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ADP3211 , ADP3211A
7位,可编程,
单相,同步
降压控制器
该ADP3211是一种高效,单相,同步
降压型开关稳压控制器。凭借其集成的驱动程序,
ADP3211是用于将笔记本电脑的电池电压优化
要求高性能英特尔芯片的电源电压。一
内部7位DAC被用来直接从所述读出的VID码
芯片组或CPU和设置GMCH渲染电压或CPU
从0V到1.5V的范围内的核心电压的值
该ADP3211使用多模式的体系结构。它提供
可编程开关频率,可以进行最优化
效率取决于输出电流要求。此外,
该ADP3211包含一个可编程负载线斜率功能
调节输出电压作为负载电流的函数,以使
核心电压总是最佳地定位成用于负载瞬变。该
ADP3211还提供了精确和可靠的过载电流
保护和延迟的电源良好输出。该IC支持
上以飞由芯片组请求( OTF)的输出电压的变化。
该ADP3211具有1.1V的用于IMVP- 6.5的引导电压
应用程序在CPU模式。该ADP3211A具有一个引导电压
1.2 V在CPU模式。
该ADP3211工作在扩展商业级温度
范围
10°C
至100℃ ,并在32引脚的QFN可用。
特点
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1
32
QFN32
MN后缀
CASE 488AM
标记图
1
xxxxxx
xxxxxx
AWLYYWW
单芯片解决方案
完全兼容于英特尔
IMVP- 6.5吨CPU和GMCH
芯片组电压调节器规格集成MOSFET
DRIVERS
3.3 V至22 V的输入电压范围
±7
毫伏最坏情况的差异感测核心电压误差
过热
自动节能模式最大化时的效率
轻载运行
柔和的过渡过程控制降低浪涌电流和音频噪声
独立的电流限制和负载线设置为输入
额外的设计灵活性
内置电源就绪屏蔽支持电压识别
( VID ) OTF瞬态
7位,数字可编程DAC 0 V至1.5 V输出
短路保护
电流监视器输出信号
这是一个Pb - Free设备
完全符合RoHS标准
32引脚QFN
xxx
A
WL
YY
WW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
VID5
VID6
VCC
BST
DRVH
ADP3211
ADP3211A
( TOP VIEW )
SW
PVCC
DRVL
保护地
GND
CSCOMP
EN
PWRGD
IMON
CLKEN
FBRTN
FB
COMP
GPU
ILIM
1
坡道
LLINE
CSREF
应用
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第31页。
笔记本电脑电源的下一代英特尔芯片组
上网本的英特尔凌动处理器
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年4月
第0版
1
出版订单号:
ADP3211/D
瑞士信贷第一波士顿
IREF
RT
ADP3211 , ADP3211A
GND
VCC
EN
RT
坡道
PVCC
BST
振荡器
MOSFET
司机
DRVH
SW
DRVL
保护地
OVP
+
UVLO关闭
和偏置
COMP
FB
REF
LLINE
+
+
S
+
S
CSREF
_
1.55V
CSREF
+
DAC
300毫伏
+
VEA
+
DAC + 200mV的
OCP
关闭
延迟
当前
MONITOR
当前
极限
电路
IMON
PWRGD
PWRGD
开放
PWRGD
启动
延迟
短暂
延迟
CLKEN
启动
延迟
延迟
关闭
+
CSREF
瑞士信贷第一波士顿
CSCOMP
ILIM
CLKEN
CLKEN
开放
精确
参考
VID
DAC
GPU
FBRTN
软启动
短暂
控制
DAC
REF
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
图1.功能框图
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2
IREF
ADP3211 , ADP3211A
绝对最大额定值
参数
V
CC
FBRTN ,保护地
BST , DRVH
DC
吨< 200纳秒
BST光伏
CC
DC
吨< 200纳秒
BST到SW
SW
DC
吨< 200纳秒
DRVH到SW
DRVL到PGND
DC
吨< 200纳秒
RAMP (停机时)
DC
吨< 200纳秒
所有其它输入和输出
存储温度范围
工作环境温度范围
工作结温
热阻抗(Q
JA
) 2层板
焊接温度
焊接( 10秒)
红外( 15秒)
等级
0.3
为+6.0
0.3
为+0.3
0.3
+28
0.3
到+33
0.3
至+22
0.3
+28
0.3
为+6.0
1.0
至+22
6.0
+28
0.3
为+6.0
0.3
为+6.0
5.0
为+6.0
0.3
至+22
0.3
+26
0.3
为+6.0
65
+150
10
100
125
32.6
300
260
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
注:此设备ESD敏感。操作时,请使用标准的ESD防护措施。
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3
ADP3211 , ADP3211A
引脚功能描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
助记符
PWRGD
IMON
CLKEN
FBRTN
FB
COMP
GPU
描述
电源就绪输出。漏极开路输出。低逻辑状态的情况意味着在输出电压的外部
VID DAC定义的范围。
电流监视器输出。该引脚提供电流成正比的输出负载电流。连接一个电阻
以FBRTN设置当前显示器的增益。
时钟使能输出。开漏输出。这个引脚上的上拉电压低于VCC不能高。
反馈回输入/输出。该引脚远程感应GMCH电压。它也被用作接地
返回该VID DAC和电压误差放大器块。
电压误差放大器的反馈输入。电压误差放大器的反相输入端。
电压误差放大器输出和频率补偿点。
GMCH / CPU选择引脚。供电的CPU时连接至地。开机时连接到5.0 V
GMCH 。当GPU连接到地时,引导电压为1.1 V,用于ADP3211和1.2伏的
ADP3211A 。当GPU连接到5.0 V时,就没有启动电压。
电流限制设定引脚。 ILIM和CSCOMP之间的电阻连接到电流限制阈值。
该引脚设置内部偏置电流。 A 80千瓦,从IREF接地。
RPM模式时序控制输入。电阻从RPM接地连接设置RPM模式开启
阈值电压。
PWM振荡器频率设定输入。此引脚与GND外部电阻设定PWM振荡器
频率。
PWM斜坡斜率设置输入。从转换器的输入电压节点的一个外部电阻来此引脚套
内部PWM稳定斜坡的斜率。
负载线路编程输入。的一个电阻分压器的中点连接CSREF和间
CSCOMP绑到该管脚设置负载线斜率。
电流检测基准电压输入。这个引脚必须连接到输出电感器的相对侧。
非反相输入端的电流检测放大器。一个电阻从交换节点到该组合
引脚和从这个引脚到引脚CSCOMP反馈网络设置电流检测放大器的增益。
电流检测放大器输出和频率补偿点。
模拟和数字信号地。
低端驱动器电源地。该引脚应连接紧密,以较低的MOSFET ( S)的来源。
低侧栅极驱动输出。
电源输入/低侧栅极驱动器输出。
目前回报高边栅极驱动器。
高侧栅极驱动输出。
高边自举电源。从这个引脚SW电容保持自举电压,而
高边MOSFET导通。
电源输入/控制器的输出。
电压识别DAC输入。 7位字(在VID代码)计划DAC输出电压时,
电压误差放大器的参考电压无负载(见VID代码表,表中没有标记)。在
正常操作模式中, VID DAC输出程序输出电压范围内的0V到1.5V的值
范围内。输入正积极拉低。
使能输入。推动这一引脚为低电平,关断芯片,禁用驱动器输出,以及拉PWRGD低。
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25至31
ILIM
IREF
RT
坡道
LLINE
CSREF
瑞士信贷第一波士顿
CSCOMP
GND
保护地
DRVL
PVCC
SW
DRVH
BST
VCC
VID6到VID0
32
EN
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4
ADP3211 , ADP3211A
电气特性
(V
CC
? PV
CC
= 5.0 V , FBRTN = GND =地线= 0 V , H = 5.0 V,L = 0 V ,V
VID
= V
DAC
= 1.2 V,
T
A
=
10°C
至100℃ ,除非另有说明。 (注1)电流输入引脚(由设备下沉)的符号为正。
参数
FB , LLINE电压范围
(注2 )
FB , LLINE失调电压
(注2 )
FB偏置电流
LLINE偏置电流
LLINE定位精度
COMP电压范围
COMP电流
符号
V
FB
, V
LLINE
V
OSVEA
I
FB
I
LL
V
FB
V
DAC
V
COMP
I
COMP
测量FB相对于标称V
DAC
LLINE强迫80毫伏以下CSREF
感兴趣的电压范围
COMP = 2.0 V, CSREF = V
DAC
FB强迫200毫伏以下CSREF
FB强迫200毫伏以上CSREF
C
COMP
= 10 pF的, CSREF = V
DAC
,
开环配置
FB强迫200毫伏以下CSREF
FB强迫200毫伏以上CSREF
非反相单位增益配置,
R
FB
= 1千瓦
见VID代码表
V
FB
V
DAC
测量FB (包括偏移) ,相对于
标称V
DAC
V
DAC
= 0.3000 V至1.2000 V
V
DAC
= 1.2125 V至1.5000 V
V
CC
= 4.75 V至5.25 V
在启动过程中的延迟时间, GPU = 0 V测量
ADP3211
ADP3211A
从EN POS边缘测量到FB = 50 mV的
从EN POS边缘测量到FB稳定到
V
BOOT
= 1.1 V范围内
5%
从测得的FB沉降到VBOOT = 1.1 V
5%
以CLKEN负边缘
软启动
任意VID一步
I
FBRTN
V
UVCSREF
V
DAC
V
OVCSREF
V
DAC
V
CBCSREF
V
RVCSREF
相对于标称V
DAC
电压
相对于标称V
DAC
电压
相对于FBRTN
相对于FBRTN ,闭锁方式
CSREF正在下降
CSREF呈上升趋势
I
PWRGD ( SINK )
= 4毫安
360
150
1.5
0
条件
相对于CSREF = V
DAC
相对于CSREF = V
DAC
200
0.5
1.0
50
78
0.85
650
2.0
80
典型值
最大
+200
+0.5
+1.0
+50
82
4.0
单位
mV
mV
mA
nA
mV
V
mA
mA
V / ms的
10
10
20
兆赫
电压控制
电压误差放大器( VEAMP )
COMP摆率
SR
COMP
增益带宽(注2)
VID DAC电压参考
V
DAC
电压范围(注2 )
V
DAC
准确性
GBW
1.5
V
mV
7.0
9.0
1.0
0.05
1.100
1.200
200
1.4
100
0.0625
1.0
70
300
200
1.55
+7.0
+9.0
+1.0
最低位
%
V
V
DAC
微分非线性(注2 )
V
DAC
线路调整
V
DAC
启动电压
ΔV
FB
V
BOOTFB
软启动延迟(注2 )
软启动时间
开机延时
V
DAC
压摆率
FBRTN电流
CSREF欠压
门槛
CSREF过压
门槛
CSREF撬棍电压
门槛
CSREF反向电压
门槛
PWRGD低电压
t
DSS
t
SS
t
BOOT
ms
ms
ms
LSB / MS
200
240
250
1.6
mA
mV
mV
V
mV
5.0
200
mV
电压监测和保护
电源良好
350
300
75
75
V
PWRGD
1.所有的极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制( SQC )保证。
2.设计或平台特性保证,未经生产测试。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADP3211MNR2G
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
ADP3211MNR2G
ONSemiconductor
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联系人:王小姐
地址:福田区华强北远望数码城一楼B1016
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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