ADS62P49 / ADS62P29
ADS62P48 / ADS62P28
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SLAS635A - 2009年4月 - 修订2009年6月
双通道14位/ 12位， 250 / 210 - MSPS ADC，具有DDR LVDS和并行CMOS输出
1
特点
最大采样速率： 250 MSPS
14位分辨率 - ADS62P49 / ADS62P48
12位分辨率 - ADS62P29 / ADS62P28
总功率： 250 MSPS为1.25W
双倍数据速率（ DDR） LVDS和并行
CMOS输出选项
可编程增益高达6分贝的SNR / SFDR
权衡
直流偏移校正
90分贝串扰
支持输入时钟幅度低至400
mV
PP
迪FF erential
内部和外部参考支持
64 - QFN封装（ 9毫米× 9毫米）
ADS62PXX HIGH SPEED系列
250 Msps的
210 MSPS
ADS62P48
ADS62P28
ADS62C17
200 MSPS
14位家族
12位家族
11位家族
ADS62P49
ADS62P29
描述
该ADS62Px9 / X8是采样速率高达250系列双通道14 - bit和12 - bit的A / D转换器
MSPS 。它结合了高动态性能和低功耗的紧凑型QFN 64封装。这
使得它非常适合于多载波，宽带宽的通信应用。
该ADS62Px9 / X8具有可用于改善SFDR性能较低的满量程输入增益选项
范围。它包括可用于取消ADC失调的直流偏移校正环路。这两个DDR LVDS
（双数据速率）和并行CMOS数字输出接口可用。
它包括内部参考，而传统的基准电压引脚和相关的去耦电容有
被淘汰。然而，该装置也可被驱动与外部参考。所指定的设备被
在工业温度范围（-40° C至85°C ） 。
性能总结
AT 170MHz的输入
SFDR ， dBc的
SINAD ， dBFS的
增益为0 dB
6分贝增益
增益为0 dB
6分贝增益
ADS62P49
75
82
69.8
66.5
1
ADS62P48
78
84
70.1
66.3
0.92
ADS62P29
75
82
68.3
65.8
1
ADS62P28
78
84
68.7
65.8
0.92
模拟功率，W
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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LVDS接口
DRGND
DRVDD
AVDD
AGND
DA0_P/M
DA2_P/M
INA_P
INA_M
数字
和
DDR
串行器
DA4_P/M
DA6_P/M
DA8_P/M
DA10_P/M
DA12_P/M
样品
和
HOLD
14-Bit
ADC
CLKP
CLKM
CLOCKGEN
产量
时钟
卜FF器
CLKOUTP / M
DB0_P/M
DB2_P/M
INB_P
INB_M
样品
和
HOLD
数字
和
DDR
串行器
DB4_P/M
DB6_P/M
DB8_P/M
DB10_P/M
DB12_P/M
VCM
参考
控制界面
SDOUT
14-Bit
ADC
ADS62P49/48
RESET
SCLK
SEN
SDATA
CTRL1
CTRL2
CTRL3
B0349-01
图1. ADS62P49 / 48框图
2
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LVDS接口
DRVDD
DRGND
AGND
AVDD
DA0_P/M
DA2_P/M
INA_P
INA_M
数字
和
DDR
串行器
DA4_P/M
DA6_P/M
DA8_P/M
DA10_P/M
样品
和
HOLD
12-Bit
ADC
CLKP
CLKM
CLOCKGEN
产量
时钟
卜FF器
CLKOUTP / M
DB0_P/M
DB2_P/M
INB_P
INB_M
样品
和
HOLD
数字
和
DDR
串行器
DB4_P/M
DB6_P/M
DB8_P/M
DB10_P/M
12-Bit
ADC
VCM
参考
控制界面
SDOUT
ADS62P29/28
RESET
SCLK
SEN
SDATA
CTRL1
CTRL2
CTRL3
B0350-01
图2. ADS62P29 / 28框图
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封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
包
代号
特定网络版
温度
范围
ECO
计划
(2)
铅/焊球
完
包
记号
AZ62P49
绿色
（ RoHS和
无锑/溴）
AZ62P48
CU镍钯金
AZ62P29
AZ62P28
订购
数
ADS62P49IRGCT,
ADS62P49IRGCR
ADS62P48IRGCT,
ADS62P48IRGCR
ADS62P29IRGCT,
ADS62P29IRGCR
ADS62P28IRGCT,
ADS62P28IRGCR
运输
媒体， QUANTITY
ADS62P49
ADS62P48
QFN-64
ADS62P29
ADS62P28
研资局
-40 ° C至85°C
磁带和卷轴
磁带和卷轴
(1)
(2)
有关最新的产品和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。或
环保计划 - 该计划的环保分级：绿色环保（RoHS和无锑/溴） ： TI定义的“绿色”表示无铅（符合RoHS标准）
和无溴（ Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
电压施加到外部引脚， VCM （外部参考模式）
适用于模拟输入引脚电压 - INP_A ， INM_A ， INP_B ， INM_B
施加到输入端子的电压 - CLKP ， CLKM
SEN ， CTRL1 ， CTRL2 ， CTRL3
T
A
T
J
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
ESD，人体模型
(1)
(2)
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
0.3 V至3.9
0.3 V至2.2
-0.3 0.3
0至3.3
-1.5 1.8
-0.3 2.0
-0.3V至最低（ 3.6 ， AVDD + 0.3V ）
-0.3V至AVDD + 0.3V
-40到85
125
-65到150
2
， RESET ， SCLK ， SDATA ，
T
英镑
存储温度范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM是< | 0.3V | ，这
防止ESD保护二极管在从接通时钟输入管脚。
热特性
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
R
θJA
(2)
测试条件
焊接热垫，没有空气流动
焊接散热垫， 200 LFM
包的底部（散热片）
民
典型值
22
15
0.57
最大
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
θJT
(3)
(1)
(2)
(3)
与JEDEC标准高K板和5x5的阵列通过。请参阅应用信息的裸露焊盘。
R
θJA
是从结到环境的热阻。
R
θJT
是从结到散热垫的热阻。
4
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推荐工作条件
民
耗材
AVDD
DRVDD
模拟电源电压
数字电源电压
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在CM中的外部基准模式
最大模拟输入频率2 V
pp
输入幅度
(1)
最大模拟输入频率为1 V
pp
输入幅度
时钟输入
输入时钟采样率
ADS62P49 / ADS62P29
ADS62P48 / ADS62P28
使低速模式
(2)
禁止低速模式（复位后默认模式）
使低速模式
禁止低速模式（复位后默认模式）
随着复用模式下启用
(4)
输入时钟幅度差（V
CLKP
–V
CLKM
)
正弦波，交流耦合
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
输入时钟的占空比
数字输出
C
负载
R
负载
T
A
(1)
(2)
(3)
(4)
从每个输出引脚的最大外部负载电容来DRGND
LVDS的输出对之间的差分负载电阻（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
–40
5
100
85
pF
°C
40%
0.2
3
1.6
0.7
3.3
50%
60%
V
PP
V
PP
V
PP
V
1
>100
1
>100
1
100
250
(3)
100
210
65
MSPS
MSPS
MSPS
(1)
典型值
3.3
1.8
2
1.5 ±0.1
1.5±0.05
500
800
最大
3.6
1.9
单位
V
V
V
PP
V
V
兆赫
兆赫
3.15
1.7
模拟输入
见
工作原理
部分信息。
使用寄存器位<ENABLE低速MODE> ，请参阅
串行寄存器映射
部分信息。
与LVDS接口只;建议的最大采样率与CMOS接口为210 MSPS 。
见
多路输出模式
部分信息。
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双通道14位/ 12位， 250 / 210 - MSPS ADC，具有DDR LVDS和并行CMOS输出
1
特点
最大采样速率： 250 MSPS
14位分辨率 - ADS62P49 / ADS62P48
12位分辨率 - ADS62P29 / ADS62P28
总功率： 250 MSPS为1.25W
双倍数据速率（ DDR） LVDS和并行
CMOS输出选项
可编程增益高达6分贝的SNR / SFDR
权衡
直流偏移校正
90分贝串扰
支持输入时钟幅度低至400
mV
PP
迪FF erential
内部和外部参考支持
64 - QFN封装（ 9毫米× 9毫米）
ADS62PXX HIGH SPEED系列
250 Msps的
210 MSPS
ADS62P48
ADS62P28
ADS62C17
200 MSPS
14位家族
12位家族
11位家族
ADS62P49
ADS62P29
描述
该ADS62Px9 / X8是采样速率高达250系列双通道14 - bit和12 - bit的A / D转换器
MSPS 。它结合了高动态性能和低功耗的紧凑型QFN 64封装。这
使得它非常适合于多载波，宽带宽的通信应用。
该ADS62Px9 / X8具有可用于改善SFDR性能较低的满量程输入增益选项
范围。它包括可用于取消ADC失调的直流偏移校正环路。这两个DDR LVDS
（双数据速率）和并行CMOS数字输出接口可用。
它包括内部参考，而传统的基准电压引脚和相关的去耦电容有
被淘汰。然而，该装置也可被驱动与外部参考。所指定的设备被
在工业温度范围（-40° C至85°C ） 。
性能总结
AT 170MHz的输入
SFDR ， dBc的
SINAD ， dBFS的
增益为0 dB
6分贝增益
增益为0 dB
6分贝增益
ADS62P49
75
82
69.8
66.5
1
ADS62P48
78
84
70.1
66.3
0.92
ADS62P29
75
82
68.3
65.8
1
ADS62P28
78
84
68.7
65.8
0.92
模拟功率，W
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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LVDS接口
DRGND
DRVDD
AVDD
AGND
DA0_P/M
DA2_P/M
INA_P
INA_M
数字
和
DDR
串行器
DA4_P/M
DA6_P/M
DA8_P/M
DA10_P/M
DA12_P/M
样品
和
HOLD
14-Bit
ADC
CLKP
CLKM
CLOCKGEN
产量
时钟
卜FF器
CLKOUTP / M
DB0_P/M
DB2_P/M
INB_P
INB_M
样品
和
HOLD
数字
和
DDR
串行器
DB4_P/M
DB6_P/M
DB8_P/M
DB10_P/M
DB12_P/M
VCM
参考
控制界面
SDOUT
14-Bit
ADC
ADS62P49/48
RESET
SCLK
SEN
SDATA
CTRL1
CTRL2
CTRL3
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图1. ADS62P49 / 48框图
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LVDS接口
DRVDD
DRGND
AGND
AVDD
DA0_P/M
DA2_P/M
INA_P
INA_M
数字
和
DDR
串行器
DA4_P/M
DA6_P/M
DA8_P/M
DA10_P/M
样品
和
HOLD
12-Bit
ADC
CLKP
CLKM
CLOCKGEN
产量
时钟
卜FF器
CLKOUTP / M
DB0_P/M
DB2_P/M
INB_P
INB_M
样品
和
HOLD
数字
和
DDR
串行器
DB4_P/M
DB6_P/M
DB8_P/M
DB10_P/M
12-Bit
ADC
VCM
参考
控制界面
SDOUT
ADS62P29/28
RESET
SCLK
SEN
SDATA
CTRL1
CTRL2
CTRL3
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图2. ADS62P29 / 28框图
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封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
包
代号
特定网络版
温度
范围
ECO
计划
(2)
铅/焊球
完
包
记号
AZ62P49
绿色
（ RoHS和
无锑/溴）
AZ62P48
CU镍钯金
AZ62P29
AZ62P28
订购
数
ADS62P49IRGCT,
ADS62P49IRGCR
ADS62P48IRGCT,
ADS62P48IRGCR
ADS62P29IRGCT,
ADS62P29IRGCR
ADS62P28IRGCT,
ADS62P28IRGCR
运输
媒体， QUANTITY
ADS62P49
ADS62P48
QFN-64
ADS62P29
ADS62P28
研资局
-40 ° C至85°C
磁带和卷轴
磁带和卷轴
(1)
(2)
有关最新的产品和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。或
环保计划 - 该计划的环保分级：绿色环保（RoHS和无锑/溴） ： TI定义的“绿色”表示无铅（符合RoHS标准）
和无溴（ Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
电压施加到外部引脚， VCM （外部参考模式）
适用于模拟输入引脚电压 - INP_A ， INM_A ， INP_B ， INM_B
施加到输入端子的电压 - CLKP ， CLKM
SEN ， CTRL1 ， CTRL2 ， CTRL3
T
A
T
J
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
ESD，人体模型
(1)
(2)
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
0.3 V至3.9
0.3 V至2.2
-0.3 0.3
0至3.3
-1.5 1.8
-0.3 2.0
-0.3V至最低（ 3.6 ， AVDD + 0.3V ）
-0.3V至AVDD + 0.3V
-40到85
125
-65到150
2
， RESET ， SCLK ， SDATA ，
T
英镑
存储温度范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM是< | 0.3V | ，这
防止ESD保护二极管在从接通时钟输入管脚。
热特性
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
R
θJA
(2)
测试条件
焊接热垫，没有空气流动
焊接散热垫， 200 LFM
包的底部（散热片）
民
典型值
22
15
0.57
最大
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
θJT
(3)
(1)
(2)
(3)
与JEDEC标准高K板和5x5的阵列通过。请参阅应用信息的裸露焊盘。
R
θJA
是从结到环境的热阻。
R
θJT
是从结到散热垫的热阻。
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推荐工作条件
民
耗材
AVDD
DRVDD
模拟电源电压
数字电源电压
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在CM中的外部基准模式
最大模拟输入频率2 V
pp
输入幅度
(1)
最大模拟输入频率为1 V
pp
输入幅度
时钟输入
输入时钟采样率
ADS62P49 / ADS62P29
ADS62P48 / ADS62P28
使低速模式
(2)
禁止低速模式（复位后默认模式）
使低速模式
禁止低速模式（复位后默认模式）
随着复用模式下启用
(4)
输入时钟幅度差（V
CLKP
–V
CLKM
)
正弦波，交流耦合
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
输入时钟的占空比
数字输出
C
负载
R
负载
T
A
(1)
(2)
(3)
(4)
从每个输出引脚的最大外部负载电容来DRGND
LVDS的输出对之间的差分负载电阻（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
–40
5
100
85
pF
°C
40%
0.2
3
1.6
0.7
3.3
50%
60%
V
PP
V
PP
V
PP
V
1
>100
1
>100
1
100
250
(3)
100
210
65
MSPS
MSPS
MSPS
(1)
典型值
3.3
1.8
2
1.5 ±0.1
1.5±0.05
500
800
最大
3.6
1.9
单位
V
V
V
PP
V
V
兆赫
兆赫
3.15
1.7
模拟输入
见
工作原理
部分信息。
使用寄存器位<ENABLE低速MODE> ，请参阅
串行寄存器映射
部分信息。
与LVDS接口只;建议的最大采样率与CMOS接口为210 MSPS 。
见
多路输出模式
部分信息。
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ADS62P49 / ADS62P29 ADS62P48 / ADS62P28
ADS62P19
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SLAS937 - 2013年4月
双通道， 11位， 250 MSPS ADC，具有DDR LVDS和并行CMOS输出
检查样品：
ADS62P19
1
特点
最大采样速率： 250 MSPS
11位分辨率
总功率： 250 MSPS为1.25W
输出选项：
- DDR LVDS和并行CMOS
可编程增益：
- 最多6个分贝SNR和SFDR权衡
直流偏移校正
相声： 90分贝
支持输入时钟幅度向下
400毫伏
PP
，微分
内部和外部参考支持
包装： 9毫米× 9毫米QFN- 64
描述
该ADS62P19是一个家族的双通道的一部分，
11位模拟 - 数字转换器（ADC ），以
采样速率高达250 MSPS 。该装置
结合了高动态性能和低功耗
在一个紧凑的QFN - 64封装的消耗。这
功能使得设备非常适合于多
载体，高带宽通信的应用程序。
该ADS62P19具有可用于增益选项
改进的无杂散动态范围（ SFDR ）
表现在较低的满量程输入范围。该
装置包括一个直流偏移校正环路，可以是
用于取消ADC失调。两个双数据速率
（ DDR ）低电压差分信号传输（ LVDS ）和
平行互补金属氧化物半导体
（ CMOS ）数字输出接口可供选择。
虽然该设备包括内部的引用文件，其
传统的参考引脚和相关脱钩
电容器被消除。然而，该装置
也可以驱动与外部参考。该
器件工作在工业温度
范围（-40 ° C至+ 85°C ） 。
ADS62Pxx高速家庭
决议
11-bit
12-bit
14-bit
200 MSPS
ADS62C17
—
—
210 MSPS
—
ADS62P28
ADS62P48
250 Msps的
ADS62P19
ADS62P29
ADS62P49
2
表1.性能概要
在170 MHz输入
SFDR ， dBc的
SINAD ， dBFS的
模拟功率，W
增益（dB ）
0
6
0
6
—
ADS62P19
75
82
65.3
64
1
ADS62P28
78
84
68.7
65.8
0.92
ADS62P29
75
82
68.3
65.8
1
ADS62P48
78
84
70.1
66.3
0.92
ADS62P49
75
82
69.8
66.5
1
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS62P19
SLAS937 - 2013年4月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
ADS62P19
ADS62P28
ADS62P29
ADS62P48
ADS62P49
PACKAGE -LEAD
QFN-64
QFN-64
QFN-64
QFN-64
QFN-64
封装标识
研资局
研资局
研资局
研资局
研资局
规定的温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
传输介质
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
价值
电源电压范围
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
DRVDD之间的电压AVDD
电压施加到外部销
电压施加到模拟输入引脚
电压施加到输入引脚
AVDD DRVDD导致在上电和DRVDD
在掉电导致AVDD
DRVDD导致AVDD电期间和AVDD线索
在掉电模式下DRVDD
VCM （外部参考模式）
INP_A ， INM_A ， INP_B ， INM_B
CLKP ， CLKM
(2)
， RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN ， CTRL1 ，
CTRL2 ， CTRL3
工作的自由空气，T
A
温度范围
工作结，T
J
存储，T
英镑
静电放电（ ESD ）额定值
人体模型（ HBM ）
AVDD
DRVDD
0.3 V至3.9
0.3 V至2.2
-0.3 0.3
-0.3 4.2
-2.5 1.7
-0.3 2.0
-0.3为最小（ 3.6 ， AVDD + 0.3 ）
-0.3至AVDD + 0.3
-40至+85
+125
-65到+150
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
当AVDD被关闭， TI建议切断输入时钟（或确保在CLKP的电压， CLKM是< | 0.3 V |）。这
设置可防止ESD保护二极管，在转动的时钟输入引脚。
热信息
ADS62P19
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
RGC包装
64针
23.0
10.5
4.2
0.1
4.2
0.57
° C / W
单位
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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ADS62P19
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推荐工作条件
民
耗材
AVDD
DRVDD
模拟电源电压
数字电源电压
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在CM中的外部基准模式
最大模拟输入
频率
时钟输入
禁止低速模式（复位后默认模式）
输入时钟采样率
低速模式下启用
(3)
随着复用模式下启用
正弦波，交流耦合
输入时钟振幅
迪FF erential
(V
CLKP
– V
CLKM
)
(5) (6)
输入时钟的占空比
数字输出
C
负载
R
负载
T
A
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
从每个输出引脚的最大外部负载电容来DRGND
LVDS的输出对之间的差分负载电阻（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
–40
5
100
85
pF
°C
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
40%
(4)
典型值
3.3
1.8
2
1.5 ± 0.1
1.5 ± 0.05
最大
3.6
1.9
单位
V
V
V
PP
V
V
兆赫
兆赫
3.15
1.7
模拟输入
与2 -V
pp
输入幅度
与1 -V
pp
输入幅度
(1)
(1)
500
800
> 80
1
1
0.2
1.5
1.6
0.7
3.3
50%
60%
250
(2)
80
65
MSPS
MSPS
MSPS
V
PP
V
PP
V
PP
V
见
工作原理
部分信息。
与LVDS接口只;建议的最大采样率与CMOS接口为210 MSPS 。
使用Enable低速模式寄存器位;参阅
串行寄存器映射
部分信息。
见
多路输出模式
部分信息。
请参阅
图25 。
请参阅
图1
对于时钟振幅的定义。
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ADS62P19
3
ADS62P19
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电气特性：一般
典型值是在T
A
= + 25 ° C， AVDD = 3.3 V ， DRVDD = 1.8 V ， 50 ％时钟占空比， -1 - dBFS的差分模拟输入，
和内部基准模式中，除非另有说明。
最小值和最大值是在整个T的整个温度范围内
民
= -40°C至T
最大
= + 85°C ， AVDD = 3.3 V ，和
DRVDD = 1.8 V.
参数
模拟量输入
V
ID
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻
差分输入电容
模拟输入带宽
模拟输入共模
当前
VCM
VCM
E
O
共模输出电压
输出电流能力
偏移误差
偏移量的温度系数
错误
与偏移误差的变化
供应
增益误差的两个来源：内部
参考误差和通道
增益误差
E
GREF
E
GCHAN
增益误差由内部产生
单独参考不准确
单独通道增益误差
(1)
温度COEF网络cient
E
GCHAN
(2)
测试条件
0 dB增益
在DC ，看看
图45
SEE
图46
与25 Ω源阻抗
每通道
民
典型值
2
>1
3.5
700
3.6
1.5
±4
最大
单位
V
PP
M
pF
兆赫
μA / MSPS
V
mA
DC精度
–20
±2
0.02
0.5
20
mV
毫伏/°C的
mV / V的
–1
–1
±0.2
±0.2
0.002
1
1
％ FS
％ FS
Δ%/°C
增益匹配
差异在两者之间的增益误差
在同一设备内的信道
差异在两者之间的增益误差
在两个设备渠道
–2
–4
2
4
％ FS
％ FS
电源
IAVDD
模拟电源电流
LVDS接口， 100 Ω的外部
终止
CMOS界面，女
IN
= 2兆赫，女
S
= 210 MSPS ，
无外部负载电容
(3) (4)
LVDS接口
305
133
91
1.01
0.24
45
1.15
0.315
100
350
175
mA
mA
mA
W
W
mW
IDRVDD
输出缓冲器的电源电流
AVDD
DVDD
模拟电源
数字电源
全球掉电
(1)
(2)
(3)
(4)
此参数由设计和特性指定的;在生产中测试。
对于同一设备内的两个信道，只有信道增益误差问题，因为参考是常见的两个通道。
在CMOS模式中， DRVDD当前鳞用的采样频率，在输出引脚的负载电容，输入频率，并且
电源电压（见
图31
和
CMOS接口功耗
在节
应用信息） 。
最大DRVDD电流的CMOS接口依赖于数字输出线的实际负载电容。需要注意的是
每个数字输出线路最大推荐负载电容为10pF 。
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ADS62P19
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电气特性： ADS62P19
典型值是在T
A
= + 25 ° C， AVDD = 3.3 V ， DRVDD = 1.8 V ， 50 ％时钟占空比， -1 - dBFS的差分模拟输入，
0 -dB的增益，和内部基准模式中，除非另有说明。最小值和最大值是在整个
的T温度范围
民
= -40°C至T
最大
= + 85°C ， AVDD = 3.3 V ，而DRVDD = 1.8 V.
参数
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
= 60 MHz的
SNR
信噪比，LVDS
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 230兆赫
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
= 60 MHz的
SINAD
信号对噪声和失真比
LVDS
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 230兆赫
ENOB
DNL
INL
有效位数
微分非线性
集成非线性
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
= 60 MHz的
无杂散动态范围
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
SFDR
f
IN
= 230兆赫
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
= 60 MHz的
无杂散动态范围
（不包括HD2 ， HD3 ）
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 230兆赫
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
= 60 MHz的
HD2
二阶谐波失真
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 230兆赫
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
= 60 MHz的
HD3
三阶谐波失真
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 230兆赫
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
= 60 MHz的
THD
总谐波失真
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 230兆赫
IMD
双音互调失真
相声
输入过载恢复
PSRR
AC电源抑制比
f
1
= 46兆赫，女
2
= 50 MHz时，每个音在-7 dBFS的
f
1
= 185兆赫，女
2
= 190 MHz时，每个音在-7 dBFS的
高达200 MHz的高频串扰
恢复到1％以内（最终值）为6 dB的过载
与正弦波输入
对于100 mV的
PP
对AVDD电源信号
68
69.5
69.5
75
69.5
–0.6
0 dB增益
6 dB增益
63.5
0 dB增益
6 dB增益
64.5
测试条件
民
典型值
66.5
66.4
66.1
65.9
64.1
65.4
66.5
66.3
65.9
65.3
64
65.2
10.6
±0.1
±0.5
89
85
78
75
77
98
95
88
88
87
93
90
90
85
85
89
85
78
75
77
87
83.5
77.5
74
75
87
85
90
1
25
±2.5
最大
单位
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
最低位
最低位
最低位
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBFS的
dBFS的
dB
时钟
周期
dB
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ADS62P19
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