特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 90纳秒
内部控制程序和定时器
8K字节的引导块，带锁定功能
快速擦除周期 - 10秒
逐字节编程 - 50微秒/字节
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49F020是5伏只有在系统的Flash存储器。其2兆的内存
由8位， 262,144字。 Atmel的先进制造nonvola-
瓷砖CMOS技术，该器件具有存取时间为90 ns的同时功耗
仅275毫瓦在商用温度范围。当该装置是dese-
lected中，CMOS待机电流小于100
A.
以允许简单的系统重新编程，该AT49F020不需要高
输入电压进行编程。五伏，只命令确定读和
该装置的编程操作。读数据从器件中是类似
阅读来自EPROM 。重新编程AT49F020被擦除执行
整个2兆比特的存储器中，然后进行编程上的逐字节的基础。字节
（续）
2-Megabit
（ 256K ×8 ）
5伏只有
FL灰内存
AT49F020
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A17
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
PLCC顶视图
A12
A15
A16
NC
VCC
WE
A17
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
TSOP顶视图
类型1
DIP顶视图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
牧师0567C -九十八分之一十
1
编程时间是50快
s.
一个节目结束
周期可以由数据轮询任选检测为特色的
真实存在。一旦一个字节编程周期结束时已
检测到的，用于读出或编程一个新的访问可以开始。
程序的典型数目和擦除周期是在
超过10,000次。
可选的8K字节的引导块部分包括重现
编程写入锁定功能，提供数据完整性。
引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区是perma-
nently保护被重新编程。
框图
VCC
GND
OE
WE
CE
数据输入/输出
I / O0 - I / O7
OE ， CE和WE
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
主内存
（ 248K字节）
可选的引导
块（ 8K字节）
3FFFF
02000
01FFF
00000
Y译码
地址
输入
X解码器
设备操作
阅读：
该AT49F020访问像EPROM 。当
CE及OE为低和WE为高电平时，存储在所述数据
由地址引脚决定的存储器位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-
化。
删除：
前一个字节可以被重新编程，在256K
字节的存储器阵列（或248K字节，如果引导块为特色的
捕获的原始图像时） ，必须擦除。的擦除状态
存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以是
通过使用一个6字节的软件代码擦除一次。该
软件芯片擦除代码由6个字节负载的COM
mands到特定地址的位置与特定的数据
模式（请参阅芯片擦除周期波形） 。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置
将内部时间的擦除操作，使得没有外部
时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间
整个芯片为t
EC
。如果引导块锁定功能有
被启用，在引导扇区中的数据不会被
删除。
字节编程：
一旦存储器阵列是
擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的
逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能
程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组
用vert “0”到“1” 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线周期
运行（请参考命令定义的表）。
该设备将自动生成所需的内部
编程脉冲。
该项目周期有锁的下落地址
边WE或CE认证，去年为准，而数据
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准
第一。编程是指定的T完成后，
BP
周期
时间。的数据查询功能，也可以使用，从而提供与
泄漏一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
设备
具有包含编程锁定一指定块
功能。此功能可以防止数据的编程，在
一旦该功能指定块已经被启用。该
该块的大小为8K字节。此块中，被称为
引导块，可以包含用于调出的安全码
该系统。启用锁定功能将允许启动
代码留在设备，而数据的其余部分
更新设备。该功能没有被爱科特
氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是
可选给用户。引导块的地址范围是
00000H到01FFFH 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据可以
不再被擦除或编程。在主数据
存储器块还是可以通过常规的亲变
编程方法。要激活锁定功能，一系列
六个程序命令，以它特有的具体地址
cific数据必须被执行。请参见命令
定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否启动的程序设计
块部分被锁定。当该设备处于软
洁具产品标识模式（见软件产品
识别进入和退出的部分） ，从地址读
位置00002H将显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I / O0的数据为高，程序锁相
出功能已被激活，并且该块不能
2
AT49F020
AT49F020
编程。软件产品标识码
应使用以返回到标准操作。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49F020特征的数据轮询
表明一个程序循环的结束。在节目
周期的最后一个字节的企图读取加载会导致
加载的数据的有关I / O 7的补码。一旦亲
克周期已经完成，真正的数据是对所有有效
输出和下一个周期可以开始。数据可能投票
该程序周期内随时开始。
触发位：
除了数据轮询AT49F020
提供了另一种方法，用于确定一个亲的端
克或擦除周期。在编程或擦除操作，
连续尝试读出的数据从该装置将导致
在I / O6 1和0之间切换。一旦程序
周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据
将被读出。检查触发位可以随时开始
在一个程序循环。
硬件数据保护：
硬件特性
防止在无意中程序的AT49F020
以下方式：（1 ）V
CC
某种意义上，如果V
CC
低于3.8V
（典型值） ，该程序的功能是抑制; （二）项目
抑制控股OE低，CE中的任何一个高或WE高
抑制方案周期;及（c ）噪声滤波器的脉冲少
超过15纳秒（典型值）的WE或CE的投入，将不会启动
一个程序循环。
命令定义（十六进制）
命令
顺序
公共汽车
周期
第一巴士
周期
ADDR
读
芯片擦除
字节
节目
BOOT BLOCK
封锁
(1)
产品编号
条目
产品编号
出口
(2)
产品编号
出口
(2)
注意事项：
1
6
4
6
3
3
1
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
XXXX
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
F0
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
55
55
55
55
55
5555
5555
5555
5555
5555
80
A0
80
90
F0
5555
ADDR
5555
AA
D
IN
AA
2AAA
55
5555
40
2AAA
55
5555
10
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
1. 8K字节的引导扇区有地址范围00000H到01FFFH 。
2.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
3
直流和交流工作范围
AT49F020-90
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F020-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F020-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
读
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
五金
V
IL
V
IL
V
IH
A1 - A17 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IL
A1 - A17 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IH
A0 = V
IL
， A1 - A17 = V
IL
A0 = V
IH
， A1 - A17 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
软件
(5)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
4.制造商代码： 1FH ，设备代码： 0BH 。
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC(1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
COM 。
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
IND 。
民
最大
10
10
100
300
3
50
0.8
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
2.0
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
0.45
V
V
V
注意：
1.在擦除模式中，我
CC
为90毫安。
4
AT49F020
AT49F020
AC阅读特点
AT49F020-90
符号
t
加
t
CE(1)
t
OE(2)
t
DF(3)(4)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE到输出的浮动
从OE ，CE输出保持或
地址，以先发生
0
0
0
民
最大
90
90
40
25
0
0
0
AT49F020-12
民
最大
120
120
50
30
0
0
0
AT49F020-15
民
最大
150
150
70
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
AC读波形
(1)(2)(3)(4)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
CE可能会延迟到t
加
- t
CE
没有对T的影响地址转换后，
加
.
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
或用t
加
- t
OE
地址变更后
没有对T的影响
加
.
t
DF
从以先到为准OE或CE （ CL = 5 pF）的规定。
这个参数的特点，而不是100％测试。
输入测试波形和
测量级别
输出测试负载
t
R
, t
F
＆ LT ; 5纳秒
引脚电容
F = 1MHz时， T = 25℃
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意：
典型值
4
8
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1.此参数的特点，而不是100％测试。
5
QQ：2880707522 复制
