【a特点+3 V ，+ 5 V或5 V电源超低功耗（ <0.5 W）低漏（ <100 PA】,IC型号ADG511BN,ADG511BN PDF资料,ADG511BN经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

特点

+3 V ，+ 5 V或5 V电源

超低功耗（ <0.5 W）

低漏（ <100 PA）

低导通电阻（ <50 ）

快速开关时间

低电荷注入

TTL / CMOS兼容

16引脚DIP或SOIC封装

LC MOS

精密5 V / 3 V四路SPST开关

ADG511/ADG512/ADG513

功能方框图

S1

IN1

D1

S2

IN2

D2

S3

IN3

D3

S4

IN4

D4

IN4

D4

D3

S4

IN4

D4

2

S1

IN1

D1

S2

IN2

IN1

S1

D1

S2

D2

S3

D3

S4

ADG511

IN3

ADG512

D2

S3

IN3

ADG513

应用

电池供电仪器

单电源系统

远程供电设备

+5 V电源系统

计算机外围设备，如磁盘驱动器

精密仪器

音频和视频切换

自动测试设备

精密数据采集

采样保持系统

通信系统

兼容5 V电源DAC和ADC ，如

AD7840 / 8 ， AD7870 / 1/2/ 4/5 /6/8

开关所对于逻辑"1"输入

该ADG511 ， ADG512和ADG513包含四个indepen-

凹痕SPST开关。该ADG511和ADG512的区别仅在于

该数字控制逻辑相反。该ADG511开关

接通与逻辑低上的相应控制输入端，

同时要求逻辑高电平为ADG512 。该ADG513

包含两个开关的数字控制逻辑是类似

该ADG511的，而逻辑相反，在剩余

两个开关。

产品亮点

概述

该ADG511 ， ADG512和ADG513均为单芯片CMOS

芯片包含四个独立可选的模拟开关。

这些开关具有低导通电阻以及控制和

全模拟信号范围，使其非常适用于精密

模拟信号切换。

这些开关阵列采用ADI捏造被“

先进的线性兼容CMOS （ LC

2

MOS）的方法，该方法

具有低泄漏电流的额外的益处，超低

功率耗散和低电容进行快速的开关速度

以最小的电荷注入。这些特点使

ADG511 ， ADG512和ADG513为一个最佳的选择

在精密模拟信号种类繁多的信号切换任务

处理和数据采集系统。

的能力，从单一的+3 V ，+ 5 V或

±

5 V双极

耗材使ADG511 ， ADG512和ADG513完美

在电池供电的仪器使用， 4-20 mA回路系统和

随着新一代的模拟DAC和ADC

设备。采用5 V电源供电，降低工作电流

给低得多的功耗比经营设备

±

15 V电源。

1. +5伏单电源供电

该ADG511 / ADG512 / ADG513具有高性能，

包括低导通电阻和宽信号范围，充分

规定，并保证与+3 V ，

±

5 V和+5 V

电源轨。

2.超低功耗

CMOS结构确保了超低的功耗。

3.低R

ON

4.先开后合式开关

开关保证有突破之前，让操作

化。这允许多个输出被捆扎在一起

没有一时的可能性多路复用器应用

通道间短路。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1999

ADG511/ADG512/ADG513–SPECIFICATIONS

1

双电源

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

动态特性

2

t

ON

t

关闭

先开后合式时间

延迟，T

D

（仅ADG513 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

V

DD

V

SS

I

DD

I

SS

DD

= +5 V

10%, V

SS

= –5 V

的10％，GND = 0V，除非另有说明）

牛逼版本

-55 ℃

+25 C

+125 C

V

DD

到V

SS

30

50

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

B版本

-40 ℃

+25 C

+85 C

V

DD

到V

SS

30

单位

V

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

V

D

=

±

3.5 V，I

S

= -10毫安;

V

DD

= +4.5 V, V

SS

= –4.5 V

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

V

D

=

±

4.5 V, V

S

= 4.5 V;

测试电路2

V

D

=

±

4.5 V, V

S

= 4.5 V;

测试电路2

V

D

= V

S

=

±

4.5 V;

测试电路3

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

0.005

±

0.1

0.005

±

0.1

V

IN

= V

INL

或V

INH

200

375

120

150

100

11

68

85

9

35

+4.5/5.5

–4.5/–5.5

0.0001

1

0.0001

1

200

375

120

150

100

11

68

85

9

35

+4.5/5.5

–4.5/–5.5

0.0001

1

0.0001

1

R

L

= 300

.

C

L

= 35 pF的;

V

S

=

±

3 V ;测试电路4

R

L

= 300

.

C

L

= 35 pF的;

V

S

=

±

3 V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S1

= V

S2

= + 3V ;测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 10nF的;

测试电路6

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

V最小/最大

A

典型值

A

最大

A

典型值

A

最大

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本-40 ° C至+ 85°C ;牛逼版本-55 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

版本B

ADG511/ADG512/ADG513

单电源

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

动态特性

2

t

ON

t

关闭

先开后合式时间

延迟，T

D

（仅ADG513 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

V

DD

I

DD

= +5 V

10%, V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）

B版本

-40 ℃

+25 C

+85 C

0 V至V

DD

45

75

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

45

75

牛逼版本

-55 ℃

+25 C

+125 C

0 V至V

DD

单位

V

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

V

D

= 3.5 V，I

S

= -10毫安;

V

DD

= +4.5 V

V

DD

= +5.5 V

V

D

= 4.5/1 V, V

S

= 1 4.5 V;

测试电路2

V

D

= 4.5/1 V, V

S

= 1 4.5 V;

测试电路2

V

D

= V

S

= +4.5 V/+1 V;

测试电路3

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

0.005

±

0.1

0.005

±

0.1

V

IN

= V

INL

或V

INH

250

500

50

100

200

16

68

85

9

35

+4.5/5.5

0.0001

1

250

500

50

100

200

16

68

85

9

35

+4.5/5.5

0.0001

1

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= 2 V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= 2 V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S1

= V

S2

= 2 V ;测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 10nF的;

测试电路6

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

V最小/最大

A

典型值

A

最大

V

DD

= +5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本-40 ° C至+ 85°C ;牛逼版本-55 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

–3–

单电源

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

ADG511/ADG512/ADG513–SPECIFICATIONS

DD

1

= +3.3 V

10%, V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）

B版本

0 ℃

+25 C

+70 C

0 V至V

DD

200

500

单位

V

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

V

D

= +1.5 V，I

S

= -1毫安;

V

DD

= +3 V

V

DD

= +3.6 V

V

D

= 2.6/1 V, V

S

= 1 2.6 V;

测试电路2

V

D

= 2.6/1 V, V

S

= 1 2.6 V;

测试电路2

V

D

= V

S

= +2.6 V/+1 V;

测试电路3

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

动态特性

2

t

ON

t

关闭

先开后合式时间

延迟，T

D

（仅ADG513 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

V

DD

I

DD

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

0.005

±

0.1

V

IN

= V

INL

或V

INH

600

1200

100

160

500

11

68

85

9

35

3/3.6

0.0001

1

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= + 1V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= + 1V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S1

= V

S2

= + 1V ;测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 10nF的;

测试电路6

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

V最小/最大

A

典型值

A

最大

V

DD

= +3.6 V

数字输入= 0 V或3 V

笔记

1

温度范围如下： B版本-40 ° C至+ 85°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

版本B

ADG511/ADG512/ADG513

绝对最大额定值

1

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +44 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至+25 V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-25 V

模拟，数字输入

2

. . . . . . . . . . . V

SS

-2 V到V

DD

+ 2V或

30毫安，以先到为准

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

扩展（T版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

CERDIP封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 900毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 76 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。。 + 300℃

塑料封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 470毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 117 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。 + 260℃

SOIC封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。。 600毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 77 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

2

过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然ADG511 / ADG512 / ADG513具有专用ESD保护电路，

永久性损坏，可能会发生在遇到高能量静电放电设备。

因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能下降或亏损

的功能。

警告！

ESD敏感器件

订购指南

模型

1

ADG511BN

ADG511BR

ADG511ABR

4

ADG511TQ

4

ADG512BN

ADG512BR

ADG512ABR

4

ADG512TQ

4

ADG513BN

ADG513BR

ADG513ABR

4

温度范围

2

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

封装选项

3

N-16

R-16A

Q-16

N-16

R-16A

Q-16

N-16

R-16A

笔记

1

对于MIL -STD - 883 ， B类加工零件，请联系工厂的可用性。

2

3.3 V规格适用于0 ° C至+ 70 °C温度范围。

3

N =塑料DIP ; R = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） ; Q = CERDIP 。

4

沟槽隔离的闩锁部件的证明。见沟槽隔离部分。

版本B

–5–

a

特点

+3 V ，+ 5 V或5 V电源

超低功耗（ <0.5 W）

低漏（ <100 PA）

低导通电阻（ <50 ）

快速开关时间

低电荷注入

TTL / CMOS兼容

16引脚DIP或SOIC封装

LC MOS

精密5 V / 3 V四路SPST开关

ADG511/ADG512/ADG513

功能方框图

S1

IN1

D1

S2

IN2

D2

S3

IN3

D3

S4

D3

S4

2

S1

IN1

D1

S2

IN2

D2

S3

IN3

IN1

S1

D1

S2

D2

S3

D3

S4

IN4

ADG511

IN3

ADG512

ADG513

应用

电池供电仪表

单电源系统

远程供电设备

5 V电源系统

计算机外围设备，如磁盘驱动器

精密仪器

音频和视频切换

自动测试设备

精密数据采集

采样保持系统

通信系统

兼容5 V电源DAC和ADC ，如

AD7840 / AD7848 ， AD7870 / AD7871 / AD7872 / AD7874 /

AD7875/AD7876/AD7878

概述

IN4

D4

IN4

D4

开关所对于逻辑"1"输入

该ADG511 ， ADG512和ADG513包含四个indepen-

凹痕SPST开关。该ADG511和ADG512的区别仅在于

该数字控制逻辑相反。该ADG511开关

接通与逻辑低上的相应控制输入端，

同时要求逻辑高电平为ADG512 。该ADG513

包含两个开关的数字控制逻辑是类似

该ADG511的，而逻辑相反，在剩余

两个开关。

产品亮点

该ADG511 ， ADG512和ADG513均为单芯片CMOS

芯片包含四个独立可选的模拟开关。

这些开关具有低导通电阻以及控制和

全模拟信号范围，使其非常适用于精密

模拟信号切换。

这些开关阵列采用ADI捏造被“

先进的线性兼容CMOS （ LC

2

MOS）的方法，该方法

具有低泄漏电流的额外的益处，超低

功率耗散和低电容进行快速的开关速度

以最小的电荷注入。这些特点使

ADG511 ， ADG512和ADG513为一个最佳的选择

在精密模拟信号种类繁多的信号切换任务

处理和数据采集系统。

的能力，从单一的+3 V ，+ 5 V或

±

5 V双极

耗材使ADG511 ， ADG512和ADG513完美

在电池供电的仪器使用， 4-20 mA回路系统和

随着新一代的模拟DAC和ADC

设备。采用5 V电源供电，降低工作电流

给低得多的功耗比经营设备

±

15 V电源。

1. 5伏单电源供电

该ADG511 / ADG512 / ADG513具有高性能，

包括低导通电阻和宽信号范围，充分

规定，并保证与+3 V ，

±

5 V和+5 V

电源轨。

2.超低功耗

CMOS结构确保了超低的功耗。

3.低R

ON

4.先开后合式开关

开关保证有突破之前，让操作

化。这允许多个输出被捆扎在一起

没有一时的可能性多路复用器应用

通道间短路。

版本C

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

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ADI公司， 2001

ADG511/ADG512/ADG513–SPECIFICATIONS

1

双电源

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

动态特性

2

t

ON

t

关闭

先开后合式时间

延迟，T

D

（仅ADG513 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

V

DD

V

SS

I

DD

I

SS

DD

= +5 V

10%, V

SS

= –5 V

的10％，GND = 0V，除非另有说明）

T版

-55 ℃

25 C

+125 C

V

DD

到V

SS

30

50

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

B版本

-40 ℃

25 C

+85 C

V

DD

到V

SS

30

单位

V

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

V

D

=

±

3.5 V，I

S

= -10毫安;

V

DD

= +4.5 V, V

SS

= –4.5 V

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

V

D

=

±

4.5 V, V

S

= 4.5 V;

测试电路2

V

D

=

±

4.5 V, V

S

= 4.5 V;

测试电路2

V

D

= V

S

=

±

4.5 V;

测试电路3

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

0.005

±

0.1

200

375

120

150

100

11

68

85

9

35

+4.5/5.5

–4.5/–5.5

0.0001

1

0.0001

1

0.005

±

0.1

200

375

120

150

100

11

68

85

9

35

+4.5/5.5

–4.5/–5.5

0.0001

1

0.0001

1

V

IN

= V

INL

或V

INH

R

L

= 300

.

C

L

= 35 pF的;

V

S

=

±

3 V ;测试电路4

R

L

= 300

.

C

L

= 35 pF的;

V

S

=

±

3 V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S1

= V

S2

= 3 V ;测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 10nF的;

测试电路6

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

V最小/最大

A

典型值

A

最大

A

典型值

A

最大

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本-40 ° C至+ 85°C ; T版-55 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

版本C

ADG511/ADG512/ADG513

单电源

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

动态特性

2

t

ON

t

关闭

先开后合式时间

延迟，T

D

（仅ADG513 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

V

DD

I

DD

=5V

10%, V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）

B版本

-40 ℃

25 C

+85 C

0 V至V

DD

45

75

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

45

75

T版

-55 ℃

25 C

+125 C

0 V至V

DD

单位

V

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

V

D

= 3.5 V，I

S

= -10毫安;

V

DD

= 4.5 V

V

DD

= 5.5 V

V

D

= 4.5/1 V, V

S

= 1 4.5 V;

测试电路2

V

D

= 4.5/1 V, V

S

= 1 4.5 V;

测试电路2

V

D

= V

S

= 4.5 V/1 V;

测试电路3

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

0.005

±

0.1

250

500

50

100

200

16

68

85

9

35

4.5/5.5

0.0001

1

0.005

±

0.1

250

500

50

100

200

16

68

85

9

35

4.5/5.5

0.0001

1

V

IN

= V

INL

或V

INH

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= 2 V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= 2 V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S1

= V

S2

= 2 V ;测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 10nF的;

测试电路6

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

V最小/最大

A

典型值

A

最大

V

DD

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本-40 ° C至+ 85°C ; T版-55 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

–3–

单电源

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

ADG511/ADG512/ADG513–SPECIFICATIONS

DD

1

= 3.3 V

10%, V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）

B版本

0 ℃

25 C

70 C

0 V至V

DD

200

500

单位

V

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

V

D

= 1.5 V，I

S

= -1毫安;

V

DD

= 3 V

V

DD

= 3.6 V

V

D

= 2.6/1 V, V

S

= 1 2.6 V;

测试电路2

V

D

= 2.6/1 V, V

S

= 1 2.6 V;

测试电路2

V

D

= V

S

= 2.6 V/1 V;

测试电路3

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

动态特性

2

t

ON

t

关闭

先开后合式时间

延迟，T

D

（仅ADG513 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

V

DD

I

DD

±

0.025

±

0.1

±

0.025

±

0.1

±

0.05

±

0.2

±

2.5

±

2.5

±

5

2.4

0.8

0.005

±

0.1

600

1200

100

160

500

11

68

85

9

35

3/3.6

0.0001

1

V

IN

= V

INL

或V

INH

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= 1V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S

= 1V ;测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的;

V

S1

= V

S2

= 1V ;测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 10nF的;

测试电路6

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

V最小/最大

A

典型值

A

最大

V

DD

= 3.6 V

数字输入= 0 V或3 V

笔记

1

温度范围如下： B版本-40 ° C至+ 85°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

版本C

ADG511/ADG512/ADG513

绝对最大额定值

1

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至+25 V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-25 V

模拟，数字输入

2

. . . . . . . . . . V

SS

- 2 V到V

DD

+ 2V或

30毫安，以先到为准

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

扩展（T版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

CERDIP封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 900毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 76 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。。 300℃

塑料封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 470毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 117 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。。 260℃

SOIC封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。。 600毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 77 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

2

过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然ADG511 / ADG512 / ADG513具有专用ESD保护电路，

永久性的损坏，可能会发生在经受高能量静电放电设备。

因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能下降或亏损

的功能。

警告！

ESD敏感器件

订购指南

模型

1

ADG511BN

ADG511BR

ADG511ABR

4

ADG511TQ

4

ADG512BN

ADG512BR

ADG512ABR

4

ADG513BN

ADG513BR

ADG513ABR

4

温度范围

2

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

封装选项

3

N-16

R-16A

Q-16

N-16

R-16A

N-16

R-16A

笔记

1

对于MIL -STD - 883 ， B类加工零件，请联系工厂的可用性。

2

3.3 V规格适用于0 ° C至70 ° C温度范围。

3

N =塑料DIP ; R = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） ; Q = CERDIP 。

4

沟槽隔离的闩锁部件的证明。见沟槽隔离部分。

版本C

–5–