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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1729页 > ADG633YCP-REEL7
CMOS ，± 5 V / + 5V / + 3 V ，三SPDT开关
ADG633
特点
± 2 V至± 6 V双电源供电
2 V至12 V单电源供电
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
<0.2 nA的漏电流
52 Ω的电阻在整个信号范围
轨到轨开关工作
16引脚LFCSP和TSSOP封装
典型功耗： <0.1 μW
TTL / CMOS兼容输入
包升级到74HC4053和MAX4053 / MAX4583
功能框图
S1B
D1
S1A
ADG633
S2A
D2
S2B
S3A
D3
S3B
逻辑
应用
汽车应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
通信系统
音频和视频信号路由
继电器更换
采样保持系统
工业控制系统
A0 A1 A2 EN
开关所对于逻辑1输入。
图1 。
概述
该ADG633是包括三个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷（ SPDT ）
开关。该设备为± 5 V ，+ 5 V和3 V完全指定
耗材。该ADG633开关接通与逻辑低
（或高），在适当的控制输入。每个开关导通
当对同样在两个方向上，并具有一输入信号
范围延伸到供应。提供EN输入，用来使能
或禁用该设备。当设备被禁用，所有通道
设为OFF 。
该ADG633设计上增强的过程，它提供
更低的功耗，还能够高开关速度。
低功耗和2 V的工作电压范围
至12 V使ADG633非常适合电池供电的便携式
仪器。所有通道表现出先开后合式开关
行动，防止短路瞬时切换频道时。
所有数字输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值，从而确保
在使用TTL / CMOS逻辑兼容+5 V单电源或双
± 5 V电源。
该ADG633提供小型， 16引脚TSSOP封装
和16引脚，采用4 mm× 4 mm LFCSP封装包。
产品亮点
1.
单，双电源供电。该ADG633报价
高性能和完全指定，并保证
采用±5 V ，+ 5 V和3 V电源轨。
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C 。
保证先开后合式开关动作。
低功耗，典型<0.1 μW 。
小型， 16引脚TSSOP和16引脚，采用4 mm× 4 mm LFCSP封装
包。
2.
3.
4.
5.
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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传真： 781.461.3113 2003-2009 ADI公司保留所有权利。
03275-001
ADG633
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源供电.............................................. ................. 3
单电源供电.............................................. ............... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ ................................... 6
引脚配置和功能描述.............................. 7
典型性能特征.............................................. 8
术语................................................. ................................... 11
测试电路................................................ ..................................... 12
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
11月9日 - 修订版。 0到版本A
更改表4 .............................................. .............................. 6
添加表5 ;重新编号，按顺序.................................... 7
更改表6 .............................................. .............................. 7
更新外形尺寸............................................... .......... 14
更改订购指南.............................................. ............ 14
2月3日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第2页
16
ADG633
特定网络阳离子
双电源供电
V
DD
= +5 V, V
SS
= -5V ， GND = 0 V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配
通道之间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S（ OFF）
流掉泄漏，我
D（关闭）
渠道渗漏，我
D（上）
, I
秒（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
总谐波失真， THD + N
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
, C
秒（上）
电源要求
I
DD
I
SS
+25°C
B版本
-40 ° C至+ 85°C
版本
-40 ° C至+ 125°C
V
SS
到V
DD
52
75
0.8
1.3
9
12
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±5
±5
2.4
0.8
0.005
±1
2
60
90
70
95
25
40
40
2
4
90
0.025
90
580
4
7
12
0.01
1
0.01
1
1
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
测试条件/评论
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= 4.5 V
V
S
= -4.5 V，I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= -4.5 V，I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= 3.5 V，I
S
= 1毫安
V
S
= 3.5 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= +5 V, V
SS
= 5 V, V
S
= -3 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= +5 V, V
SS
= 5 V, V
S
= -3 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5V ;参见图21
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5V ;参见图21
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5 V ;参见图22
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5 V ;参见图22
V
D
= V
S
= ± 4.5 V ;参见图23
V
D
= V
S
= ± 4.5 V ;参见图23
90
100
1.8
13
2
14
±5
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图28
R
L
= 600 Ω ， 2 V P-P ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图29
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
110
120
45
130
135
50
10
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
％ （典型值）
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第3页
16
ADG633
单电源供电
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配
通道之间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S（ OFF）
流掉泄漏，我
D（关闭）
渠道渗漏，我
D（上）
, I
秒（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
, C
秒（上）
电源要求
I
DD
+25°C
B版本
-40 ° C至+ 85°C
版本
-40 ° C至+ 125°C
0到V
DD
85
150
4.5
8
13
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
160
200
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= 3.5 V，I
S
= 1毫安
V
S
= 3.5 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V, V
S
= 1.5 V至24 V ，我
S
= 1毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图22
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图22
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图23
9
14
10
16
±5
±5
±5
2.4
0.8
0.005
±1
2
100
150
100
150
25
35
90
0.5
1
90
90
520
5
8
12
0.01
1
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
190
190
45
220
220
50
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
V
S
= 2.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
V
S
= 2.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图29
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
1
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第4页
16
ADG633
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，V
SS
= 0 V ， GND = 0 V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配
通道之间， ΔR
ON
漏电流
源关闭泄漏，我
S（ OFF）
流掉泄漏，我
D（关闭）
渠道渗漏，我
D（上）
, I
秒（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
, C
秒（上）
电源要求
I
DD
0.005
±1
2
170
300
200
310
30
40
180
1
2
90
90
500
5
8
12
0.01
1
1
+25°C
B版本
-40 ° C至+ 85°C
版本
-40 ° C至+ 125°C
0到V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至2.7 V，I
S
= 0.1毫安;参见图20
V
S
= 0 V至2.7 V，I
S
= 0.1毫安;参见图20
V
S
= +1.5 V，I
S
- 0.1毫安
V
S
= +1.5 V，I
S
- 0.1毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图22
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图22
V
S
= V
D
= 1或3V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1或3V ;参见图23
185
300
2
4.5
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
350
400
6
7
±5
±5
±5
2.0
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
370
380
55
400
420
75
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图25
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图29
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
通过设计保证;不受生产测试。
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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