔连接器。这提供了一个电源地
搭配上的引脚1洞的权力。这些通孔
上200mil中心,符合要求的引脚间距
泰克有源探头。这些位置可用于
范围测试点或电源线和地线的直接连线。
旁路在PCB
提供了几个位置和结构,使优化
旁路评估板。规定已取得了
可选的表面贴装Bulk电容应靠近安装
电源连接器,以补偿长电缆电源
电源或外部负载。安装并联的旁路电容
附近的
ADuM5010
or
ADuM6010
由一个0.1 μF和中
10 μF电容V
DDP
和V
ISO
。 0.1 μF电容可
移动到电路板的背面位置(如果需要) 。
该PCB还实现了对分布电容旁路
PCB的初级侧。这包括电源和地填充
在PCB上的V中的顶层和底层
DDP
的侧
板。这是在EMI所讨论的技术中的一种
缓解部分。它具有提供附加的好处
旁路的转换器的初级侧,其中最大
电流流以及RF屏蔽。
供养LOADING
V
ISO
可装载三种方式。
外部负载可通过SMA连接器进行连接。
固定电阻器可以在R18A安装。
表面贴装电阻器可以在R15A安装。
零件配置结构
ADuM5010
ADuM6010
有一个必须具备销
组输入,用于在IC正常工作。评估板
允许所有全系列的配置选项。在主
一边, PDIS引脚必须要么绑低,使CON组
变频器,或拉高禁用输出功率,并把
部处于待机状态。接口P3A允许跳线是
放置引脚1和引脚2之间,以禁用转换器,或
引脚2AND引脚3之间,以使转换器。标题
如果外部逻辑信号源控制禁用可移除
函数和信号可以直接馈送到的位置2
的报头。
第0版|第8 3
UG-487
EMI减灾
在PCB实现讨论的EMI抑制技术
AN- 0971应用笔记
以展示
推荐的电路板布局选项此设备。这些
技术包括拼接电容和边缘防护。
拼接电容
初级和次级功率之间的电容
层和接地层是减少高最有效的方法
从频率发射
isoPower技术
装置。图2
示出了印刷电路板的内层如何可以创建这个拼接
电容由重叠内层金属来创建
极低的电感电容。绿色区域显示
活动耦合区。
边护
提供了保护环上每一层的通孔在一起股价
的初级侧的减少边缘排放从PCB
第2层接地
评估板用户指南
堆叠起来。这解决的排放量由于大高频
垂直电流流过的通孔和迹线附近的边缘。
图4示出了顶层保护环和底层
地填充以及在所述保护环的规则间隔的通孔
创建一个笼型结构,以反映平面间的排放量
返回到PCB上。图5示出了顶层功率填充沿
其通孔的3层电源层。这个顶层权力
补加的分布电容,以及屏蔽的
层以下。
高电压能力
该PCB的设计符合2500 V基本绝缘
的做法。超过2500 V的高电压测试是不推荐
谁料。适当的照顾时,必须使用该采取
评估板在高电压,并且不应依赖
关于安全功能,因为它没有被踩锅测试或
认证的安全性。
第3层电源
交叠
CREATING电容
图2.接地和电源层创建拼接电容
第0版|第8 4
11083-003
评估板用户指南
评估板原理图和艺术品
MTSW-202-12-G-S-730
P6A
1
2
VDDPA
VDDPA
P
N
C8A
DNI
P
N
C10A
DNI
VISOA
VISOA
MTSW-202-12-G-S-730
P7A
1
2
UG-487
JOHNSON142-0701-851
J4A
JOHNSON142-0701-851
J1A
1
2 3 4 5
VISOA
VISOA
1
5 4 3 2
VDDPA
C3A
C5A
0.1F
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C4A
10F
C6A
0.1F
C12A
0.1F
DUT1A
ADuM5010ARSZ
VDD1
GNDP
NC
NC
GNDP
GNDP
NC
PDIS
VDDP
GNDP
VDD2
GNDISO
NC
NC
GNDISO
GNDISO
NC
VSEL
VISO
GNDISO
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
C14A
R15A
R18A
DNI
MOLEX22-03-2031
P3A
1
2
3
VDDPA
VDDPA
VISOA
R13A
TBD0805
R16A
16.5k
3
R14A
10k
2
CW
R1A
20k
1
VDDPA
VISOA
VISOA
C7A
C11A
C13A
0.1F
C15A
10F
11083-002
网络连接gure 3 。
ADuM5010/ADuM6010
概要
第0版|第8 5
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厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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