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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1321页 > ADM7160AUJZ-1.8-R2
数据表
特点
54分贝100千赫PSRR性能
超低噪声独立的V
OUT
3 μV RMS, 0.1 Hz至10 Hz
9.5 μV RMS, 0.1赫兹到100千赫
9 μV RMS, 10 Hz至100 kHz的
17 μV RMS, 10 Hz至1 MHz的
低压差: 150 mV的200 mA负载
最大输出电流:200mA
输入电压范围: 2.2 V至5.5 V
低静态电流和关断电流
初始精度: ± 1 %
线路,负载和温度精度: -2.5 % / + 1.5 %
5引脚TSOT封装和6引脚LFCSP封装
V
IN
= 2.9V
C
IN
4.7F
超低噪声,
200毫安线性稳压器
ADM7160
应用电路
ADM7160
1
VIN
GND
EN
VOUT
5
V
OUT
= 2.5V
C
OUT
4.7F
2.5V至5V
2
ON
关闭
3
NC
4
NC =无连接
VDD
IN +
0V至V
REF
VREF
DVDD
数字
产量
11334-101
1.8V至5V
16位/ 18位ADC
IN-
VDD
应用
ADC / DAC电源
RF , VCO和PLL电源
交直流 - 直流调节
图1 。
ADM7160
供电的16位/ 18位ADC
概述
ADM7160
是一款超低噪声,低压差线性
稳压器,采用2.2 V至5.5 V ,并提供高达
200毫安输出电流。低150 mV的压降电压
200毫安负载提高了效率,使操作过
宽输入电压范围。
使用一个创新的电路拓扑结构,所述
ADM7160
实现
而不需要一个旁通超低噪声性能
电容,从而使该器件非常适用于噪声敏感的模拟
前端和RF应用。该
ADM7160
还实现
不影响PSRR超低噪声性能或
瞬态电压和负载的性能。
电流限制和热过载保护电路可以防止
在不利条件下的损坏。该
ADM7160
还包括
在EN输入一个内部下拉电阻。
ADM7160
是专门为稳定运行而设计
用微小的1 μF ,±30 %陶瓷输入和输出电容
满足高性能的要求,空间受限
应用程序。
ADM7160
在小巧的5引脚TSOT和6引脚可用
LFCSP封装有16个固定输出电压选项,范围
从1.1 V至3.3 V的LFCSP封装提供了一个非常紧凑的解决方案
这为应用程序提供出色的散热性能
需要最大输出电流为200mA的小型化,低
简介足迹。
第0版
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
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信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
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第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
ADM7160
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
应用电路................................................ ........................... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
输入和输出电容器,推荐规格... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热数据................................................ ................................ 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
数据表
典型性能特征.............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 13
启用功能................................................ ............................ 13
软启动................................................ ...................................... 14
限流和热过载保护................. 14
应用信息................................................ .............. 15
电容选择................................................ .................... 15
散热注意事项................................................ ............ 16
PCB布局考虑............................................... ....... 19
典型应用电路............................................... .......... 20
外形尺寸................................................ ....................... 21
订购指南................................................ .......................... 22
修订历史
6月13日 - 修订版0 :初始版
第0版|第24 2
数据表
特定网络阳离子
ADM7160
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V)或2.2 V ,以较大者为准; EN = V
IN
, I
负载
= 10毫安,C
IN
= C
OUT
= 1 μF ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表1中。
参数
输入电压范围
工作电源电流
符号
V
IN
I
GND
测试条件/评论
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 0 μA
I
负载
= 0 μA ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 100 μA
I
负载
= 100 μA ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 10毫安
I
负载
= 10毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 200毫安
I
负载
= 200毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
EN = GND
EN = GND ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 10毫安
100 μA <我
负载
< 200毫安,V
IN
= (V
OUT
+
0.4 V)至5.5 V ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
< 1.8 V
V
OUT
≥ 1.8 V
V
OUT
= 2.5 V ,T
J
- 25 ° C至85°C
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V)至5.5 V ,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 100 μA在200 mA
I
负载
= 100 μA到200毫安,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 100 μA在200 mA
I
负载
= 100 μA到200毫安,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 10毫安
I
负载
= 10毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
负载
= 200毫安
I
负载
= 200毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 3.3 V
T
J
= 0 ° C至125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
2.2
典型值
10
20
20
40
60
90
265
350
0.2
1
1.0
+1
最大
5.5
单位
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
%
关断电流
输出电压精度
I
GND -SD
V
OUT
3
2.5
29
0.05
+2
+1.5
+0.05
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
V
OUT
< 1.8 V
温度系数
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/I
负载
%
%
PPM /°C的
%/V
0.006
0.012
0.003
0.008
10
30
150
230
220
180
300
400
1.96
1.28
120
% / mA的
% / mA的
% / mA的
% / mA的
mV
mV
mV
mV
μs
mA
V
V
mV
C
C
V
V
μV RMS
μV RMS
μV RMS
μV RMS
V
OUT
≥ 1.8 V
输入输出电压差
1
V
启动时间
2
限流门限
3
欠压锁定
输入电压崛起
输入电压下降
迟滞
热关断
热关断阈值
热关断迟滞
EN输入
EN输入逻辑高电平
EN输入逻辑低
EN输入下拉电阻
输出噪声
t
启动
I
极限
UVLO
UVLO
上升
UVLO
秋天
UVLO
HYS
TS
SD
TS
SD- HYS
V
IH
V
IL
R
EN
OUT
噪音
T
J
升起
150
15
1.2
0.4
2.6
3
9.5
9
17
2.2 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
2.2 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
V
IN
= V
EN
= 5.5 V
V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2.5 V
0.1赫兹到10赫兹
0.1赫兹至100千赫兹
10赫兹至100千赫兹
10赫兹至1 MHz
第0版|第24 3
ADM7160
参数
电源抑制比
V
IN
= V
OUT
+ 0.5 V
符号
PSRR
测试条件/评论
I
负载
= 100毫安
100千赫兹,V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 3.3 V
500千赫,V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 3.3 V
1兆赫,V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 3.3 V
100千赫兹,V
IN
= 3.0 V, V
OUT
= 2.5 V
500千赫,V
IN
= 3.0 V, V
OUT
= 2.5 V
1兆赫,V
IN
= 3.0 V, V
OUT
= 2.5 V
100千赫兹,V
IN
= 4.3 V, V
OUT
= 3.3 V
500千赫,V
IN
= 4.3 V, V
OUT
= 3.3 V
1兆赫,V
IN
= 4.3 V, V
OUT
= 3.3 V
100千赫兹,V
IN
= 3.5 V, V
OUT
= 2.5 V
500千赫,V
IN
= 3.5 V, V
OUT
= 2.5 V
1兆赫,V
IN
= 3.5 V, V
OUT
= 2.5 V
典型值
49
43
43
46
44
44
54
46
46
49
47
47
数据表
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
V
IN
= V
OUT
+ 1 V
电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。该规范仅适用于
输出电压大于2.2V。
2
启动时间被定义为时间从EN的上升沿到当V
OUT
是90 %,其标称值。
3
限流阈值被定义为输出电压下降到90%的指定的典型值的电流。例如,电流限制为3.0 V的输出
电压被定义为电流使输出电压将下降到90%为3.0V (即, 2.7 V) 。
1
输入和输出电容器,推荐规格
T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
表2中。
参数
最小输入和输出电容
1
电容的ESR
1
符号
C
R
ESR
0.7
0.001
典型值
最大
0.2
单位
F
Ω
最小输入和输出电容应大于0.7 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件
应用程序必须在设备的选择来考虑,以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议;
Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO稳压器的使用。欲了解更多信息,请参阅输入和输出电容特性部分。
第0版|第24 4
数据表
绝对最大额定值
表3中。
参数
VIN至GND
VOUT到GND
EN到GND
存储温度范围
工作结温范围
工作环境温度范围
焊接条件
等级
0.3 V至6.5 V
-0.3 V至VIN
0.3 V至6.5 V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
JEDEC J- STD- 020
ADM7160
θ的指定值
JA
是基于一个4层, 4英寸×3英寸
印刷电路板( PCB)上。见JEDEC JESD51-7和JESD51-9
关于板施工的详细信息。如需更多信息
息有关的LFCSP封装,见
AN- 772应用
注意,
设计与制造指南的引脚架构芯片
级封装( LFCSP ) 。
Ψ
JB
是结到电路板的热特性参数
与℃/单位W的Ψ
JB
包是基于建模和
使用4层板的计算。
JEDEC JESD51-12 ,
准则报告和使用电子
封装的热信息,
说热特性
参数是不一样的热阻。 Ψ
JB
措施
组件功率流经多个散热通道,
而不是通过单个路径中的热阻( θ
JB
).
因此, Ψ
JB
热通路中包括顶对流
包,以及辐射从包,这些因素
让Ψ
JB
更多有用的在现实世界的应用程序。
最高结温(T
J
)从所计算的
电路板温度(T
B
)和功耗(P
D
)使用
下式:
T
J
=
T
B
+ (P
D
×
Ψ
JB
)
见JEDEC JESD51-8和JESD51-12更详细的Infor公司
息约Ψ
JB
.
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
热数据
绝对最大额定值仅适合单独应用,而不是在
组合。该
ADM7160
可能被损坏时junc-
化温度超出限制。环境监测
温度不保证那件T
J
是在规定的
温度限制。
在高功耗和PCB较差的应用
耐热性,最高环境温度可以
需要进行降额。在中等功率应用
耗散和PCB热阻较低,最高
环境温度可能超过最大限制,只要
作为结温中的规格界限。
结温度(T
J
)该装置的依赖于
环境温度(T
A
) ,该装置的功率耗散
(P
D
) ,并在该结点至环境热阻
包( θ
JA
). T
J
使用下面的公式计算:
T
J
=
T
A
+ (P
D
×
θ
JA
)
结点到环境的热阻( θ
JA
)的包
是基于使用4层板的建模和计算。 θ
JA
高度依赖于应用程序和电路板布局。在应用程序
阳离子高的地方,最大功耗存在,接近
注意热板的设计是必需的。 θ的值
JA
可能会发生变化,这取决于PCB材料,布局和环境
条件。
热阻
θ
JA
JB
对于最坏情况的条件下被指定,也就是一个
器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。
表4.热阻
套餐类型
5引脚TSOT
6引脚LFCSP
θ
JA
170
63.6
Ψ
JB
43
28.3
单位
° C / W
° C / W
ESD警告
第0版|第24 5
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    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    ADM7160AUJZ-1.8-R2
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    -
    -
    -
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    ADM7160AUJZ-1.8-R2
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