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高速，双通道，

4 MOSFET驱动器

ADP3654

特点

工业标准兼容的引脚排列

高电流驱动能力

精确的UVLO比较器迟滞

3.3 V兼容输入

10 ns典型上升时间和下降时间2.2 nF的负载

通道间匹配传播延迟

快速传播延迟

4.5 V至18 V的电源电压

并联双输出

额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C的结温

散热增强型封装， 8引脚SOIC_N_EP和8引脚

MINI_SO_EP

概述

该ADP3654高电流和双高速驱动器能够

驱动两个独立的N沟道功率MOSFET 。该

驱动器采用业界标准的占位面积，但增加了高速

开关性能。

在很宽的输入电压范围允许驾驶员兼容

用模拟和数字PWM控制器。

数字电源控制器从低电压电

供给，并且所述驱动器被从高电压电源供电。

该ADP3654驱动程序将UVLO和滞后功能，

允许的电源电压更高的安全启动和关机

具有低电压数字控制器配合使用时。

驱动程序增强散热SOIC_N_EP提供

MINI_SO_EP包装，以最大限度地提高高频和

电流开关在一个小的印刷电路板（PCB）面积。

应用

的AC到DC开关模式电源

直流 - 直流电源

同步整流

电机驱动

功能框图

ADP3654

INA

OUTA

保护地

UVLO

VDD

INB

OUTB

09054-001

图1 。

第0版

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ADP3654

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

时序图................................................ .......................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 4

ESD注意事项................................................ .................................. 4

引脚配置和功能说明............................. 5

典型性能特征............................................. 6

测试电路................................................ ......................................... 8

工作原理............................................... .......................... 9

输入驱动要求（ INA和INB ） ................................ 9

低端驱动器（ OUTA ， OUTB ） ......................................... 9 ....

供应电容的选择............................................... ........... 9

PCB布局考虑............................................... .......... 9

并联运行................................................ ...................... 10

散热注意事项................................................ ............ 10

外形尺寸................................................ ....................... 12

订购指南................................................ .......................... 12

修订历史

8月10日 - 修订版0 ：初始版

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ADP3654

特定网络阳离子

= 12 V ，T

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

供应

电源电压范围

电源电流

UVLO

导通阈值电压

关断阈值电压

迟滞

数字输入（ INA ， INB ）

输入电压高

输入电压低

输入电流

内部上拉/下拉电流

输出（ OUTA ， OUTB ）

输出电阻，无偏

峰源电流

峰值灌电流

开关时间

OUTA和OUTB上升时间

OUTA和OUTB下降时间

OUTA和OUTB瑞星传输延迟

OUTA和OUTB下降沿传输延迟

通道之间的延迟匹配

符号

UVLO开启

UVLO_OFF

测试条件/评论

民

4.5

典型值

最大

4.5

4.3

单位

μA

kΩ

无开关

上升，T

= 25 ° C，参见图3

下降，T

= 25 ° C，参见图3

3.8

3.5

1.2

4.2

3.9

0.3

见图2

0 V＆ LT ; V

＆ LT ; V

2.0

0.8

+20

VDD = PGND

见图14

上升

秋天

负载

= 2.2 nF的，参见图2

负载

= 2.2 nF的，参见图2

负载

= 2.2 nF的，参见图2

负载

= 2.2 nF的，参见图2

所有的极限温度下，通过使用标准的统计质量控制（ SQC ）方法的相关保证。

时序图

INA ，

INB

上升

秋天

90%

OUTA ，

OUTB

10%

90%

10%

图2.输出时序图

UVLO开启

UVLO_OFF

UVLO模式

输出禁用

正常工作

UVLO模式

输出禁用

图3. UVLO功能

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09054-003

09054-002

ADP3654

绝对最大额定值

表2中。

参数

VDD

OUTA ， OUTB

<200 NS

INA ， INB

ESD

人体模型（ HBM ）

场感应带电器件模型

（ FICDM ）

SOIC_N_EP

MINI_SO_EP

， JEDEC 4层板

SOIC_N_EP

MINI_SO_EP

结温范围

存储温度范围

焊接温度

焊接（ 10秒）

气相（60秒）

红外（ 15秒）

等级

0.3 V至+20 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

-2 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

3.5千伏

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

ESD警告

1.5千伏

1.0千伏

59°C/W

43°C/W

-40 ° C至+ 150°C

-65 ° C至+ 150°C

300°C

215°C

260°C

根据JEDEC标准JESD51-2 ， JESD51-5和JESD51-7被测量，如

适当的与暴露的焊盘焊接到PCB上。

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ADP3654

引脚配置和功能描述

INA

OUTA

顶视图

保护地

（不按比例）

VDD

INB

OUTB

笔记

1. NC =无连接。

2.封装的裸露焊盘不直接

连接到封装的任何密码，但它是

电和热连接到芯片

基板上，这是设备的接地。 IT IS

建议有裸露焊盘和

PGND引脚连接在PCB上。

ADP3654

图4.引脚配置

表3.引脚功能描述

PIN号

助记符

INA

保护地

INB

OUTB

VDD

OUTA

EPAD

描述

无连接。

输入引脚通道栅极驱动器。

地面上。该引脚应紧密结合功率MOSFET的源极。

输入引脚通道B栅极驱动器。

输出引脚通道B栅极驱动器。

电源电压。绕过这个引脚用一个 1 μF PGND到5 μF陶瓷电容。

输出引脚通道栅极驱动器。

无连接。

裸露焊盘。封装的裸焊盘不直接连接到封装的任何引脚，但它是

电和热连接到所述管芯衬底，这是该装置的接地。建议

具有裸露焊盘和PGND引脚连接在PCB上。

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