特点
低电压和标准电压工作
– 5.0 (V
CC
= 4.5V至5.5V ）
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V ）
用户可选择的内部组织
- 16K ：2048 ×8或1024×16
3线串行接口
连续读操作
施密特触发器滤波输入抑制噪声
2 MHz的时钟速率（ 5V ）的兼容性
自定时写周期（最大10 ms ）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
- ESD保护： >4000V
提供汽车级和扩展级温度装置
8引脚PDIP ， 8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
3线串行
EEPROM
16K
（2048× 8或1024×16 ）
描述
在AT93C86提供16384位串行电可擦除可编程的读
只有组织为16位1024字存储器（EEPROM ），每个ORG引脚
连接到V
CC
和的每一个8位的2048个字时，它被绑定到地。该
装置被用于许多工业和商业应用中优化的低
功率和低电压操作是必不可少的。的AT93C86是在可用空间
节省8引脚PDIP ， 8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装。
（续）
AT93C86
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
内设机构
不连接
8引脚SOIC
8引脚PDIP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
牧师1237B - 6月1日
1
该AT93C86通过片选引脚（ CS ）功能的，
并通过3线串行接口，由访问
数据输入（DI ） ，数据输出（ DO）和移位时钟（SK） 。
在接收到一个READ指令在DI时，该地址是
解码，并且数据时钟输出串行的数据
输出引脚DO 。写周期是完全自定时
和写操作之前，不需要单独的擦除周期。
当一部分是在写周期时，才会启用
擦除/写使能状态。当CS带来的“高”
下一个写周期的开始， DO引脚输出
放部的就绪/忙状态。
该AT93C86可在4.5V至5.5V和2.7V至5.5V
的版本。
绝对最大额定值*
工作温度.................................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面.....................................- 1.0V至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
框图
VCC
GND
存储阵列
ORG
2048 x 8
OR
1024 x 16
地址
解码器
数据
注册
DI
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
CS
SK
时钟
发电机
DO
注意：
1.
当ORG引脚连接到VCC时， ×16的组织被选中。当它被连接到地，在x 8组织
化选择。如果ORG引脚悬空，应用程序不会加载输入之外的能力
内部1兆欧姆的上拉，那么x 16组织被选中。此功能不可用的1.8V器件。
2
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25
°
C，F = 1.0兆赫，V
CC
= + 5.0V （除非另有说明） 。
符号
C
OUT
C
IN
注意：
测试条件
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ）
1.此参数的特点，而不是100％测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
DC特性
推荐参数的适用工作条件：T已
AI
= -40
°
C至+ 85
°
C，V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ，
T
AC
= 0
°
C至+70
°
C，V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V （除非另有说明） 。
符号
V
CC1
V
CC2
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
IL
I
OL
V
IL1 （1）
V
IH1(1)
V
IL2 （1）
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意：
参数
电源电压
电源电压
读得1.0 MHz
电源电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
V
CC
≤
2.7V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
V
CC
≤
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
= -100
A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.6
V
CC
x 0.7
-0.6
V
CC
x 0.7
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
民
2.7
4.5
0.5
0.5
6.0
17
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
2.0
2.0
10.0
30
1.0
1.0
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考，未经测试。
3
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
=符合规定，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明） 。
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
参数
SK时钟
频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS
低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“1”
输出延迟为“0”
CS为有效状态
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ， 25°C时，页面模式
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS = V
IL
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
0.1
t
WP
耐力
(1)
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
1M
4
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
民
0
0
250
250
250
250
250
250
50
50
100
100
0
100
100
250
250
250
250
250
250
100
100
10
典型值
最大
2
1
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
写周期
注意：
1.此参数的特点，而不是100％测试。
指令集的AT93C86
地址
指令
读
EWEN
抹去
写
SB
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
x8
A
10
- A
0
11XXXXXXXX
A
10
- A
0
A
10
- A
0
x 16
A
9
- A
0
11XXXXXXXX
A
9 -
A
0
A
9
- A
0
D
7
- D
0
D
15
- D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据，
在指定的地址。
写使能必须在前面所有
编程模式。
擦除存储单元中的
n
- A
0
.
写入存储单元中的
n
- A
0
.
4
指令集的AT93C86
地址
指令
ERAL
WRAL
SB
1
1
操作码
00
00
x8
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
x 16
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D
7
- D
0
D
15
- D
0
x8
数据
x 16
评论
删除所有存储位置。
只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。
有效的当V
CC
= 4.5V至5.5V，
禁止寄存器清零。
禁止所有编程指令。
EWDS
1
00
00XXXXXXXX
00XXXXXXXX
功能说明
该AT93C86通过一个简单而通用的三线访问
串行通信接口。设备操作所配置
由主处理器发出的七条指令控制。
有效的指令开始与CS的上升沿
和
由起始位（逻辑“1” ），然后适当的
操作码和所需的存储地址的位置。
读（READ ） ：
在读（ READ ）指令包含
要读出的地址代码的存储位置。后
指令和地址被从解码数据
选定的存储单元提供的串行输出
引脚DO 。输出数据的变化都与利培同步
荷兰国际集团的串行时钟SK边缘。但是应当注意的是，一个
虚位（逻辑“0” ）之前的8位或16位的数据输出
字符串。
擦/写（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，
部分自动进入擦除/写禁止
（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写
使能（EWEN ）指令必须先执行之前
任何编程指令可以被执行。请
注意，一旦在擦/写使能状态，编程
明保持启用状态，直到擦除/写禁止
（ EWDS ）指令被执行或V
CC
电源被移除
从零件。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）指令亲
克中指定的存储单元中的所有位的逻辑
“1”的状态。自定时擦除周期开始后的
ERASE指令和地址进行解码。 DO引脚
输出部分的READY / BUSY状态，当CS为
正在保持低了至少250纳秒之后变为高电平
(t
CS
） 。脚做一个逻辑“ 1 ”表示选择的MEM
储器位置已被擦除，并且该部件准备好
另一个指令。
WRITE （写） ：
写（写）指令包含
的8位或16位的数据将被写入到指定的MEM-
ORY位置。自定时编程周期，T
WP
，开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚接收
DI 。 DO引脚输出部分的READY / BUSY状态
如果CS被维持在低水平最少之后变为高电平
250纳秒（T
CS
） 。逻辑“ 0” DO表明编程
仍在进行中。为逻辑“1”表示存储器
在指定的地址位置被写入同
数据模式中包含的指令和所述部分是
准备作进一步的说明。
一个READY / BUSY状态易拉罐
不，如果是CS结束后所带来的高所得
自定时编程周期，T
WP
.
全部清除（ ERAL ） ：
擦除所有（ ERAL ）指令
程序存储器阵列中的每一个比特为逻辑“ 1”的
状态，并且主要用于测试目的。 DO引脚
输出部分的READY / BUSY状态，当CS为
正在保持低了至少250纳秒之后变为高电平
(t
CS
） 。 ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入（ WRAL ） ：
写所有（ WRAL ）指令
程序与数据模式的所有内存位置光谱
后指定的指令。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的READY / BUSY状态后所带来的高
正在保持低了至少250纳秒（T
CS
） 。该WRAL
指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
擦/写禁止（EWDS ） ：
为了防止
数据的意外打扰，擦除/写禁止（ EWDS ）
指令禁止所有的编程模式和应
所有编程操作后执行。操作
READ指令是独立于EWEN的
和EWDS指令，并可以在任何时间被执行。
5
QQ：2880707522 复制
