a
目标应用
工业变频器，伺服驱动器，变频器，
电动车
特点
25 MIPS定点DSP内核
单周期指令执行（ 40纳秒）
ADSP- 2100系列代码兼容
独立的计算单元
ALU
乘法器/累加器
桶式移位器
多功能指令
单周期上下文切换
功能强大的程序定序
零开销循环
有条件的指令执行
两个独立的数据地址发生器
内存配置
4K的24位程序存储器RAM
2K的24位程序存储器ROM
1K 16位数据存储器RAM
高分辨率多通道ADC系统
五名独立16位Σ- Δ型ADC
76分贝典型SNR （ ENOB > 12位）
安排在两个独立时钟银行
差分或单端输入
可编程的采样频率为32.5千赫
基于DSP的高性能
电机控制器
ADMC300
ADC和PWM子系统的灵活的同步
独立的失调校准每个通道
两个专用的ADC中断
内部2.5 V参考
三个多路控制引脚用于外部扩展
硬件或软件转换启动
个人掉电对于每个银行
三相PWM生成子系统
16位专用PWM发生器
边缘分辨率为40纳秒
可编程死区时间
可编程最小脉宽
双更新模式允许占空比
上半周期的边界调整
特殊功能的无刷直流电机
硬连线的极性控制
外部专用异步关断引脚
（ PWMTRIP ）
在I / O系统的附加关断引脚
独立的使能每个输出/禁用
高频斩波方式
透明过渡到过调制
100％占空比变化范围
可编程中断控制器管理优先级
11屏蔽外设中断，并
（下转第7页）
功能框图
ADSP -2100 BASE
架构
数据
地址
发电机
DAG 1
DAG 2
节目
SEQUENCER
节目
只读存储器
2K 24
节目
内存
4K 24
内存
数据
内存
1K 16
电机控制
外设
3
WATCH-
狗
定时器
节目
打断
调节器
2
EVENT
CAPTURE
计时器
12
编码器
接口
数字
I / O
程序存储器地址总线
数据存储器的地址总线
程序存储器数据总线
数据存储器数据总线
运算单元
ALU
苹果
移
串口
SPORT 0
5
体育1
6
间隔
定时器
辅
PWM
Σ-Δ
ADCS
PWM
GENERATION
2
10
7
版本B
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使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
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ADI公司， 2000
ADMC300–SPECIFICATIONS
推荐工作条件
参数
V
DD
AV
DD
T
AMB
数字电源电压
模拟电源电压
工作环境温度
(V
DD
= AV
DD
= 5 V 10 ％ ， GND = AGND = 0 V ，T
AMB
= -40°C至+ 85°C ，
CLKIN = 12.5兆赫，除非另有说明）
B级
民
4.50
4.50
–40
最大
5.50
5.50
+85
单位
V
V
°C
电气特性
参数
V
IH
V
IL
V
OH
高电平输入电压
1, 2
罗级输入电压
1, 2
高电平输出电压
1, 3
测试条件
@ V
DD
=最大
@ V
DD
=分钟
@ V
DD
=分钟，
I
OH
= -1.0毫安
@ V
DD
=分钟，
I
OH
= -0.1毫安
@ V
DD
=分钟，
I
OL
= 2.0毫安
@ V
DD
=最大，
V
IN
= V
DD
最大
@ V
DD
=最大，
V
IN
= V
DD
最大
@ V
DD
=最大，
V
IN
= V
DD
最大
@ V
DD
=最大，
V
IN
= 0 V
@ V
DD
=最大，
V
IN
= 0 V
@ V
DD
=最大，
V
IN
= 0 V
@ V
DD
=最大，
V
IN
= V
DD
最大
@ V
DD
=最大，
V
IN
= 0 V
@ V
DD
=最大
@ AV
DD
= V
DD
=最大
@ AV
DD
= V
DD
=最大
@ AV
DD
= V
DD
=最大
@ AV
DD
= V
DD
=最大
@ AV
DD
= V
DD
=最大
民
2.0
0.8
2.4
V
DD
– 0.3
0.4
10
100
10
10
10
100
10
10
100
100
6.5
11.0
13.0
18.0
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
mA
A
mA
mA
mA
mA
V
OL
I
IH
I
IH
I
IH
I
IL
I
IL
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
卢平输出电压
1, 3
高电平输入电流
4
Hi电平
PWMTRIP ，
PIO0 - PIO11电流
高电平PWMPOL电流
罗电平输入电流
4
罗级别
PWMTRIP ，
PIO0 - PIO11电流
罗级别PWMPOL电流
高电平三态泄漏电流
5
罗级三态泄漏电流
5
数字电源电流（动态）
6, 7
模拟电源电流（已禁用）
8
模拟电源电流（仅参考）
模拟电源电流（ REF + BANKA ）
模拟电源电流（ REF + BankB ）
模拟电源电流（ REF + BANKA / B ）
笔记
1
双向引脚： PIO0 - PIO11 ， RFS0 ， RFS1 ， TFS0 ， TFS1 ， SCLK0 ， SCLK1 。
2
输入专用管脚：
PWMTRIP ，
PWMPOL ，
RESET ，
环评，欧洲投资银行， EIZP ， DR1A ， DR1B ， DR0 ， CLKIN 。
3
输出引脚： PWMSYNC ， CL ， CH ， BL ， BH ， AL ， AH ， MUX0 ， MUX2 ， AUX0 ， AUX1 ， CLKOUT ， DT0 ， DT1 。
4
输入专用管脚：
RESET ，
环评，欧洲投资银行， EIZP ， DR1A ， DR1B ， DR0 ， CLKIN 。
5
三stateable引脚： DT0 ， DT1 ， RFS0 ， RFS1 ， TFS0 ， TFS1 ， SCLK0 ， SCLK1 。
6
目前反映没有输出负载运行的设备。
7
动态条件指的是DSP内核， ADC银行和PWM生成的单次更新模式下的连续运行PWMTM = 0x0480 ， ADCDIVA =
ADCDIVB =量0x180 。编码器的输入是静止的。
8
伤残是指通过设置位10 ， 11和ADCCTRL寄存器12断电既ADC库和内部基准产生电路。电流
从AV总电流
DD
供应量。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
ADMC300
模拟数字转换器
参数
信噪比
1
（SNR）的
总谐波失真
1
（ THD ）
共模抑制比
2
（ CMRR ）
通道间串扰
3
增益误差
收益
V
IN
模拟输入范围
4
模拟输入电压（差分）
4
V
差异
V
OFFSET
DC偏移电压
5
f
MOD ，最大
最大的Σ-Δ调制器速率
f
S，最大值
V
REFIN
R
IN
最大的ADC采样率
6
参考输入电压
7
等效输入电阻
8
(V
DD
= AV
DD
= 5 V 10 ％ ， GND = AGND = 0 V ，V
REFIN
= 2.50 V，T
AMB
= -40°C至+ 85°C ，
CLKIN = 12.5兆赫，除非另有说明）
测试条件
@V
DD
= 5.0 V,
@ f
S
= 32.55 kHz时，
@ f
IN
= 1.017千赫，
ADCDIVn =量0x180 ，
V1 -V5 = 4.0V，峰 - 峰值
V1N - V5N = V
REFIN
= 2.5 V
民
72
典型值
76
–70
–82
–76
5
10,600
0
V
DD
V
DD
/2
55
2.08
32.55
最大
单位
dB
dB
dB
dB
%
LSB / V
V
V
mV
兆赫
千赫
ADCDIVA量0x180 =
ADCDIVB量0x180 =
ADCDIVA量0x180 =
ADCDIVB量0x180 =
2.4
2.5
25
2.6
V
k
笔记
1
SNR测量配置在单端模式下ADC通道。 SNR测量不包括谐波失真， THD包括前六个谐波。
位（ ENOB ）的有效数量与信噪比由SNR = 6.02 （ ENOB） 1.76分贝。在1.5 kHz的输入信号滤波。
2
适用于输入差分对ADC通道的两个引脚的输入信号。
3
适用于4个ADC通道的输入信号， DC适用于第五，测量取自第五ADC通道。
4
在差分输入配置的峰 - 峰值输入电压的一半，在单端模式。
5
这个偏移量可以被纠正，利用ADC校准功能。
6
在2.08 MHz的最大Σ-Δ调制器的速度。
7
输入参考引脚： REFINA ， REFINB 。
8
模拟信号输入引脚： V1 - V5 ， V1N - V5N 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参考电压
参数
V
REF
(V
DD
= AV
DD
= 5 V
说明）
10 ％ ， GND = AGND = 0 V ，T
AMB
= -40°C至+ 85°C ， CLKIN = 12.5兆赫，除非另有
测试条件
民
2.25
–5
典型值
最大
2.75
–100
5
单位
V
A
mV / V的
电压等级
源出电流
电源抑制比（ PSRR ）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
脉冲宽度调制器
参数
(V
DD
= AV
DD
= 5 V
另有说明）
10 ％ ， GND = AGND = 0 V ，T
AMB
= -40°C至+ 85°C ， CLKIN = 12.5兆赫，除非
测试条件
民
典型值
40
0
80
0
40
191
0.04
0.0244
10.24
6.25
40.92
81.84
最大
16
双更新模式
单位
位
ns
s
ns
s
ns
Hz
s
兆赫
T
D
T
民
f
PWM
T
SYNC
f
CHOP
计数器的分辨率
1
边缘分辨率
可编程死区时间
可编程死区时间增量
可编程脉冲删除
可编程增量删除
PWM频率范围
1
PWMSYNC脉宽
栅极驱动斩波频率
笔记
1
分辨率随PWM开关频率， 191赫兹= 16位， 3.05千赫= 12位， 48.8千赫= 8位（ 12.5兆赫CLKIN ）的单次更新模式。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
–3–
ADMC300–SPECIFICATIONS
编码器接口单元
参数
f
ENC ， MAX
最大编码器脉冲率
1
笔记
1
假定完美的正交编码器信号。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(V
DD
= AV
DD
= 5 V
另有说明）
10 ％ ， GND = AGND = 0 V ，T
AMB
= -40°C至+ 85°C ， CLKIN = 12.5兆赫，除非
测试条件
民
典型值
最大
3.1
单位
兆赫
辅助PWM输出
参数
f
AUXPWM
决议
开关频率
(V
DD
= AV
DD
= 5 V
另有说明）
10 ％ ， GND = AGND = 0 V ，T
AMB
= -40°C至+ 85°C ， CLKIN = 12.5兆赫，除非
测试条件
民
典型值
8
48.8
最大
单位
位
千赫
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
时序参数
参数
时钟信号
t
CK
被定义为0.5吨
长江基建
。在ADMC300使用输入时钟，其频率等于
一半的指令速度;一个12.5MHz的输入时钟（它相当于80毫微秒）
产生一个40 ns的处理器周期（等于25兆赫） 。吨
CK
的范围内的值
0.5 t
长江基建
期间应当被取代为所有相关的定时参数，以获得
规范值。
示例：T
长实
= 0.5 t
CK
- 10纳秒= 0.5 （ 40纳秒） - 10纳秒= 10纳秒。
时序要求：
t
长江基建
CLKIN周期
CLKIN宽度低
t
CKIL
t
CKIH
CLKIN宽高
开关特性：
t
CKL
CLKOUT宽度低
t
长实
CLKOUT宽高
t
CKOH
CLKIN高到CLKOUT高
控制信号的
时间要求：
t
RSP
RESET
宽度低
PWM关断信号
时序要求：
t
PWMTPW
PWMTRIP
宽度低
t
PIOPWM
PIO宽度低
80
20
20
0.5 t
CK
– 10
0.5 t
CK
– 10
0
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
单位
20
5 t
CK1
ns
3 t
CK
3 t
CK
ns
ns
笔记
1
用于上电顺序已完成。内部锁相环需要不超过2000个CLKIN周期假定稳定的CLKIN （不包括结晶
振荡器起振时间） 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
t
长江基建
t
CKIH
CLKIN
t
CKIL
t
CKOH
t
长实
CLKOUT
t
CKL
图1.时钟信号
–4–
版本B
ADMC300
参数
串口
时序要求：
SCLK周期
t
SCK
t
SCS
SCLK低之前DR / TFS / RFS安装
t
SCH
SCLK低之后DR / TFS / RFS保持
SCLK
IN
宽度
t
SCP
开关特性：
CLKOUT高到SCLK
OUT
t
CC
t
SCDE
SCLK高到DT启用
t
SCDV
SCLK高到DT有效
t
RH
TFS / RFS
OUT
SCLK高后保持
t
RD
TFS / RFS
OUT
延迟从SCLK高
t
SCDH
SCLK高后保持DT
t
SCDD
SCLK高到DT禁用
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
民
最大
单位
50
5
10
20
0.25 t
CK
0
0
20
0
20
0.25 t
CK
+ 15
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLKOUT
t
CC
t
CC
t
SCK
t
SCP
SCLK
t
SCS
DR
RFS
IN
TFS
IN
t
SCH
t
SCP
t
RD
t
RH
RFS
OUT
TFS
OUT
t
SCDD
t
SCDV
t
SCDE
t
SCDH
DT
图2.串行端口
绝对最大额定值*
电源电压（V
DD
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至7.0 V
电源电压（AV
DD
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至7.0 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
输出电压摆幅。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围（环境） 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
焊接温度（ 5秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 280℃
*应力大于上述所列可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只;该装置的这些功能操作
或任何其他条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
订购指南
模型
ADMC300BST
ADMC300-ADVEVALKIT
ADMC300-PB
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
指令
率
25 MHZ
包
描述
80引脚塑料薄型四方扁平封装（ TQFP ）
开发工具套件
评价/处理器板
包
选项
ST-80
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADMC300具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–5–
QQ：2880707522 复制
