3 V / + 5 V / ± 5 V CMOS 4和8通道
模拟多路复用器
ADG658/ADG659
特点
± 2 V至± 6 V双电源供电
2 V至12 V单电源供电
汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C
<0.1 nA的漏电流
45 Ω的电阻在整个信号范围
轨到轨开关工作
单8选1多路复用器ADG658
差分4 ：1多路复用器ADG659
采用16引脚LFCSP / TSSOP / QSOP封装
典型功耗<0.1 μW
TTL / CMOS兼容输入
包升级到74HC4051 / 74HC4052和
MAX4051/MAX4052/MAX4581/MAX4582
多路分解器和具有延伸至所述输入范围
耗材。所有通道表现出先开后合式开关
行动，防止短路瞬时切换时
通道。所有数字输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值，
确保TTL / CMOS逻辑兼容使用时，单
+5 V或±5 V双电源。
该ADG658和ADG659采用16引脚TSSOP封装/
QSOP封装和16引脚的4 mm× 4 mm LFCSP封装包。
产品亮点
1.单，双电源供电。
的ADG658和ADG659提供高性能且
完全指定，并保证有± 5 V ，+ 5 V和3 V
电源轨。
2.汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C 。
3.低功耗，典型<0.1 μW 。
4. 16引脚的4 mm× 4 mm LFCSP封装封装， 16引脚TSSOP
封装和16引脚QSOP封装。
应用
汽车应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
通信系统
音频和视频信号路由
继电器更换
采样保持系统
工业控制系统
功能框图
ADG658
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1第8
解码器
S4B
1 4
解码器
ADG659
概述
该ADG658和ADG659是低电压， CMOS模拟
多路复用器由8个单通道和四
差分通道。该ADG658开关的一个
8输入（ S1-S8） ，以共同的输出，D，如由下式确定
的3位二进制地址线A0，A1和A2 。该ADG659
开关的四个差分输入之一到公共差分
输出，如由2位二进制地址线A0确定和
A1 。提供EN输入，两个设备上，用于启用或禁用
该设备。禁用时，所有通道被关闭。
这些部件在增强过程中，提供设计
低功耗，高开关速度。这些
部分可以同样出色工作为多路复用器或
A0
A1
A2
EN
A0
A1
EN
开关所对于逻辑1输入
图1 。
REV 。一
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03273-0-001
ADG658/ADG659
目录
产品规格：双电源.............................................. ............... 3
产品规格：单电源5V ............................................. 5 ........
产品规格：单电源2.7 3.6 V ...................................... 7
绝对最大额定值............................................... ............. 9
ESD注意事项................................................ .................................. 9
引脚配置和功能描述........................... 11
典型性能特征........................................... 13
测试电路................................................ ................................ 16
外形尺寸................................................ ....................... 19
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
7月4日，数据表，从第0更改为版本A
更新格式................................................ ..............通用
加入QSOP封装外形.............................................. .... 20
更改订购指南.............................................. ......... 20
3月3日 - 修订版。 0 ：初始版
版本A |第20页2
ADG658/ADG659
规格：双电源
V
DD
= +5 V ± 10%, V
SS
= -5V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表1中。
B版本
40°C
至+ 85°C
版本
40°C
to+125°C
V
SS
到V
DD
45
75
1.3
3
10
16
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.1
±0.005
±0.2
±0.1
90
3.2
17
100
3.5
18
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG658
ADG659
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG658
ADG659
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
TRANS
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
总谐波失真， THD + N
通道到通道的串扰
(ADG659)
-3 dB带宽
ADG658
ADG659
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG658
ADG659
+25°C
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
％ （典型值）
dB典型值
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= 4.5 V
V
S
= -4.5 V，I
S
= 1毫安;
测试电路1
V
S
= 3.5 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= +5 V, V
SS
= 5 V;
V
S
= -3 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
D
= ±4.5 V, V
S
=
m
4.5 V;
测试电路2
V
D
= ±4.5 V, V
S
=
m
4.5 V;
测试电路3
V
D
= V
S
= ± 4.5 V ;测试电路4
±5
±5
±2.5
±5
±2.5
2.4
0.8
0.005
±1
2
80
115
80
115
30
45
50
2
4
90
0.025
90
210
400
4
23
12
V
IN
= V
INL
或V
INH
140
140
50
165
165
55
10
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路5
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 ,
C
L
= 1 nF的;测试电路8
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;测试电路9
R
L
= 600 Ω ， 2 V P-P ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;测试电路11
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
版本A |第20页3
ADG658/ADG659
B版本
40°C
至+ 85°C
版本
40°C
to+125°C
参数
C
D
, C
S
（上）
ADG658
ADG659
电源要求
I
DD
I
SS
+25°C
28
16
0.01
单位
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
1
0.01
1
1
2
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。 版本： -40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第20页4
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