特点
工作电压： 3.3V
访问时间：
- 15纳秒
非常低的功耗
- 活动： 650毫瓦（最大） @ 15纳秒， 540毫瓦（最大） @ 25纳秒
- 待机： 3.3毫瓦（典型值）
宽温度范围： -55 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米抗辐射工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
@125°C
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
500密耳宽FP36包
ESD优于4000V
质量等级：
- QML -Q或V
- ESCC
抗辐射
512K ×8
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142H
描述
该AT60142H是组织为524 288 ×8位的一个非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述AT60142H结合了
极低的待机电流（典型值= 1 mA），其中以快速的存取时间
15纳秒或更好的在整个军用温度范围内。在6T单元的高稳定性
提供出色的保护，防止由于噪声软错误。
该AT60142H是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535或ESCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
7834A–AERO–10/09
1
AT60142H
框图
引脚配置
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
VCC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
VCC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
注意：
NC引脚没有内部粘合。所以，它们可以被连接到GND或Vcc的。
36 - 针-Flatpack - 500密尔
2
7834A–AERO–10/09
引脚说明
表1中。
引脚名称
名字
A0 - A18
I / O1 - I / O8
CS
WE
OE
VCC
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
表2中。
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
注意：
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
H
输入/输出
Z
数据输出
DATA IN
Z
模式
取消/省电
读
写
输出禁用
1， L =低， H =高， X = L或H， Z =高阻抗。
3
AT60142H
7834A–AERO–10/09
AT60142H
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位： ....................... -0.5V + 4.6V
电压范围上的任何输入： ...................... GND -0.5V至4.6V
电压范围内的任何输出中： ..................... GND -0.5V至4.6V
存储温度： ................................... -65C至+ 150C
输出电流从输出引脚： ................................ 20毫安
静电放电电压： ............................... > 4000V
（ MIL STD 883D方法3015 ）
*注意：
强调超越那些"Abso-下上市
琵琶最大值“，可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个应力
值仅为的功能操作
设备在这些或任何其他条件
超越那些在操作说明
本规范的部分将得不到保证。
推荐的DC之间的接触
操作和绝对最大额定值
长时间条件下可能
影响器件的可靠性。
军事工作范围
工作电压
3.3
+
0.3V
工作温度
-55 ° C至+ 125°C
建议的直流工作条件
参数
VCC
GND
V
IL
V
IH
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
民
3.0
0.0
GND - 0.3
2.2
典型值
3.3
0.0
0.0
–
最大
3.6
0.0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
电容
参数
C
in(1)
C
out(1)
注意：
描述
输入电容
输出电容
民
–
–
典型值
–
–
最大
12
12
单位
pF
pF
1.保证，但未经测试。
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DC参数
DC测试条件
TA = -55 ° C至+ 125°C ; VSS = 0V ; V
CC
= 3.0V至3.6V
参数
IIX
(1)
IOZ
(1)
VOL
(2)
VOH
(3)
1.
描述
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
最低
-1
-1
–
2.4
典型
–
–
–
–
最大
1
1
0.4
–
单位
μA
μA
V
V
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
， GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
输出禁用。
2.
3.
V
CC
分钟。我
OL
= 8毫安
V
CC
分钟。我
OH
= -4毫安。
消费
符号
I
CCSB （1）
I
CCSB1 （2）
描述
待机电源电流
待机电源电流
TAVAV / TAVAW
测试条件
–
–
15纳秒
25纳秒
50纳秒
1 s
15纳秒
25纳秒
50纳秒
1 s
AT60142H-15
2.5
2.0
180
150
75
10
150
130
120
100
单位
mA
mA
价值
最大
最大
I
CCOP(3)
读
动态工作电流
mA
最大
I
CCOP(4)
写
动态工作电流
mA
最大
1.
2.
3.
4.
CS
＆ GT ; V
IH
CS
＆ GT ;
V
CC
- 0.3V
F = 1/
tAVAV
, I
OUT
= 0 mA时， WE = OE = V
IH
, V
IN
= GND / V
CC
, V
CC
马克斯。
F = 1/
TAVAW
, I
OUT
= 0 mA时， WE = V
IL
， OE = V
IH
, V
IN
= GND / V
CC
, V
CC
马克斯。
5
AT60142H
7834A–AERO–10/09
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