ADP3121
双自举， 12 V
与输出MOSFET驱动器
关闭
该ADP3121是一个双通道，高电压MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道MOSFET ，这两个开关在非隔离的
同步降压型电源转换器。每个驱动器能够驱动一对
3000 pF负载具有20 ns的传播延迟和15 ns的过渡
时间。
一司机可自举而被设计来处理
浮动高边栅极驱动器相关联的高压摆率。
该ADP3121包含重叠驱动保护，以防止
直通电流在外部MOSFET 。
的OD端子关闭两个高侧和低侧
MOSFET，以防止系统在快速输出电容放电
关机。
该ADP3121工作在商用温度范围
0° C至85°C ，并采用8引脚SOIC_N和8引脚LFCSP封装
包。
特点
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8
1
SO8
后缀
CASE 751
8
P3121
ALYW
G
1
所有功能于一身的同步降压驱动器
自举高边驱动器
一个PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
过电压保护
外径为禁用驱动器输出
用于使用Flex模式时， CPU满足需求VR
调节器
这些无铅器件
典型应用
P3121 =具体设备守则
AL
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
8
1
LFCSP8
MN后缀
CASE 932AF
L7Q
#yww
G
L7Q
Y
WW
G
=具体设备守则
=年
=工作周
= Pb-Free包装
多相台式机CPU用品
单电源供电的同步降压转换器
订购信息
设备
ADP3121JRZRL
包
SOIC_N
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
ADP3121JCPZ - RL LFCSP_VD 5000 /带卷&
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年4月
第0版
1
出版订单号：
ADP3121/D
ADP3121
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
DRVH
SWN
保护地
DRVL
12V
4
ADP3121
LATCH
R1
Q
R2
S
延迟
V
CC
1
BST
C
BST1
8
DRVH
D1
C
BST2
IN 2
R
G
R
BST
Q1
TO
感应器
7
CMP
CMP
1V
控制
逻辑
延迟
V
CC
6
5
SW
DRVL
Q2
外径3
6
保护地
图1.框图
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
引脚名称
BST
IN
OD
VCC
DRVL
保护地
SW
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接在BST和SW引脚的电容
持有该自举电压的高侧MOSFET时将其切换。
逻辑电平PWM输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。在正常操作时，拉
该引脚为低电平将在低端驱动器;在高侧驱动器拉大转弯。
输出禁用。低电平时，此引脚禁用正常运转，迫使DRVH和DRVL低。
输入电源。该引脚应旁路至PGND与1
mF
陶瓷电容器。
同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。
电源地。该引脚应紧密结合较低的MOSFET的源极。
开关节点连接。该引脚被连接到降压切换节点，靠近上
MOSFET的源极。它是为上部MOSFET的驱动信号的浮动回报。它也被用来监测
切换电压，以防止下MOSFET管从导通，直到电压低于 1V。
降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。
8
DRVH
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2
ADP3121
最大额定值
等级
q
JA
， SOIC_N
2层板
4层板
q
JA
， LFCSP_VD （注1 ）
4层板
工作环境温度范围
结温范围
存储温度范围
焊接温度
焊接（ 10秒）
气相（60秒）
红外（ 15秒）
300
215
260
°C
°C
°C
64.3
0到85
0至150
65
+150
° C / W
°C
°C
°C
123
90
° C / W
° C / W
价值
单位
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
2. 2层电路板， 1
2
铜， 1盎司厚度。
3. 60-180秒最小值以上237 ℃。
4.本设备是ESD敏感。处理时使用标准ESD防范措施
绝对最大额定值
引脚符号
V
CC
GND
BST
引脚名称
主电源电压输入
地
自举电源电压输入
DC
<200 NS
BST到SW
SW
开关节点
（自举电源回路）
DC
<200 NS
DRVH
高边驱动器输出
DC
<20 NS
<200 NS
DRVL
低边驱动器输出
DC
<20 NS
<200 NS
IN
OD
DRVH和DRVL控制输入
外禁用
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 2 V
V
CC
+ 0.3 V
6.5 V
6.5 V
0.3
V
2
V
2
V
0.3
V
0.3
V
BST + 0.3
BST + 2 V
BST + 0.3 V
SW
0.3 V
SW
2 V
SW
2 V
+15
+25 V
5
V
10
V
V
CC
+ 15
+35
+15
0.3
V
0.3
V
0.3
V
V
最大
15 V
0V
V
民
0.3
V
0V
注：所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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3
ADP3121
电气特性
(V
CC
= 12 V ， BST = 4 V至26 V ，T
A
= 0℃至85 ℃，除非另有说明） （注5）
特征
供应
电源电压范围
电源电流
OD INPUTS
输入电压高
输入电压低
输入电流
迟滞
PWM输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
迟滞
高侧驱动器
输出电阻，拉电流
BST
SW = 12 V ;牛逼
A
= 25°C
BST
SW = 12 V ;牛逼
A
= 0 ° C至85°C
输出阻抗，可吸入电流
BST - SW = 12 V ;牛逼
A
= 25°C
BST
SW = 12 V ;牛逼
A
= 0 ° C至85°C
输出电阻，无偏
转换时间
BST - SW = 0 V
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 NF，
参见图4
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 NF，
参见图4
传播延迟时间
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 nF的
25°C
≤
T
A
≤
85 ℃，见图4
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 NF，
参见图4
见图3
见图3
SW下拉电阻
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
T
A
= 25°C
T
A
= 0 ° C至85°C
输出阻抗，可吸入电流
T
A
= 25°C
T
A
= 0 ° C至85°C
输出电阻，无偏
转换时间
V
CC
⑩保护地
C
负载
= 3 nF的，见图4
C
负载
= 3 nF的，见图4
传播延迟时间
C
负载
= 3 nF的，见图4
C
负载
= 3 nF的，见图4
见图3
见图3
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
t
pdlOD
t
pdhOD
100
1.0
10
20
10
15
17
37
180
30
20
35
32
52
1.8
2.4
2.8
1.6
1.8
W
W
W
W
kW
ns
ns
ns
ns
ns
ns
申银万国PGND
t
pdlDRVH
t
pdlOD
t
pdhOD
32
30
20
10
47
45
40
ns
ns
ns
kW
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
20
1.7
10
20
20
30
32
30
50
1.7
2.3
2.8
2.3
2.8
W
W
W
W
kW
ns
ns
ns
1
90
250
2.0
0.8
+1
V
V
mA
mV
1
90
250
2.0
0.8
+1
V
V
mA
mV
BST = 12 V ， IN = 0 V
V
CC
I
SYS
4.15
2
13.2
5
V
mA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
5.所有的极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制（ SQC）方法
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4
ADP3121
电气特性
(V
CC
= 12 V ， BST = 4 V至26 V ，T
A
= 0℃至85 ℃，除非另有说明） （注5）
特征
低侧驱动器
超时延迟
过压保护门限
欠压锁定
UVLO电压
迟滞
V
CC
升起
1.5
250
3.0
V
mV
SW = 5 V
SW - 保护地
IN = OD = 0 V ，S
W
= V
CC
V
SW （ OVD ）
90
70
1.5
170
110
3.5
ns
V
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
5.所有的极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制（ SQC）方法
应用信息
工作原理
重叠保护电路
该ADP3121是用于驱动两个N沟道优化
MOSFET的同步降压转换器拓扑。一
单个PWM输入信号是所有的需要适当地
驱动高侧和低侧MOSFET 。每个驱动程序
能够驱动一个3 nF的负载，速度高达500 kHz的。一
ADP3121的功能框图如图1所示。
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动一个地
引用的N沟道MOSFET 。偏置到低侧
驱动程序在内部连接到V
CC
电源和GND 。
当驾驶员使能时，驱动器的输出是180°
的相位与PWM输入。当ADP3121是
残疾人，低侧栅极为低。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动一个浮动
N沟道MOSFET 。偏置电压的高侧
驱动器是由一个外部自举电源电路开发
在连接之间的BST和SW引脚。
自举电路由二极管D1和引导
电容C
BST1
. C
BST2
和R
BST
被包括以减少
高侧栅极驱动电压，并限制开关节点
压摆率（称为启动Snapt电路） 。当
ADP3121启动时， SW引脚接地，这样启动
电容器充电至V
CC
通过D1 。当PWM
输入变高时，高边驱动器将开始导通的
高边MOSFET（Q1） ，由负责拉出来的C
BST1
和
C
BST2
。由于Q1导通， SW引脚上升到V
IN
和力
在BST引脚到V
IN
+ V
C（ BST ）
。这适用于第一季度，因为
提供足够的栅 - 源电压。要完成
周期中，Q1是通过拉动门下降到关闭
电压SW引脚。当低侧MOSFET ， Q2 ，
导通， SW引脚被拉至地面。这允许
自举电容充电到V
CC
再次。
高侧驱动器的输出是同相的
PWM输入。当驱动器被禁止时，高侧栅极
保持低电平。
重叠保护电路可防止两个主要的
功率开关Q1和Q2 ，从被接通的同时。
这样做是为了防止直通电流流入
通过两个功率开关和相关的损失
可发生在他们的开/关的转换。重叠
保护电路由自适应地完成这
控制从Q1的关断延迟到Q2的导通，
并通过从Q 2在内部设置延迟关断，以
在Q1导通。
为了防止Q1在栅极驱动的重叠
关断和Q2的导通时，重叠电路监视
电压SW引脚。当PWM输入信号变低，
Q1开始关断（传播延迟之后）。 Q2前
可以打开，重叠保护电路可确保
SW已先变高，然后等待处的电压
SW引脚从V回落
IN
1五，一旦在SW上的电压
针下降到1 V ， Q2开始导通。如果SW引脚有没有
去高的第一， Q2的导通是通过一个固定的150ns的延迟。
通过等待在SW引脚上的电压达到1 V或
固定延迟时间，重叠保护电路确保
即Q1关断Q2导通之前，无论其
温度，电源电压，输入脉冲宽度，栅极电荷
和驱动电流。如果软件没有经过190 ns的走低于1 V，
DRVL开启。这可能发生，如果流动的电流在
输出电感为负，并流过高压侧
MOSFET的体二极管。
过压保护
该ADP3121包括一个过电压保护
（ OVP ）功能，以防止高电压的CPU ，即使
主控制器之前，有足够的VCC运作。该
ADP3121看起来在启动期间SW节点。如果电压
期SW大于OVP阈值， DRVL被锁存
上DRVH锁断。 SW节点上的OVP会
导致DRVL高走并保持高位。
为了防止OVP ，输入逻辑错误触发
检测锁存器被设置在无论是在还是第一次出现
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5
QQ：2880707522 复制
