a
CMOS ，低压
串行控制，八通道SPST开关
ADG714/ADG715
功能方框图
ADG714
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
输入移位
注册
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
DOUT
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
接口
逻辑
RESET
SCLK DIN
SYNC复位
SDA
SCL
A0
A1
特点
ADG714 SPI / QSPI / MICROWIRE 兼容接口
ADG715我
2
C兼容接口
2.7 V至5.5 V单电源供电
2.5 V双电源供电
2.5导通电阻
0.6导通电阻平坦度
100 pA的泄漏电流
八通道SPST
上电复位
快速开关时间
TTL / CMOS兼容
小型TSSOP封装
应用
数据采集系统
通信系统
继电器更换
音频和视频切换
ADG715
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
概述
该ADG714 / ADG715 CMOS是，八进制SPST （单刀
单掷）开关，通过一根2线或3线串行控制
界面。上电阻开关之间紧密匹配
非常平坦，在整个信号范围。每个开关的导电性能相同
在两个方向，并在输入信号范围延伸到
耗材。数据被写入到这些设备中的8位的形式
每个位对应于一个信道。
该ADG714采用三线式串行接口，兼容
与SPI， QSPI和MICROWIRE和大多数DSP接口
标准。移位寄存器的输出，DOUT使
将菊花链方式连接这些部件的数量。
该ADG715采用2线串行接口，兼容
与我
2
C接口标准。该ADG715有四个硬连线
地址，由两个外部地址引脚（ A0和A1 ）可选。
这使得2个LSB的7位从机地址被设置
该用户。最多4这些设备可以连接
到总线。
在上电时，这些设备中，所有开关都处于断开CON-
DITION ，和内部寄存器包含全零。
低功耗和2.7 V至工作电源电压范围
5.5 V，使这器件非常适合许多应用。这些部件
还可以由一个双重供给
±
2.5 V电源。该ADG714
和ADG715均提供小型24引脚TSSOP封装。
产品亮点
1， 2或3线串行接口
2.单/双电源供电。该ADG714和ADG715
完全有特定网络版，并保证与3 V ， 5 V和
±
2.5 V
电源轨。
3.低导通电阻，通常为2.5
Ω
4.低漏
5，上电复位
6.小型24引脚TSSOP封装
SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。
I
2
C是飞利浦公司的商标。
启示录
C
文档反馈
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真：
781/461-3113
ADI公司，
2013
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
ADG714/ADG715–SPECIFICATIONS
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入（ SCLK ， DIN ，
SYNC ，
A0, A1)
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
2
数字输出ADG714 DOUT
输出低电压
C
OUT
数字输出电容
数字输入（ SCL ， SDA ）
2
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
I
IN
，输入漏电流
V
HYST
，输入滞后
C
IN
，输入电容
逻辑输出（ SDA ）
2
V
OL
，输出低电压
动态特性
2
t
ON
ADG714
t
ON
ADG715
t
关闭
ADG714
t
关闭
ADG715
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
1
DD
=5V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）。
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
单位
测试条件/评论
2.5
4.5
0.6
0 V至V
DD
V
Ω
典型值
5
Ω
最大
0.4
Ω
典型值
0.8
Ω
最大
Ω
典型值
1.2
Ω
最大
±
0.3
±
0.3
±
0.3
2.4
0.8
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
pF的典型值
V最大
pF的典型值
V分钟
V最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
V分钟
pF的典型值
V最大
V最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA
典型值
μA
最大
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
0.005
3
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
0.4
4
0.7 V
DD
V
DD
+ 0.3
–0.3
0.3 V
DD
0.005
0.05 V
DD
6
0.4
0.6
20
32
95
140
8
15
85
130
8
±
3
–60
–80
–70
–90
155
11
11
22
10
20
1
±
1
I
SINK
= 6毫安
V
IN
= 0 V到V
DD
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 6毫安
V
S
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
–2–
启示录
C
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
ADG714/ADG715
DD
=3V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）。
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
单位
测试条件/评论
6
11
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入（ SCLK ， DIN ，
SYNC ，
A0, A1)
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
2
数字输出ADG714 DOUT
输出低电压
C
OUT
数字输出电容
数字输入（ SCL ， SDA ）
2
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
I
IN
，输入漏电流
V
HYST
，输入滞后
C
IN
，输入电容
逻辑输出（ SDA ）
2
V
OL
，输出低电压
动态特性
2
t
ON
ADG714
t
ON
ADG715
t
关闭
ADG714
t
关闭
ADG715
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
0 V至V
DD
V
Ω
典型值
12
Ω
最大
0.4
Ω
典型值
1.2
Ω
最大
3.5
Ω
典型值
±
0.3
±
0.3
±
0.3
2.0
0.8
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
pF的典型值
V最大
pF的典型值
V分钟
V最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
V分钟
pF的典型值
V最大
V最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA
典型值
μA
最大
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V
V
S
= V
D
= 1 V或3V的
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
0.005
3
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
0.4
4
0.7 V
DD
V
DD
+ 0.3
–0.3
0.3 V
DD
0.005
0.05 V
DD
6
0.4
0.6
35
65
130
200
11
20
115
180
8
±
2
–60
–80
–70
–90
155
11
11
22
10
20
1
±
1
I
SINK
= 6毫安
V
IN
= 0 V到V
DD
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 6毫安
V
S
= 2 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
启示录
C
–3–
ADG714/ADG715–SPECIFICATIONS
双电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
2
数字输出ADG714 DOUT
2
输出低电压
C
OUT
数字输出电容
数字输入（ SCL ， SDA ）
2
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
I
IN
，输入漏电流
V
HYST
，输入滞后
C
IN
，输入电容
逻辑输出（ SDA ）
2
V
OL
，输出低电压
动态特性
2
t
ON
ADG714
t
ON
ADG715
t
关闭
ADG714
t
关闭
ADG715
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
DD
1
= +2.5 V ± 10%, V
SS
= -2.5伏± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明）。
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
单位
测试条件/评论
2.5
4.5
0.6
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
V
SS
到V
DD
V
Ω
典型值
5
Ω
最大
0.4
Ω
典型值
0.8
Ω
最大
Ω
典型值
1
Ω
最大
±
0.3
±
0.3
±
0.3
1.7
0.7
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
pF的典型值
V最大
pF的典型值
V分钟
V最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
V分钟
pF的典型值
V最大
V最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA
典型值
μA
最大
μA
典型值
μA
最大
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= +2.75 V, V
SS
= –2.75 V
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V
V
S
= V
D
= +2.25 V/–1.25 V
0.005
3
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
0.4
I
SINK
= 6毫安
4
0.7 V
DD
V
DD
+ 0.3
–0.3
0.3 V
DD
0.005
0.05 V
DD
6
0.4
0.6
20
32
133
200
8
18
124
190
8
±
3
–60
–80
–70
–90
155
11
11
22
15
25
15
25
1
±
1
V
IN
= 0 V到V
DD
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 6毫安
V
S
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
V
DD
= +2.75 V, V
SS
= –2.75 V
数字输入= 0 V或
V
DD
–4–
启示录
C
ADG714/ADG715
ADG714时序特性
1, 2
(V
参数
f
SCLK
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9 3
在T限制
民
, T
最大
30
33
13
13
0
5
4.5
0
33
20
DD
= 2.7 V至5.5 V.所有特定网络阳离子-40℃到+ 85℃ ，除非另有说明。 ）
条件/评论
SCLK周期频率
SCLK周期时间
SCLK高电平时间
SCLK低电平时间
SYNC
到SCLK上升沿建立时间
数据建立时间
数据保持时间
SCLK下降沿到
SYNC
上升沿
最低
SYNC
高时间
SCLK上升沿到DOUT有效
单位
兆赫最大
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
笔记
1
参见图1 。
2
所有的输入信号是特定网络连接编辑与指定tR = tF = 5纳秒（10％ 90 ％的V
DD
）和定时从一个电压电平（V
IL
+ V
IH
)/2.
3
C
L
= 20 pF的，R
L
= 1 kΩ.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
t
1
SCLK
t
8
t
4
SYNC
t
2
t
3
t
7
t
6
t
5
DIN
DB7
DB0
t
9
DOUT
*
数据
DB7
*
DB6
*
DB2
*
DB1
*
DB0
*
从前面的写周期
图1. 3线串行接口时序图
启示录
C
–5–
QQ：2881677436 复制
