APTM10DAM02
升压斩波
MOSFET功率模块
VBUS
CR1
V
DSS
= 100V
R
DSON
= 2.25mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 495A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
OUT
特点
Q2
G2
S2
0/VBUS
好处
S2
G2
VBUS
0/VBUS
OUT
功率MOS V
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-6
APTM10DAM02-版本0 2005年5月
最大额定值
100
495
370
1900
±30
2.5
1250
100
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
APTM10DAM02
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 100V
V
GS
= 0V,V
DS
= 80V
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 200A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 10毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
2.25
2
最大
400
2000
2.5
4
±400
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 50V
I
D
= 400A
电感式开关
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 66V
I
D
= 400A
R
G
= 1.25
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 66V
I
D
= 400A ，R
G
=1.25
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 66V
I
D
= 400A ，R
G
= 1.25
民
典型值
40
15.7
5.9
1360
240
720
160
240
500
160
2.2
2.41
2.43
2.56
最大
单位
nF
nC
ns
mJ
mJ
E
on
包括二极管的反向恢复。
按照JEDEC标准JESD24-1 。
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
民
200
典型值
最大
750
1000
单位
V
A
A
V
ns
nC
APTM10DAM02-版本0 2005年5月
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=200V
占空比为50％
I
F
= 400A
I
F
= 800A
I
F
= 400A
I
F
= 400A
V
R
= 133V
的di / dt = 800A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
400
1
1.4
0.9
60
110
800
3360
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2-6
APTM10DAM02
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
民
典型值
最大
0.1
0.14
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
包装外形
（单位：mm ）
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3-6
APTM10DAM02-版本0 2005年5月
APTM10DAM02
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.12
热阻抗（ ℃/ W）
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
480
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 15V ， 10V & 9V
2500
I
D
，漏电流（ A）
2000
1500
Transfert特点
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
400
320
240
160
80
0
8V
1000
7V
500
0
0
4
8
12
16
20
6V
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
24
28
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS （ ON）
VS漏电流
1.2
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 200A
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
1
7
R
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
直流漏电流与外壳温度
500
400
300
200
100
0
1.1
V
GS
=10V
1
0.9
0.8
0
100
200
300
400
500
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=20V
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
APTM10DAM02-版本0 2005年5月
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4-6
APTM10DAM02
RDS （ ON） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
西塞
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 200A
10000
受
R
DSON
1000
100s
1ms
10ms
100
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
1
V
GS
，门源电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
400
800
1200
1600
2000
栅极电荷（ NC）
V
DS
=50V
V
DS
=80V
I
D
=400A
T
J
=25°C
V
DS
=20V
C，电容（pF ）
科斯
10000
CRSS
1000
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
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