APTC60TDUM35P
三重双共源
超级结MOSFET
电源模块
D1
D3
D5
G1
G3
G5
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 35mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 72A @ T C = 25°C
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
S1
S1/S2
S3
S3/S 4
S5
S5/ S6
S2
G2
S4
G4
S6
G6
特点
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
D2
D4
D6
D1
D3
D5
G1
G3
G5
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-6
APTC60TDUM35P - 牧师2004年0月，
好处
突出表现在高频率运行
S1
S3
S5
S1/S2
S3/S4
S5/S6
直接安装到散热器（独立包装）
S2
S4
S6
超低的结到外壳热阻
G2
G4
G6
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
D2
D4
D6
非常低的（12毫米）简介
每条腿可以很容易地并联，以实现双
三倍的共同源配置
电流能力
绝对最大额定值
符号
参数
最大额定值
单位
V
DSS
漏极 - 源极击穿电压
600
V
T
c
= 25°C
72
I
D
连续漏电流
A
T
c
= 80°C
54
I
DM
漏电流脉冲
200
V
GS
栅 - 源电压
±20
V
R
DSON
漏 - 源极导通电阻
35
m
P
D
最大功率耗散
T
c
= 25°C
416
W
I
AR
雪崩电流（重复，不重复）
20
A
E
AR
重复性雪崩能量
1
mJ
E
AS
单脉冲雪崩能量
1800
APTC60TDUM35P
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 375A
民
600
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
典型值
1
最大
40
375
35
3.9
±150
单位
V
A
m
V
nA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.1
V
GS
= 10V ，我
D
= 72A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 5.4毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
3
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 300V
I
D
= 72A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 72A
R
G
= 2.5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 400V
I
D
= 72A ，R
G
= 2.5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 400V
I
D
= 72A ，R
G
= 2.5
民
典型值
14
5.13
0.42
518
58
222
21
30
283
84
1340
1960
2192
2412
最大
单位
nF
nC
ns
J
J
源 - 漏二极管额定值和特性
符号
I
S
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
民
典型值
72
54
最大
单位
A
V
GS
= 0V时，我
S
= - 72A
I
S
= - 72A
V
R
= 350V
di
S
/ DT = 200A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
580
46
1.2
6
V
V / ns的
ns
C
APTC60TDUM35P - 牧师2004年0月，
E
on
包括二极管的反向恢复。
按照JEDEC标准JESD24-1 。
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 72A的di / dt
≤
200A/s
V
R
≤
V
DSS
T
j
≤
150°C
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2-6
APTC60TDUM35P
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
3
典型值
最大
0.3
150
125
100
5
250
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M6
包装外形
5位（ 3 ： 1 ）
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3-6
APTC60TDUM35P - 牧师2004年0月，
APTC60TDUM35P
典型性能曲线
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.9
0.7
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
280
6.5V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 36A
Transfert特点
240
200
160
120
80
40
0
25
0
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
1
7
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=15&10V
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0
直流漏电流与外壳温度
80
V
GS
=10V
70
60
50
40
30
20
10
0
APTC60TDUM35P - 牧师2004年0月，
V
GS
=20V
20
40
60
80
100
120
25
I
D
，漏电流（ A）
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
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4-6
APTC60TDUM35P
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 72A
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1000
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
100
10
限于由R
DS
on
100 s
1毫秒
DC线
10毫秒
1
0.1
1
单脉冲
T
J
=150°C
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
V
GS
，门源电压（ V）
电容VS漏极至源极电压
100000
西塞
C，电容（pF ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
100
APTC60TDUM35P - 牧师2004年0月，
10000
I
D
=72A
T
J
=25°C
V
DS
=120V
V
DS
=300V
V
DS
=480V
科斯
1000
CRSS
100
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
200 300 400
栅极电荷（ NC）
500
600
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5-6
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