【双自举12 V与输出禁用MOSFET驱动器ADP3118特点优化的低门电荷的MOSFETALL-IN】,IC型号ADP3118JRZ-RL,ADP3118JRZ-RL PDF资料,ADP3118JRZ-RL经销商,ic,电子元器件-51电子网

双自举12 V

与输出禁用MOSFET驱动器

ADP3118

特点

优化的低门电荷的MOSFET

ALL-IN -One的同步降压驱动器

自举高边驱动器

一个PWM信号生成两个驱动器

Anticross传导保护电路

输出禁用控制关闭两个MOSFET，以浮

每英特尔VRM 10的输出

满足CPU VR要求当用于

ADI公司的Flex模式

调节器

概述

该ADP3118是一款双通道，高电压MOSFET驱动器优化

用于驱动两个N沟道MOSFET ，它们是两个开关

在非隔离同步降压型电源转换器。每个

司机是能够驱动3000 pF负载为25纳秒的prop-

agation延迟和25 ns的过渡时间。其中一名司机能

自举和被设计为处理高电压的转换

浮动高边栅极驱动器相关联的速率。该ADP3118

包括重叠驱动保护，以防止直通

当前在外部的MOSFET。

的OD端子关闭两个高侧和低侧

MOSFET，以防止在快速输出电容放电

系统关机。

该ADP3118工作在商用温度

采用8引脚SOIC和8引脚可用范围为0 ° C至85° C和

LFCSP封装。

应用

多相台式机CPU用品

单电源同步降压转换器

简化功能框图。

12V

VCC

ADP3118

BST

BST2

BST1

DRVH

感应器

延迟

BST

CMP

VCC

DRVL

CMP

控制

逻辑

图1 。

的Flex -Mode的由美国专利6683441保护。

2008年1月 - 第2版

出版订单号：

ADP3118/D

05452-001

延迟

保护地

ADP3118

Features...............................................................................................1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ .......................... 1

简化功能框图............................................ 1

修订历史................................................ ................................ 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 4

ESD注意事项................................................ .................................. 4

引脚配置和功能说明............................. 5

时序特性................................................ ..................... 6

典型性能特征.............................................. 7

工作原理............................................... .......................... 9

低侧驱动器.............................................. .............................. 9

高侧驱动器.............................................. ............................. 9

重叠保护电路............................................... ........... 9

应用信息................................................ ................ 10

供应电容的选择............................................... ......... 10

自举电路................................................ ........................ 10

MOSFET选择................................................ ..................... 10

高边（控制）的MOSFET ........................................... ..... 10

低端（同步）的MOSFET ......................................... 11

PC板布局考虑............................................. 11

外形尺寸................................................ ........................ 13

订购指南................................................ ........................... 13

修订历史

01/08 - 启2 ：转换为安森美半导体

9月7日 - 修订版。 0到版本A

新增LFCSP ................................................ ......................通用

更新的外形尺寸............................................... ......... 13

更改订购指南.............................................. ............. 13

4/05

—

修订版0 ：初始版

第2版|第14页2 | www.onsemi.com

ADP3118

特定网络阳离子

= 12 V ， BST = 4 V至26 V ，T

= 0℃至85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

PWM输入

输入电压高

输入电压低

输入电流

迟滞

OD输入

输入电压高

输入电压低

输入电流

迟滞

传播延迟时间

符号

条件

民

2.0

保持tPDL

tPDH时间

高侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

SW下拉电阻

低侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

超时延迟

供应

电源电压范围

电源电流

UVLO电压

迟滞

典型值

最大

单位

μA

kΩ

0.8

250

0.8

250

2.2

1.0

2.0

1.0

190

150

3.5

2.5

见图3

BST - SW = 12 V

BST - SW = 0 V

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

申银万国PGND

rDRVH

fDRVH

pdhDRVH

pdlDRVH

3.2

2.5

rDRVL

fDRVL

pdhDRVL

pdlDRVL

VCC - 保护地

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

SW = 5 V

SW - 保护地

110

4.15

SYS

BST = 12 V ， IN = 0 V

VCC上升

1.5

350

13.2

3.0

所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。

对于传播延迟，叔

PDH

指的是指定的信号变高，而t

PDL

指的是变低的信号。

第2版|第14页3 | www.onsemi.com

ADP3118

绝对最大额定值

除非另有说明，所有电压参考到PGND。

表2中。

参数

VCC

BST

BST到SW

<200 NS

DRVH

<200 NS

DRVL

<200 NS

IN， OD

， SOIC

2层电路板

4层板

， LFCSP_VD

4层板

工作环境温度

范围

结温范围

存储温度范围

铅温度范围

焊接（ 10秒）

气相（60秒）

红外（ 15秒）

等级

0.3 V至+15 V

-0.3 V至VCC + 15 V

0.3 V至+15 V

-5 V至+15 V

-10 V至+25 V

SW - 0.3 V至BST + 0.3 V

SW - 2 V至BST + 0.3 V

-0.3 V至VCC + 0.3 V

-2 V至VCC + 0.3 V

0.3 V至6.5 V

123°C/W

90°C/W

50°C/W

0 ° C至85°C

0℃ 150℃

-65 ° C至+ 150°C

300°C

215°C

260°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

ESD警告

对于LFCSP_VD ， θ

根据JEDEC STD测量与裸露焊盘

焊接到PCB上。

第2版|第14页4 | www.onsemi.com

ADP3118

引脚配置和功能描述

BST

DRVH

05452-002

ADP3118

保护地

顶视图

（不按比例）

DRVL

VCC

图2. 8引脚SOIC引脚配置

表3.引脚功能描述

PIN号

助记符

BST

VCC

DRVL

保护地

描述

上MOSFET浮动自举电源。连接在BST和SW引脚的电容持有该

自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。

逻辑电平PWM输入。该引脚具有的驱动器输出的主控制。在正常操作时，提拉这个

脚低导通低边驱动器;在高侧驱动器拉大转弯。

输出禁用。低电平时，此引脚禁用正常运转，迫使DRVH和DRVL低。

输入电源。该引脚应旁路至PGND与 1 μF陶瓷电容。

同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。

电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。

该引脚被连接到降压 - 交换节点，靠近上部MOSFET的源极。它是浮动的回报

对于上部MOSFET的驱动信号。它也可以用来监视切换电压，以防止导通的

低的MOSFET ，直到电压低于 1V。

降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。

DRVH

第2版|第14页5 | www.onsemi.com

双自举12 V MOSFET

驱动器与输出禁用

ADP3118

特点

优化的低门电荷的MOSFET

ALL-IN -One的同步降压驱动器

自举高边驱动器

一个PWM信号生成两个驱动器

Anticross传导保护电路

输出禁用控制关闭两个MOSFET的

浮动每英特尔VRM 10规范的输出

概述

该ADP3118是优化的双高压MOSFET驱动器

用于驱动两个N沟道MOSFET ，它们是两个开关

在非隔离同步降压型电源转换器。每个

司机是能够驱动3000 pF负载为25纳秒

传播延迟和25 ns的过渡时间。一个驱动

可自举而被设计为处理高电压

浮动高边栅极驱动器相关联的压摆率。该

ADP3118包含重叠驱动保护，以防止

直通电流在外部MOSFET 。

的OD端子关闭两个高侧和低侧

MOSFET，以防止在快速输出电容放电

系统关机。

该ADP3118工作在商用温度

在8引脚SOIC封装范围为0 ° C至85° C和。

应用

多相台式机CPU用品

单电源同步降压转换器

简化功能框图。

12V

VCC

ADP3118

BST

BST2

BST1

DRVH

BST

延迟

感应器

CMP

VCC

CMP

控制

逻辑

DRVL

延迟

保护地

05452-001

图1 。

的Flex -Mode的由美国专利6683441保护

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。

但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何

侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。

规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示

或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标

注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

ADP3118

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 4

ESD注意事项................................................ .................................. 4

引脚配置和功能说明............................. 5

时序特性................................................ ..................... 6

典型性能特征............................................. 7

工作原理............................................... ......................... 9

低侧驱动器.............................................. .............................. 9

高侧驱动器.............................................. ............................ 9

重叠保护电路............................................... ........... 9

应用信息................................................ ................ 10

供应电容的选择............................................... ........ 10

自举电路................................................ ........................ 10

MOSFET选择................................................ ..................... 10

高边（控制）的MOSFET ........................................... ..... 10

低端（同步） MOSFET的........................................ 11

PC板布局考虑............................................. 11

外形尺寸................................................ ....................... 13

订购指南................................................ .......................... 13

修订历史

4/05

—

修订版0 ：初始版

第0版|第16页2

ADP3118

特定网络阳离子

= 12 V ， BST = 4 V至26 V ，T

= 0℃至85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

PWM输入

输入电压高

输入电压低

输入电流

迟滞

OD输入

输入电压高

输入电压低

输入电流

迟滞

传播延迟时间

高侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

SW下拉电阻

低侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

超时延迟

供应

电源电压范围

电源电流

UVLO电压

迟滞

符号

条件

民

2.0

典型值

最大

单位

0.8

250

0.8

250

2.2

1.0

2.0

1.0

190

150

3.5

2.5

pdlOD

pdhOD

见图3

BST - SW = 12 V

BST - SW = 0 V

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

申银万国PGND

rDRVH

fDRVH

pdhDRVH

pdlDRVH

3.2

2.5

rDRVL

fDRVL

pdhDRVL

pdlDRVL

VCC - 保护地

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

SW = 5 V

SW - 保护地

110

4.15

SYS

BST = 12 V ， IN = 0 V

VCC上升

1.5

350

13.2

3.0

所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。

对于传播延迟，叔

PDH

指的是指定的信号变高，而t

PDL

指的是它要低。

第0版|第16页3

ADP3118

绝对最大额定值

表2中。

参数

VCC

BST

BST到SW

<200 NS

DRVH

<200 NS

DRVL

<200 NS

IN， OD

， SOIC

2层电路板

4层板

工作环境温度

范围

结温范围

存储温度范围

铅温度范围

焊接（ 10秒）

气相（60秒）

红外（ 15秒）

等级

0.3 V至+15 V

-0.3 V至VCC + 15V

0.3 V至+15 V

-5 V至+15 V

-10 V至+25 V

SW - 0.3 V至BST + 0.3 V

SW - 2 V至BST + 0.3 V

-0.3 V至VCC + 0.3 V

-2 V至VCC + 0.3 V

0.3 V至6.5 V

123°C/W

90°C/W

0 ° C至85°C

0℃ 150℃

-65 ° C至+ 150°C

300°C

215°C

260°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件的业务部门上市

本规范是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

除非另有说明，所有电压参考到PGND。

ESD警告

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在

人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点

专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置

静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免降解性能

化或功能丧失。

第0版|第16页4

ADP3118

引脚配置和功能描述

BST

DRVH

05452-002

ADP3118

保护地

顶视图

（不按比例）

DRVL

VCC

图2. 8引脚SOIC引脚配置

表3.引脚功能描述

PIN号

助记符

BST

VCC

DRVL

保护地

描述

上MOSFET浮动自举电源。连接在BST和SW引脚的电容持有该

自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。

逻辑电平PWM输入。该引脚具有的驱动器输出的主控制。在正常操作中，要将这个引脚

低导通低边驱动器;在高侧驱动器拉大转弯。

输出禁用。低电平时，此引脚禁用正常运转，迫使DRVH和DRVL低。

输入电源。该引脚应被绕过和PGND 1 μF陶瓷电容。

同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。

电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。

该引脚被连接到降压 - 交换节点，靠近上部MOSFET的源极。它是浮动的回报

对于上部MOSFET的驱动信号。它也可以用来监视切换电压，以防止导通的

低的MOSFET ，直到电压低于 1V。

降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。

DRVH

第0版|第16页5