ADS4229
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SBAS550A
–
2011年6月
–
经修订的2011年10月
双通道， 12位， 250 MSPS的超低功耗ADC
检查样品：
ADS4229
1
特点
最大采样速率： 250 MSPS
超低功耗单1.8 V电源：
–
545 - mW的总功耗为250 MSPS
高动态性能：
–
80 dBc的无杂散动态范围在170兆赫
–
69.8 - dBFS的SNR为170 MHz的
串扰：
＆ GT ;
90分贝在185兆赫
可编程增益高达6分贝
SNR / SFDR权衡
直流偏移校正
输出接口选项：
–
1.8 V CMOS并行接口
–
双倍数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程摇摆：
–
标准Swing ： 350毫伏
–
低摆幅： 200毫伏
支持低输入时钟幅度
下降到200毫伏
PP
包装： 9毫米
×
9毫米， 64引脚四方扁平
无引线（ QFN ）封装
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
23
描述
该ADS4229是ADS42xx的成员
双通道的超低功率家族， 12位/ 14位
模拟 - 数字转换器（ADC ） 。创新
设计技术来实现高动态
性能，而功耗极低的功耗
以1.8 V电源。这种拓扑结构使
ADS4229非常适合用于多载波，宽带宽
通信应用。
该ADS4229具有可用于增益选项
改善SFDR性能较低的满量程输入
范围。此装置还包括一个直流偏置
这可用于抵消了ADC校正环
抵消。这两个DDR LVDS和并行CMOS数字
输出接口都在一个紧凑的QFN -64可用
使用PowerPad 封装。
该装置包括当内部参考
传统的参考引脚和相关脱钩
电容器已被淘汰。该ADS4229是
在整个工业温度范围
（ -40 ° C至+ 85°C ） 。
ADS424x / 2X系列的比较
(1)
65 MSPS
ADS422x
12位家族
ADS424x
14位家族
(1)
ADS4222
ADS4242
125 MSPS
ADS4225
ADS4245
160 MSPS
ADS4226
ADS4246
250 Msps的
ADS4229
ADS4249
SEE
表1
对于从迁移的详细信息
ADS62P49
家庭。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS4229
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–
2011年6月
–
经修订的2011年10月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
ADS4229
套餐 -
领导
QFN-64
包
代号
研资局
特定网络版
温度
范围
–40°C
至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
铅/焊球
完
铜/镍钯金
包
记号
AZ4229
ADS4229IRGCR
磁带和卷轴
订购
数
ADS4229IRGCT
传输介质
磁带和卷轴
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
生态规划是计划的环保分级。绿色环保（RoHS ，无锑/溴） ： TI定义
绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
该ADS4229引脚兼容与上一代ADS62P49数据转换器;这种类似的架构
能够轻松迁移。但是，也有两个设备世代之间的重要差别，
在总结
表1中。
表1.从ADS62P49迁移
ADS62P49家庭
引脚
销22是NC（未连接）
引脚38和58 DRVDD
引脚39和59 DRGND
供应
AVDD为3.3 V
DRVDD为1.8 V
输入共模电压
VCM为1.5 V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器中的数据
外部参考
支持
不支持
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
VCM是0.95 V
AVDD为1.8 V
没有变化
引脚22为AVDD
引脚38和58是NC （不连接，必须浮动）
引脚39和59 NC （不连接，必须浮动）
ADS4229
2
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–
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绝对最大额定值
(1)
ADS4229
民
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
INP_A ， INM_A ， INP_B ， INM_B
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN ，
CTRL1 ， CTRL2 ， CTRL3
工作的自由空气的温度范围内，T
A
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD额定值
(1)
(2)
人体模型（ HBM ）
–65
–0.3
–0.3
–0.3
–2.4
–2.4
–0.3
–0.3
–0.3
–40
最大
2.1
2.1
0.3
2.4
2.4
最低
（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
AVDD + 0.3
3.9
+85
+125
+150
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM小于| 0.3 V |）。
这种结构防止了静电保护二极管在从接通时钟输入管脚。
热信息
ADS4229
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
研资局
64针
23.9
10.9
4.3
0.1
4.4
0.6
° C / W
单位
版权
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
ADS4229
参数
耗材
模拟电源电压AVDD
数字供电电压， DRVDD
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
最大模拟输入频率与2 -V族
PP
输入幅度
(1)
最大模拟输入频率与1 -V族
PP
输入幅度
时钟输入
输入时钟采样率
低速模式下启用
(2)
低速模式下被禁用
(2)
(1)
民
1.7
1.7
喃
1.8
1.8
2
最大
1.9
1.9
单位
V
V
V
PP
V
兆赫
兆赫
VCM
±
0.05
400
600
1
（默认情况下复位后）
正弦波，交流耦合
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
80
0.2
1.5
1.6
0.7
1.5
35
40
50
50
5
100
–40
80
250
MSPS
MSPS
V
PP
V
PP
V
PP
V
输入时钟振幅差
(V
CLKP
–
V
CLKM
)
输入时钟的占空比
低速模式下被禁用
低速模式下启用
数字输出
65
60
%
%
pF
Ω
每个输出引脚DRGND ， C最大外部负载电容
负载
LVDS的输出对之间的差的负载电阻（LVDS模式）中，R
负载
经营自由的空气温度，T
A
(1)
(2)
见
工作原理
应用程序信息的部分。
见
串行接口配置
部分以编程低速模式的详细信息。
+85
°C
高性能模式
(1) (2)
参数
高性能模式
描述
设置在HIGH PERF MODE [ 2:1 ]寄存器位，以获得跨越采样时钟和输入信号的最佳性能
频率。
注册地址= 03H ，数据= 03H
设置高FREQ MODE CH A和HIGH FREQ MODE CH B寄存器位高输入信号频率
超过200 MHz的更大。
注册地址= 4Ah可，数据= 01H
注册地址= 58H ，数据= 01H
设置在HIGH PERF MODE [ 2：7 ]位，以获得在输入信号频率的最佳性能为采样
率大于160 MSPS 。
需要注意的是这种模式从0.95 V.其默认值更改VCM为0.87 V
注册地址= 2H ，数据= 40H
注册地址= D5H ，数据= 18H
注册地址= D7H ，数据= 0CH
注册地址=胸径，数据= 20H
高频模式
高速模式
(1)
(2)
它建议使用这些模式，以获得最佳的性能。
见
串行接口配置
部分对寄存器编程的详细信息。
4
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电气特性： ADS4229
典型值为+ 25 ° C， AVDD = 1.8 V ， DRVDD = 1.8 V ， 50 ％时钟占空比，
–1
dBFS的差分模拟输入， LVDS
接口，和0 - dB增益，除非另有说明。最小值和最大值是在整个温度范围：
T
民
=
–40°C
给T
最大
= + 85°C ， AVDD = 1.8 V ，而DRVDD = 1.8 V.
ADS4229 （ 250 MSPS ）
参数
决议
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
± 70兆赫
信噪比
SNR
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170 MHz时， 0 dB增益
f
IN
= 170 MHz的3 dB增益
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
± 70兆赫
信号 - 噪声和
失真率
SINAD
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170 MHz时， 0 dB增益
f
IN
= 170 MHz的3 dB增益
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
± 70兆赫
无杂散动态
范围
SFDR
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170 MHz时， 0 dB增益
f
IN
= 170 MHz的3 dB增益
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
± 70兆赫
总谐波失真
THD
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170 MHz时， 0 dB增益
f
IN
= 170 MHz的3 dB增益
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
± 70兆赫
二次谐波
失真
HD2
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170 MHz时， 0 dB增益
f
IN
= 170 MHz的3 dB增益
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
± 70兆赫
第三谐波失真
HD3
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170 MHz时， 0 dB增益
f
IN
= 170 MHz的3 dB增益
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 20 MHz的
f
IN
± 70兆赫
最差杂散
（比第二和第三谐波等）
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170 MHz时， 0 dB增益
f
IN
= 170 MHz的3 dB增益
f
IN
= 300 MHz的
双音互调
失真
f
1
= 46兆赫，女
2
= 50 MHz时，
每个音调的
–7
dBFS的
f
1
= 185兆赫，女
2
= 190兆赫，
每个音调的
–7
dBFS的
77
71
71
69.5
71
65
65.5
70.5
70.3
70.1
69.8
67.8
68.2
70
69.7
69.8
69.1
67.5
67.6
80
79
82
80
81
77
78
77
79
76
78
75
80
79
81
80
81
76
85
87
96
80
87
84
92
95
94
93
92
89
98
84
测试条件
民
典型值
最大
12
单位
位
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBFS的
dBFS的
IMD
版权
2011年，德州仪器
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