通用包装PHEMT芯片
AFP02N8-212 , AFP02N8-213
特点
s
低噪声系数,1.55 dB的4 GHz的
s
关联度高增益13 dB的4 GHz的
s
高MAG , > 15分贝@ 4GHz的
s
0.7
m
钛/钯/金·盖茨
s
表面钝化
s
低成本金属陶瓷封装
s
提供两种引线长度
s
可在磁带和卷轴包装
来源
212
门
漏
漏
来源
门
来源
213
来源
绝对最大额定值
特征
价值
6V
-3 V
I
DSS
10
A
300毫瓦
-65到+ 150°C
175°C
漏源极电压(V
DS
)
门源电压(V
GS
)
漏电流(I
DS
)
栅极电流(I
GS
)
总功率耗散( P
T
)
存储温度(T
ST
)
通道温度(T
CH
)
描述
该AFP02N8-212 213是通用包装
PHEMT芯片,具有优异的增益和噪声
通过X波段的性能,这使得它们适合于
宽范围的商业应用。该器件
采用0.7
m
钛/钯/金·盖茨和表面钝化
保证了坚固,可靠的组成部分。可在金属陶瓷
包带的二个引线长度的选择。该
组件也磁带和卷轴可用,是
准备自动插入设备。
电气规格在25℃
参数
饱和漏极电流(I
DSS
)
跨导(GM )
夹断电压(V
P
)
门源
击穿电压(V
BGS
)
噪声系数( NF)
相关的增益(G
A
)
测试条件
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V,I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V,I
DS
- 0.3毫安
I
GS
= -200
A
分钟。
25.0
30.0
-0.4
-6.0
典型值。
55.0
45.0
-1.2
8.0
1.55
12.0
13.2
2.0
-2.0
马克斯。
90.0
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
V
DS
= 2 V,I
DS
= 15 mA时, F = 4 GHz的
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
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1
通用包装PHEMT芯片
AFP02N8-212 , AFP02N8-213
典型性能数据
6
V
DS
= 2 V,I
DS
= 15毫安
5
20
8
24
10
F = 12千兆赫,V
DS
= 2 V
8
G
A
( dB)的
6
4
NF
民
( dB)的
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
2
0
6
4
10
NF
民
( dB)的
G
A
( dB)的
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
民
( dB)的
12
8
4
0
NF
民
( dB)的
4
16
G
A
( dB)的
G
A
( dB)的
频率(GHz )
I
DS
(MA )
RF最小噪声系数( NF
民
)和
相关的增益(G
A
)与频率(GHz )
100
RF最小噪声系数( NF
民
)和
相关的增益(G
A
)与漏极电流(I
DS
)
100
V
DS
= 2 V
100
通用汽车公司(MS )
l
DS
(MA )
l
DS
(MA )
50
50
50
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
-2.0
-1.0
0
1.0
0
V
DS
(V)
V
GS
(V)
直流漏电流(I
DS
)与漏极电压(V
DS
)
作为门源电压( V的功能
GS
)
直流漏电流(I
DS
)和
跨导(GM )与
门源电压(V
GS
)
典型的噪声参数
(V
DS
= 2 V,I
DS
= 15 mA)的
频率。
(千兆赫)
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
民
( dB)的
0.75
1.10
1.55
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
MAG 。
0.84
0.72
0.54
0.43
0.39
0.39
0.43
0.48
0.55
0.60
Γ
选择
ANG 。
25.40
50.20
99.00
145.40
-171.80
-133.60
-100.10
-71.10
-45.90
-23.30
R
N
/50
0.12
0.23
0.23
0.15
0.16
0.32
0.66
1.16
1.77
2.38
G
A
( dB)的
23.50
18.00
13.20
10.20
8.10
6.51
5.82
5.20
4.51
4.10
2
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通用包装PHEMT芯片
AFP02N8-212 , AFP02N8-213
典型的S参数(Ⅴ
DS
= 2 V,I
DS
= 10 mA)的
频率。
(千兆赫)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
S
11
MAG 。
0.907
0.838
0.783
0.736
0.678
0.646
0.623
0.608
0.588
0.575
0.585
0.609
0.638
0.647
0.634
0.644
0.676
ANG 。
-62.79
-90.38
-111.85
-130.94
-148.78
-169.88
170.99
156.18
144.21
128.33
105.80
88.23
80.34
70.32
57.45
43.29
29.15
MAG 。
3.464
3.023
2.621
2.336
2.121
1.963
1.757
1.586
1.507
1.460
1.400
1.286
1.209
1.154
1.114
1.058
0.988
S
21
ANG 。
127.20
105.25
86.99
71.00
57.32
41.01
25.78
13.51
2.06
-10.69
-24.70
-38.34
-49.37
-61.37
-74.60
-87.78
-100.88
MAG 。
0.064
0.081
0.089
0.940
0.097
0.100
0.094
0.085
0.082
0.087
0.092
0.092
0.099
0.108
0.117
0.126
0.133
S
12
ANG 。
50.72
34.37
21.93
11.76
4.01
-6.30
-16.83
-22.69
-21.86
-23.31
-27.09
-31.27
-31.92
-36.23
-42.67
-50.03
-58.17
MAG 。
0.668
0.624
0.597
0.578
0.541
0.529
0.498
0.478
0.489
0.478
0.448
0.412
0.413
0.433
0.457
0.440
0.410
S
22
ANG 。
-34.68
-48.83
-60.61
-69.70
-75.33
-85.97
-96.93
-106.72
-116.05
-125.41
-131.83
-143.23
-159.92
-175.05
170.14
154.96
138.93
k
0.28
0.41
0.56
0.71
0.93
1.05
1.35
1.72
1.88
1.88
1.87
2.02
1.85
1.68
1.60
1.58
1.55
S
21
( dB)的
10.79
9.61
8.37
7.37
6.53
5.86
4.90
4.01
3.56
3.29
2.92
2.19
1.65
1.24
0.94
0.49
-0.11
MAG /
MSG( dB)的
17.33
15.72
14.69
13.95
13.40
11.60
9.21
7.77
7.23
6.85
6.45
5.68
5.54
5.48
5.24
4.77
4.33
典型的S参数(Ⅴ
DS
= 2 V,I
DS
= 30 mA)的
频率。
(千兆赫)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
S
11
MAG 。
0.897
0.827
0.774
0.730
0.676
0.651
0.634
0.622
0.603
0.595
0.611
0.636
0.666
0.673
0.660
0.672
0.705
ANG 。
-67.62
-96.33
-118.37
-137.87
-156.27
-177.55
163.71
149.23
137.25
121.36
99.49
82.95
75.34
65.30
52.28
38.51
25.05
MAG 。
3.880
3.324
2.849
2.514
2.270
2.079
1.850
1.669
1.582
1.526
1.450
1.324
1.247
1.193
1.152
1.087
1.014
S
21
ANG 。
124.82
102.91
84.93
69.09
55.39
39.24
24.48
12.62
1.26
-11.54
-25.54
-38.78
-49.46
-61.23
-74.33
-87.24
-99.87
MAG 。
0.056
0.070
0.077
0.083
0.087
0.091
0.088
0.083
0.087
0.096
0.105
0.108
0.117
0.128
0.138
0.146
0.152
S
12
ANG 。
52.03
37.48
26.85
18.48
12.39
3.17
-5.10
-8.69
-7.85
-11.14
-17.16
-23.35
-26.77
-32.92
-41.04
-49.76
-58.48
MAG 。
0.532
0.496
0.477
0.465
0.436
0.428
0.401
0.384
0.396
0.385
0.355
0.316
0.314
0.335
0.359
0.340
0.308
S
22
ANG 。
-35.74
-49.61
-60.94
-69.52
-74.37
-84.64
-95.45
-105.44
-114.72
-123.78
-129.74
-141.03
-158.74
-175.09
169.60
153.84
136.82
k
0.35
0.51
0.68
0.84
1.07
1.18
1.46
1.77
1.81
1.74
1.66
1.75
1.58
1.45
1.41
1.41
1.39
S
21
( dB)的
11.78
10.43
9.09
8.01
7.12
6.36
5.34
4.45
3.98
3.67
3.23
2.44
1.92
1.53
1.23
0.73
0.12
MAG /
MSG( dB)的
18.41
16.77
15.68
14.81
12.53
11.02
9.22
7.93
7.39
7.02
6.64
5.87
5.79
5.72
5.42
4.91
4.53
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3
通用包装PHEMT芯片
AFP02N8-212 , AFP02N8-213
212
0.036 (0.91 mm)
213
0.036 (0.91 mm)
2个地方
0.020 (0.51 mm)
2个地方
门
0.07 (1.78 mm)
0.027 (0.70 mm)
4名额
来源
漏
0.070 (1.78 mm)
来源
漏
0.020 (0.51 mm)
2个地方
门
0.070 (1.78 mm)
4名额
45
来源
0.005 (0.13 mm)
4名额
来源
45
0.005 (0.13 mm)
4名额
0.067
(1.70 mm)
马克斯。
0.067
(1.70 mm)
马克斯。
4
阿尔法工业公司
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