ADS
783
4
ADS7834
对于最新的数据表等产品
信息,请访问www.burr-brown.com
12位高速低功耗采样
模拟数字转换器
特点
q
500kHz的吞吐率
q
2.5V内部基准
q
低功耗: 11mW的
q
单电源+ 5V操作
q
差分输入
q
串行接口
q
保证无失码
q
MINI - DIP -8和MSOP- 8
q
0V至V
REF
输入范围
描述
该ADS7834是一个12位的采样模拟到数字
转换器( A / D)完成采样/保持,内部
2.5V基准和同步串行接口。典型
CAL功耗为11mW的在500kHz的吞吐量
放率。该装置可被置于关断
模式,从而降低功耗仅仅只有2.5mW 。该
输入范围是零到参考电压,并且
内部基准电压可以由外部过驱动
电压。
低功耗,小尺寸,和高速使
ADS7834非常适合于电池供电系统,如
无线通信设备,便携式多信
NEL数据记录仪和频谱分析仪。串行
接口还提供了低成本的隔离对于远程
数据采集。该ADS7834是在塑料可用
微型DIP - 8或MSOP - 8封装,保证
在-40° C至+ 85 °C温度范围。
应用
q
电池供电系统
q
数字信号处理
q
高速数据采集
q
无线通信系统
CLK
特区
CONV
+ IN
华助会
In
S / H放大器
比较
串行
接口
数据
卜FF器
国内
+ 2.5V参考
V
REF
10k
±30%
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400 ,图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道,图森,亚利桑那州85706 电话: ( 520 ) 746-1111
TWX : 910-952-1111 互联网: http://www.burr-brown.com/电缆: BBRCORP 电传: 066-6491 传真: ( 520 ) 889-1510 即时产品信息: ( 800 ) 548 -6132
1998年的Burr-Brown公司
PDS-1457B
1
ADS7834
美国印刷2000年5月
特定网络阳离子
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C , + V
CC
= + 5V ,女
样品
= 500kHz的,女
CLK
= 16 f
样品
内部参考,除非另有规定。
ADS7834P ,E
参数
模拟量输入
满量程输入范围
(1)
绝对输入范围
电容
漏电流
系统性能
决议
无失码
积分非线性误差
微分线性误差
偏移误差
增益误差
(3)
共模抑制
噪音
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
动态特性
信噪比
总谐波失真
(4)
信号与(噪声+失真)
无杂散动态范围
可用带宽
参考输出
电压
源出电流
(5)
漂移
线路调整
参考输入
范围
阻力
(6)
数字输入/输出
逻辑系列
逻辑电平:
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式
电源需求
+V
CC
静态电流
功耗
温度范围
指定的性能
T
规格相同ADS7834P ,E 。
注: ( 1 )理想的输入范围,不包括增益或失调误差。 (2) LSB表示最低有效位,V字形
REF
等于+ 2.5V , 1 LSB是610μV 。 ( 3 )测量
2.499V的 - 相对于理想的,满量程输入( ( -IN ) IN + ) 。因此,增益误差包括内部基准电压的误差。 (4 )计算在所述第一9
输入频率的谐波。 (5)如果内部参考,需要到源极到外部负载的电流,所述基准电压将由于内部改变
10kΩ电阻。 ( 6)可以各不相同
±30%.
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
= 5Vp -P在10kHz
= 5Vp -P在10kHz
= 5Vp -P在10kHz
= 5Vp -P在10kHz
SNR > 68分贝
条件
民
典型值
最大
民
T
T
T
T
T
T
T
±1
±0.8
±2
±12
70
50
60
1.2
1.625
0.350
500
5
30
350
72
–78
70
78
350
2.50
20
0.6
2.0
以内部参考电压
10
CMOS
|I
IH
|
≤
+5A
|I
IL
|
≤
+5A
I
OH
= –500A
I
OL
= 500A
3.0
–0.3
3.5
直接二进制
指定的性能
f
样品
= 500kHz的
掉电
f
样品
= 500kHz的
掉电
4.75
2.2
0.5
11
2.5
–40
5.25
T
T
T
T
T
T
V
CC
+0.3
0.8
0.4
T
T
T
T
T
T
V
mA
mA
mW
mW
°C
2.55
T
T
T
T
T
T
–82
72
82
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±2
±5
±30
±50
±0.5
±0.5
±1
±7
T
T
T
T
±1
±1
T
±15
±35
ADS7834PB , EB
典型值
最大
T
T
T
单位
+在 - ( -In )
+ IN
In
0
–0.2
–0.2
25
1
12
12
V
REF
V
REF
+0.2
+0.2
V
V
V
pF
A
位
位
最低位
(2)
最低位
最低位
最低位
最低位
dB
dB
μVRMS
最低位
s
s
千赫
ns
ps
ns
dB
dB
dB
dB
千赫
V
A
PPM /°C的
mV
V
k
25°C
-40 ° C至+ 85°C
DC , 0.2Vp -P
1MHz时, 0.2Vp -P
最坏的情况下
,
+V
CC
= 5V
±5%
–72
70
75
–75
68
72
I
OUT
= 0
静载荷
I
OUT
= 0
4.75V
≤
V
CC
≤
5.25V
2.475
2.525
50
2.48
2.52
T
T
T
T
T
T
T
V
V
V
V
20
T
+85
T
本文提供的信息被认为是可靠的;但是, BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN
对使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息的使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有
更改,恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN不
授权或保证任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
ADS7834
2
绝对最大额定值
(1)
+V
CC
到GND ................................................ ............................ -0.3V至6V
模拟输入到GND .............................................. -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
数字输入到GND .............................................. 。 -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
功耗................................................ .......................... 325MW
最高结温............................................... ... + 150°C
工作温度范围......................................... -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.......................................... -65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
注: ( 1 )强调上述“绝对最大额定值”,可能
对器件造成永久性损坏。暴露在绝对最大条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
静电
放电敏感度
静电放电可能会损害范围从per-
性能降低,完成设备故障。 Burr-
布朗公司建议所有集成电路
被处理和存储使用适当的ESD保护
的方法。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤,因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足
公布的规格。
引脚配置
顶视图
V
REF
+ IN
In
GND
1
2
ADS7834
3
4
小型塑封DIP - 8
8
7
6
5
+V
CC
CLK
数据
CONV
V
REF
+ IN
In
GND
1
2
ADS7834
3
4
MSOP-8
8
7
6
5
+V
CC
CLK
数据
CONV
引脚分配
针
1
2
3
4
5
6
名字
V
REF
+ IN
In
GND
CONV
数据
描述
参考输出。去耦至地, 0.1μF的陶瓷电容和一个2.2μF的钽电容。
非反相输入端。
反相输入端。连接到地或远程地检测点。
地面上。
转换输入。控制所述采样/保持模式,转换开始时,串行数据传输的开始时,串行传输的类型,以及功率
关断模式。更多信息请参见数字接口部分。
串行数据输出。 12位转换结果串行发送最显著位先与每一位有效的上升沿
的CLK 。通过适当地控制CONV输入,这可能是有数据传输最低显著位第一。看到数字
接口部分以获取更多信息。
时钟输入。同步串行数据传输,并确定转换速度。
电源。去耦至地, 0.1μF的陶瓷电容和一个10μF的钽电容。
7
8
CLK
+V
CC
封装/订购信息
最大
积分
线性
错误
( LSB )
±2
±1
±2
±1
最大
迪FF erential
线性
错误
( LSB )
N / S
(4)
±1
产品
ADS7834E
ADS7834E
ADS7834EB
ADS7834EB
ADS7834P
ADS7834PB
包
MSOP-8
包
制图
数
(1)
337
规范
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
包
记号
(2)
C34
订购
数
(3)
ADS7834E/250
ADS7834E/2K5
ADS7834EB/250
ADS7834EB/2K5
ADS7834P
ADS7834PB
运输
媒体
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
轨道
轨道
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
MSOP-8
& QUOT ;
337
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
C34
& QUOT ;
塑料DIP - 8
& QUOT ;
006
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
ADS7834P
ADS7834PB
N / S
(4)
±1
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
注: ( 1 )有关详细图纸和维表,请参阅数据手册或封装图纸结束文件的网站。 ( 2 )性能等级信息标记
在卷轴上。 ( 3 )模型以斜杠( / )只适用于磁带和卷轴中所示的数量(例如,/ 250表示250个单位卷轴, / 2K5表明2500设备
每卷) 。订购2500件“ ADS7834E / 2K5 ”将得到一个2500件磁带和卷轴。有关详细的磁带和卷轴机械信息,请参阅
www.burr-brown.com下的应用程序和磁带和卷轴方向和维度的网站。 ( 4 )N / S =不指定,仅载明。但是, 12位无失
代码保证了温度。
3
ADS7834
ADS
783
ADS7834
4
SBAS098A - 1998年1月 - 修订2003年9月
12位高速,低功耗采样
模拟数字转换器
特点
q
500kHz的吞吐率
q
2.5V内部基准
q
低功耗: 11mW的
q
单电源+ 5V操作
q
差分输入
q
串行接口
q
12位无失码
q
MINI - DIP -8和MSOP- 8
q
0V至V
REF
输入范围
描述
该ADS7834是一个12位的采样模拟到数字转换器
( A / D)完成采样/保持,内部2.5V基准,
和同步串行接口。典型功耗
为11mW的在500kHz的吞吐速率。该设备可以是
放入掉电模式的功耗降低到
仅仅只有2.5mW 。输入范围是零到参考电压,
和内部基准可以被外部过驱动
电压。
低功耗,小尺寸,高速度使ADS7834
非常适用于电池供电系统,如无线
通信设备,便携式多通道数据记录器,
和频谱分析仪。串行接口还提供
低成本隔离用于远程数据采集。该ADS7834
可在一个小型塑封DIP - 8或MSOP -8封装
并保证在-40° C至+ 85 °C温度范围。
应用
q
q
q
q
电池供电系统
数字信号处理
高速数据采集
无线通信系统
CLK
特区
CONV
+ IN
华助会
In
S / H放大器
比较
串行
接口
数据
卜FF器
国内
+ 2.5V参考
V
REF
10k
±30%
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 1998-2003 ,德州仪器
www.ti.com
封装/订购信息
最大
积分
线性
错误
( LSB )
±2
最大
迪FF erential
线性
错误
( LSB )
N / S
(3)
产品
ADS7834E
ADS7834E
ADS7834EB
ADS7834EB
ADS7834P
ADS7834PB
套餐 -
包
领导
代号
(1)
MSOP-8
DGK
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
包
记号
(2)
C34
订购
数
(3)
ADS7834E/250
ADS7834E/2K5
ADS7834EB/250
ADS7834EB/2K5
ADS7834P
ADS7834PB
运输
媒体, QUANTITY
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 2500
轨道
轨道
& QUOT ;
±1
& QUOT ;
±1
& QUOT ;
MSOP-8
& QUOT ;
DGK
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
C34
& QUOT ;
±2
±1
& QUOT ;
N / S
(3)
±1
& QUOT ;
塑料DIP - 8
& QUOT ;
P
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
ADS7834P
ADS7834PB
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
注: ( 1 )有关最新规格和包装的信息,请访问我们的网站: www.ti.com 。 ( 2 )性能等级信息标记在
卷轴。 ( 3 )N / S =不指定,仅载明。但是, 12位无失码确保在整个温度范围。
绝对最大额定值
(1)
+V
CC
到GND ................................................ ............................ -0.3V至6V
模拟输入到GND .............................................. -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
数字输入到GND .............................................. 。 -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
功耗................................................ .......................... 325MW
最高结温............................................... ... + 150°C
工作温度范围......................................... -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.......................................... -65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
注: ( 1 )强调上述“绝对最大额定值”,可能
对器件造成永久性损坏。暴露在绝对最大条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
静电
放电敏感度
静电放电可能会损坏不等
性能下降,完成设备故障。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路处理
并使用适当的ESD保护的方法存储。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤,因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足
公布的规格。
引脚配置
顶视图
V
REF
+ IN
In
GND
1
2
ADS7834
3
4
小型塑封DIP - 8
8
7
6
5
+V
CC
CLK
数据
CONV
V
REF
+ IN
In
GND
1
2
ADS7834
3
4
MSOP-8
8
7
6
5
+V
CC
CLK
数据
CONV
引脚分配
针
1
2
3
4
5
6
名字
V
REF
+ IN
In
GND
CONV
数据
描述
参考输出。去耦至地, 0.1μF的陶瓷电容和一个2.2μF的钽电容。
同相输入。
反相输入端。连接到地或远程地检测点。
地面上。
转换输入。控制所述采样/保持模式,转换开始时,串行数据传输的开始时,串行传输的类型,以及功率
关断模式。更多信息请参见数字接口部分。
串行数据输出。 12位转换结果串行发送最显著位先与每一位有效的上升沿
的CLK 。通过适当地控制CONV输入,这可能是有数据传输最低显著位第一。看到数字
接口部分以获取更多信息。
时钟输入。同步串行数据传输,并确定转换速度。
电源。去耦至地, 0.1μF的陶瓷电容和一个10μF的钽电容。
7
8
CLK
+V
CC
2
ADS7834
www.ti.com
SBAS098A
特定网络阳离子
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C , + V
CC
= + 5V ,女
样品
= 500kHz的,女
CLK
= 16 f
样品
内部参考,除非另有规定。
ADS7834P ,E
参数
模拟量输入
满量程输入范围
(1)
绝对输入范围
电容
漏电流
系统性能
决议
无失码
积分非线性误差
微分线性误差
偏移误差
增益误差
(3)
共模抑制
噪音
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
动态特性
信噪比
总谐波失真
(4)
信号与(噪声+失真)
无杂散动态范围
可用带宽
参考输出
电压
源出电流
(5)
漂移
线路调整
参考输入
范围
阻力
(6)
数字输入/输出
逻辑系列
逻辑电平:
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式
电源需求
+V
CC
静态电流
功耗
温度范围
指定的性能
规格相同ADS7834P ,E 。
注: ( 1 )理想的输入范围,不包括增益或失调误差。 (2) LSB表示最低有效位,V字形
REF
等于+ 2.5V , 1 LSB是610μV 。 ( 3 )测量
2.499V的 - 相对于理想的,满量程输入( ( -IN ) IN + ) 。因此,增益误差包括内部基准电压的误差。 (4 )计算在所述第一9
输入频率的谐波。 (5)如果内部参考,需要到源极到外部负载的电流,所述基准电压将由于内部改变
10kΩ电阻。 ( 6)可以各不相同
±30%.
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
= 5Vp -P在10kHz
= 5Vp -P在10kHz
= 5Vp -P在10kHz
= 5Vp -P在10kHz
SNR > 68分贝
条件
民
典型值
最大
民
±1
±0.8
±2
±12
70
50
60
1.2
1.625
0.350
500
5
30
350
72
–78
70
78
350
2.50
20
0.6
2.0
以内部参考电压
10
CMOS
|I
IH
|
≤
+5A
|I
IL
|
≤
+5A
I
OH
= –500A
I
OL
= 500A
3.0
–0.3
3.5
V
CC
+0.3
0.8
0.4
直接二进制
指定的性能
f
样品
= 500kHz的
掉电
f
样品
= 500kHz的
掉电
4.75
2.2
0.5
11
2.5
–40
5.25
V
mA
mA
mW
mW
°C
2.55
–82
72
82
±2
±5
±30
±50
±0.5
±0.5
±1
±7
±1
±1
±15
±35
ADS7834PB , EB
典型值
最大
单位
+在 - ( -In )
+ IN
In
0
–0.2
–0.2
25
1
12
12
V
REF
V
REF
+0.2
+0.2
V
V
V
pF
A
位
位
最低位
(2)
最低位
最低位
最低位
最低位
dB
dB
μVRMS
最低位
s
s
千赫
ns
ps
ns
dB
dB
dB
dB
千赫
V
A
PPM /°C的
mV
V
k
25°C
-40 ° C至+ 85°C
DC , 0.2Vp -P
1MHz时, 0.2Vp -P
最坏的情况下
,
+V
CC
= 5V
±5%
–72
70
75
–75
68
72
I
OUT
= 0
静载荷
I
OUT
= 0
4.75V
≤
V
CC
≤
5.25V
2.475
2.525
50
2.48
2.52
V
V
V
V
20
+85
ADS7834
SBAS098A
www.ti.com
3