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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1418页 > ADG719BRM
a
特点
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
4 （最大值）导通电阻
0.75 （典型值）导通电阻平坦度
-3 dB带宽>200兆赫
轨到轨工作
6引脚SOT- 23封装， 8引脚SOIC封装
快速开关时间
t
ON
20纳秒
t
关闭
6纳秒
典型功耗（ <0.01 W）
TTL / CMOS兼容
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
低电压4
CMOS
SPDT开关
ADG719
D
功能框图
ADG719
S2
S1
IN
开关所对于逻辑"1"输入
产品亮点
概述
1. +1.8 V至+5.5 V单电源供电。该ADG719
提供高性能，包括低导通电阻和快速
开关时间和完全指定，并保证使用
+3 V和+5 V电源轨。
2.非常低R
ON
(4
最多在5 V ， 10
最多在3 V ） 。在1.8 V
操作中，R
ON
通常为40
在整个温度范围内。
3.导通电阻平坦度（R
平（ON）的
) (0.75
典型值）。
4， -3 dB带宽>200兆赫。
5.低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
6.快速吨
ON
/t
关。
7.微型6引脚SOT- 23和8引脚
μSOIC
包。
该ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷开关。此开关
是设计上的亚微米工艺，提供低功率
功耗，高开关速度，低导通电阻和
低泄漏电流。
该ADG719可以从+ 1.8V单电源范围内工作
到+5.5 V ，因此非常适合于电池供电的仪器使用
与新一代的模拟DAC和ADC
设备。
该ADG719的各开关导电性能相同，在两个二
rections时。该ADG719展品突破前先
开关动作。
因为高级亚微米工艺， -3分贝带宽
大于200兆赫，可实现的。
该ADG719是采用6引脚SOT- 23封装和
8-lead
μSOIC
封装。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
ADG719–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
关断隔离
0.75
1
(V
DD
= +5 V
注意）。
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
5
单位
V
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
4
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V
测试电路3
0.1
0.4
1.2
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.35
±
0.35
2.4
0.8
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
14
20
3
6
8
1
–67
–87
–62
–82
200
7
27
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路8
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
ADG719
= +3 V
的10％ ， GND = 0V。所有规格-40 ℃至85 ℃，除非另有说明。 ）
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
7
10
0.1
0.4
2.5
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
6
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安，
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V,
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 3 V,
测试电路3
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
关断隔离
±
0.35
±
0.35
2.0
0.4
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
16
24
4
7
8
1
–67
–87
–62
–82
200
7
27
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ，测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路8
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
笔记
1
温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG719
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
术语
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
μSOIC
封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 315毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
SOT- 23封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 282毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 229.6 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91.99 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1千伏
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对的马克西 -
妈妈等级可能在任一时刻被应用。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
表一，表真相
ADG719 IN
0
1
开关S1
ON
关闭
开关S2
关闭
ON
销刀豆网络gurations
6引脚SOT- 23
(RT-6)
IN
1
V
DD 2
6
8引脚SOIC
(RM-8)
S2
最积极的供电潜力。
接地（ 0 V ）参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻任意两个通道之间的匹配
即，R
ON
马克斯 - R的
ON
分钟。
R
平（ON）的
平整度是指之间的差
的导通电阻为最大值和最小值
测量在指定的模拟信号范围。
源漏电流与开关“OFF”。
I
S
（关闭）
I
D
, I
S
（ON）的信道的泄漏电流与开关“ON”。
V
D
(V
S
)
在端D ，S模拟电压
C
S
（关闭）
“ OFF”开关的源极电容。
C
D
（关闭）
“ OFF”开关漏极电容。
C
D
, C
S
（ON）的“ON”的开关电容。
t
ON
施加的数字控制输入之间的延迟
和输出开关上。
t
关闭
施加的数字控制输入之间的延迟
并输出开关关闭。
t
D
“ON”的时间之间所测量的“关”的时间或
两个开关的90 ％点，切换时
从一个地址状态到另一个状态。
相声
衡量无用信号的耦合
通过从一个通道到另一个作为结果
的寄生电容。
关断隔离，通过衡量耦合的无用信号
一个“关闭”开关。
带宽，这时，输出被衰减的频率
由-3分贝。
在回应“开”开关的频率效应初探。
损耗
跨越“ON”的开关上看到的电压降
接通响应与频率的情节有多少
分贝的信号距离0分贝在非常低的
频率。
V
DD
GND
S
D
IN
R
ON
R
ON
D
1
S1
2
8
S2
顶视图
5
D
（不按比例）
4
GND
3
S1
ADG719
ADG719
7
NC
顶视图
GND
3
（不按比例）
6
IN
V
DD 4
5
NC
NC =无连接
订购指南
模型
ADG719BRM
ADG719BRT
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
品牌*
S5B
S5B
包装说明
μSOIC
（ MicroSmall外形集成电路）
SOT- 23 （塑料表面贴装）
封装选项
RM-8
RT-6
*品牌=由于封装尺寸的限制，这三个字符所代表的零件编号。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG719具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
典型性能特征 - ADG719
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
R
ON
–
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
10n
100
I
供应
– A
10m
V
DD
= 2.7V
V
DD
= +5V
T
A
= +25 C
1m
V
DD
= 3.0V
V
DD
= 4.5V
10
1
V
DD
= 5.0V
100n
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - V
1n
1
10
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
100M
图1.电阻V的功能
D
(V
S
）单
耗材
图4.电源电流与输入开关频率
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–40 C
3.5
R
ON
–
–30
V
DD
= +3V
+85 C
截止隔离 - 分贝
V
DD
= +5V, +3V
–40
–50
–60
–70
–80
–90
–100
–110
–120
+25 C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
1.0
1.5
2.0
2.5
0.5
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - V
3.0
–130
10k
100k
1M
10M
频率 - 赫兹
100M
图2.导通电阻V的功能
D
(V
S
）的
不同温度V
DD
= 3 V
图5.关断隔离与频率的关系
6.0
5.5
5.0
4.5
V
DD
= +5V
–30
V
DD
= +5V, +3V
–40
–50
串扰 - 分贝
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4.0
3.5
+85 C
–60
–70
–80
–90
–100
–110
–120
R
ON
–
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
+25 C
–40 C
–130
10k
100k
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - V
1M
10M
频率 - 赫兹
100M
图3.导通电阻V的功能
D
(V
S
）的
不同温度V
DD
= 5 V
图6.串扰与频率的关系
REV 。一
–5–
CMOS 1.8 V至5.5 V ， 2.5 Ω
2 ： 1多路复用器/ SPDT采用SOT -23开关
ADG719
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
4 Ω （最大值）导通电阻
0.75 Ω （典型值）的导通电阻平坦度
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
6引脚SOT- 23封装和8引脚MSOP封装
快速开关时间：
t
ON
= 12 ns的
t
关闭
= 6纳秒
典型功耗： （ < 0.01 μW ）
TTL / CMOS兼容
功能框图
ADG719
S2
D
S1
IN
08708-001
笔记
1.开关所对于逻辑1输入。
图1 。
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
概述
该ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷开关。此开关
是设计上的亚微米工艺，提供低功率
功耗，高开关速度，低导通电阻，
和低泄漏电流。
该ADG719可以从1.8 V单电源范围内工作
至5.5 V ，因此非常适合于电池供电的仪器使用
与新一代的模拟DAC和ADC
设备公司
该ADG719的各开关导电性能相同，在两个
方向时。该ADG719展品突破前先
开关动作。
因为高级亚微米工艺， -3分贝带宽
大于200兆赫，可实现的。
该ADG719是采用6引脚SOT- 23封装和
8引脚MSOP封装。
产品亮点
1.
1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG719
提供高的性能，包括低导通电阻和
快速的切换时间，并且被完全指定，并保证
3 V和5 V电源轨。
非常低R
ON
（ 4 Ω最大为5 V和10 Ω最大为3 V ） 。在1.8 V
操作中，R
ON
是在整个温度范围通常为40 Ω 。
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C 。
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
） （ 0.75 Ω典型值） 。
-3 dB带宽> 200兆赫。
低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
快速吨
ON
/t
关闭
.
微小的， 6引脚SOT- 23和8引脚MSOP封装。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113 2002-2010 ADI公司保留所有权利。
ADG719
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ........................................ 9
术语................................................. ................................... 11
应用信息................................................ .............. 12
ADG719电源电压............................................... ........... 12
在响应与频率............................................. ......... 12
关断隔离................................................ ................................ 12
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
3月10日 - 修订版。 C到Rev. D的
移除B版本的文本..............................................纵观
图1 ..............................................变化............................ 1
删除尾注1 （表1） ........................................... ................. 3
删除尾注1 （表2） ........................................... ................. 4
图2 ..............................................变化............................ 6
更改订购指南.............................................. ............ 14
12/09 -REV 。 B到C版
更新格式................................................ ..................通用
更改表3 .............................................. .............................. 5
添加表4 ............................................... ..................................... 6
更改名词科.............................................. .... 11
更新的外形尺寸............................................... ........ 13
更改订购指南.............................................. ............ 14
7月2日 - 修订版。 A到版本B.
更改产品名称.............................................. ................. 1
更改功能............................................... ........................... 1
补充产品亮点.............................................. ...... 1
更改规格............................................... ................. 2
编辑绝对最大额定值............................................. 4
更改术语............................................... ................... 4
编辑订购指南.............................................. .................... 4
增加了新的TPC 4和5 ............................................ ................... 5
取代TPC 10 ............................................... ................................ 6
测试电路6 ，图7和8代替......................................... .......... 7
更新RM - 8和RT - 6包装说明................................. 9
修订版D |第16页2
ADG719
特定网络阳离子
V
DD
= 5伏±10％ ， GND = 0V。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
2.5
4
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流I
S
（关闭）
来源OFF泄漏
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
关断隔离
0.75
1.2
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
1.5
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图14
测试条件/评论
5
0.1
0.4
7
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
参见图15
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V;
见图16
0.4
±0.35
±0.35
1
5
2.4
0.8
0.005
±0.1
7
12
3
6
8
1
67
87
62
82
200
7
27
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图17
RL = 300 Ω ，C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ;见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图20
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图21
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
0.001
1.0
μA （典型值）
μA（最大值）
1
通过设计保证，不受生产测试。
修订版D |第16页3
ADG719
V
DD
= 3V ±10％ ， GND = 0V。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
关断隔离
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
6
7
10
0.1
0.4
2.5
12
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图14
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
参见图15
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 3 V;
见图16
0.4
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.35
±0.35
1
5
2.0
0.8
0.005
±0.1
10
15
4
8
8
1
67
87
62
82
200
7
27
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ;参见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图20
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图21
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
0.001
1.0
μA （典型值）
μA（最大值）
1
通过设计保证，不受生产测试。
修订版D |第16页4
ADG719
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟，数字输入
1
等级
-0.3 V至+7 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
第一次
百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比
周期最大值）
30毫安
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
315毫瓦
206°C/W
44°C/W
282毫瓦
229.6°C/W
91.99°C/W
300°C
220°C
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
只有一个最大额定值可以在任一时间施加。
峰值电流，S或D
连续电流，S或D
工作温度范围
存储温度范围
结温
MSOP封装，功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
SOT- 23封装，功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
无铅焊接
焊接温度，焊接
（10秒）的
IR回流焊，峰值温度
（ <20秒）
焊接（无铅）
回流焊，峰值温度
在峰值温度的时间
ESD
1
ESD警告
260(+0/5)°C
20秒40秒
1千伏
过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前
应限制在给定的最大额定值
修订版D |第16页5
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