ADS61B23
www.ti.com
SLAS582 - 2008年2月
12位， 80 MSPS ，提供缓冲模拟输入ADC
1
特点
最大采样速率： 80 MSPS
12位分辨率，无失码
缓冲模拟输入，
- 极低的输入电容（ < 2 pF的）
- 高直流电阻（ 5千欧）
82 dBc的SFDR和70 dBFS的SNR
（ -1 dBFS的还是1.8 Vpp的输入）
85 dBc的SFDR （ -6 dBFS的或1 Vpp的输入）
3.5分贝粗增益和高达6分贝
可编程增益精细的SNR和SFDR
权衡
并行CMOS和双数据速率（ DDR ）
LVDS输出选项
支持正弦， LVCMOS ， LVPECL ， LVDS时钟
输入时钟振幅为400 mV
PP
时钟占空比稳定器
内部参考与支持外部
参考
外部去耦消除了参考
可编程输出时钟的位置，并
驱动强度来简化数据采集
3.3 V模拟和1.8 V至3.3 V数字电源
32引脚QFN封装（ 5毫米
×
5 mm)
引脚兼容的12位家庭（ ADS612X ）
温度范围：-40 ° C至85°C
描述
ADS61B23是一个12位A / D转换器（ ADC ）与
80 MSPS最高采样频率。它
结合了高性能和低功耗
在一个紧凑的32 - QFN封装的消耗。该
模拟输入缓冲器使用，以隔离开关
内部采样&的瞬变从持有
外部驱动电路。目前缓冲输入
极低的输入电容（ <为2pF ） &宽的带宽。
这使得它很容易在高输入驱动它们
的频率，与没有输入的ADC
缓冲区。
ADS61B23具有的粗，细增益选项
用于改善SFDR性能较低
满量程模拟输入范围。
数字数据输出并行CMOS或DDR
LVDS （双数据速率） 。几个特性存在
简化数据采集，控制输出时钟的位置
和输出缓冲器驱动强度，外加LVDS电流
和内部终端可编程性。
输出接口类型，增益等功能
采用三线式串行接口进行编程。
或者，其中的一些功能被配置
使用专用的圆柱销，使设备在启动
上电后的理想状态。
ADS61B23包括内部参考，而
省去了传统的参考引脚和
相关的外部去耦。外部参考
模式也支持。
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
测试和测量仪器
高德网络nition视频
医学影像
雷达系统
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2008 ，德州仪器
ADS61B23
SLAS582 - 2008年2月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
DRGND
DRVDD
CLOCKGEN
CLKP
CLKM
AGND
AVDD
CLKOUT
D0
类似物
卜FF器
INP
SHA
INM
12-Bit
ADC
D1
D2
D3
数字
编码器
和
串行器
D4
CMOS
产量
卜FF器
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
VCM
参考
控制
接口
ADS61B23
SEN
RESET
SCLK
SDATA
CMOS模式
B0290-01
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
ADS61B23
2008 ，德州仪器
ADS61B23
www.ti.com
SLAS582 - 2008年2月
封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
QFN-32
(2)
包
代号
RHB
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
包
记号
AZ61B23
订购
数
ADS61B23IRHBT
ADS61B23IRHBR
传输介质，
QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
ADS61B23
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
有关封装散热焊盘的大小，看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 34
° C / W
（0 LFM空气流） ，
θ
JC
= 30
° C / W
用2盎司的时候使用。铜走线和焊盘直接焊在JEDEC标准4层3
×
3 （ 7.62厘米
×
7.62厘米）印刷电路板。
绝对最大额定值
(1)
价值
V
I
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
应用于VCM引脚（外部参考模式）电压
电压施加到模拟输入引脚， INP和INM
电压施加到模拟输入引脚， CLKP和CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
-0.3 3.9
-0.3 3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 2
-0.3为最小（ 3.6 ， AVDD + 0.3 ）
-0.3至（ AVDD + 0.3 ）
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2008 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
ADS61B23
3
ADS61B23
www.ti.com
SLAS582 - 2008年2月
电气特性
典型值是在25 ° C， AVDD = 3.3 V ， DRVDD = 1.8 3.3 V ，采样频率= 80 MSPS ， -1 dBFS的规定
差分模拟输入（ 1.8Vpp ） ，内部基准模式&适用于CMOS和LVDS接口，除非另有说明。
最小值和最大值均在整个温度范围T指定
民
= -40°C至T
最大
= 85 ℃， AVDD = 3.3 V ， DRVDD =
3.3 V.
参数
决议
模拟量输入
迪FF erential输入电压范围
每个输入引脚输入对地电阻（在直流）
SEE
图32
从每个输入引脚输入对地电容
SEE
图33
模拟输入带宽
参考电压
VREFB
VREFT
ΔV
REF
DC精度
无失码
E
O
偏移误差
失调误差温度系数
有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差
E
GREF
E
GCHAN
DNL
INL
电源
I
AVDD
I
DRVDD
模拟电源电流
数字电源电流，
CMOS
接口
DRVDD = 1.8V
无负载电容，女
IN
= 2 MHz的
(2)
数字电源电流，
LVDS
接口
DRVDD = 3.3V
100
外部端子
总功率
CMOS
全球掉电
104
4.5
mA
mA
增益误差是由于内部基准不准确独自一人， （ ΔV
REF
) %
单独通道增益误差
(1)
通道增益误差温度系数
微分非线性
积分非线性
–0.75
–3
–2
–1
0.25
± 0.3
0.005
± 0.5
±1
2
3
2
1
％ FS
％ FS
Δ%/°C
最低位
最低位
–10
特定网络版
±2
0.05
10
mV
毫伏/°C的
内部参考电压底部
内部基准电压最高
内部基准误差（ VREFT - VREFB ）
–20
1
2
±5
20
V
V
mV
2
5
<2
> 800
V
PP
k
pF
兆赫
ADS61B23
F
S
= 80 MSPS
民
典型值
12
最大
位
单位
I
DRVDD
42
351
30
475
60
mA
mW
mW
(1)
(2)
这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。
在CMOS模式下， DRVDD电流扩展的采样频率和输出引脚的负载电容（见
图26）。
2008 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
ADS61B23
5
QQ：2880707522 复制
