数据表
26301.102d
3935
3相电源MOSFET控制器
- 针对汽车应用
该A3935是为汽车应用而专门设计的
需要大功率电机。每个提供了六个大电流栅极驱动
输出能够驱动多种n沟道功率MOSFET的。
包装JP ， 48引脚LQFP
汽车系统的要求是稳定运行超过一个
不同的电池输入范围。的A3935集成了一个脉冲频率
调制的升压转换器，以创建一个恒定的电源电压为
驱动外部MOSFET 。自举电容器被用来
提供所需的n沟道FET的上述电池电源电压。
通过6个TTL -相容的直接控制每个门的输出是可能的
IBLE投入。差分放大器集成，能实现高精度
电流在三相桥式测量。
诊断输出可以被连续监控，以保护
从短到电池，短到电源，桥打开，电池驱动
欠压/过压条件。其他保护功能包括
死区时间， VDD欠压和热关断。
该A3935是两种封装可供选择， 48引脚的低
简介QFP与裸露热焊盘（后缀JP）和36引脚0.8毫米
间距SOIC （后缀LQ ） 。
包装LQ ， 36引脚SOIC
绝对最大额定值
负载电源电压VBAT ， VDRAIN ，
VBOOST ， BOOSTD ...
-0.6 V至40 V
输出电压范围，
GHA / GHB / GHC ，V
GHX
..
-4 V至55 V
SA / SB / SC ，V
SX
...............
-4 V至40 V
GLA / GLB / GLC ，V
GLX
....
-4 V至16 V
CA / CB / CC ，V
CX
..........
-0.6 V至55 V
检测电路电压，
CSP ， CSN ， LSS ...............
-4 V至6.5 V
逻辑电源电压，
V
DD
...........................
0.3 V至6.5 V
逻辑输入/输出和OVSET ，提升，
CSOUT ， VDSTH .........
0.3 V至6.5 V
工作温度范围，
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温，T
J
...........
+150°C
存储温度范围，
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的，但应避免使用。
特点
驱动宽范围的N沟道MOSFET，在3相桥
PFM升压转换器，具有低电压电池供电的设备使用
内部LDO稳压器为门驱动器电源
高侧栅极驱动器自举电路
电流监视器输出
可调整电池过压检测
诊断输出
电动机引线短路至电池，短路至地，
桥开路保护
欠压保护
-40 ° C至+150° C，T
J
手术
热关断
通过完整的部件号总是订货，例如，
A3935KLQ
.
3935
三相电源
MOSFET控制器
功能框图
VBAT
BOOSTD
提升
VBOOST
VDRAIN
（开尔文）
VREG
VBAT
低压降
OUT
线性
调节器
OS
（关闭）
VIGN
汽车
供应
电压
REFI
RefV
OS
（空）
CA
外部+ 5V
VDD
C
BOOT
IHA
ILA
IHB
ILB
IHC
ILC
启用
打开
延迟
低端
司机
控制
逻辑
VREG
打开
延迟
高边
司机
C相
GHA
SA
GLA
B相
故障
OVFLT
UVFLT
OVSET
SA
SB
SC
VDSTH
VREG欠压
接地短路
电池短路
大桥开放
VDD欠压
热关断
漏源
故障监视器
过电压VBAT
低电压VBAT
VBAT
VREG
VDD
CSN
GND
cs
LSS
CSP
PHA一
se
R
S
LSS
VDD
VDRAIN
CSOUT
DWG 。 FP- 053
见页8和9为终端分配和描述。
2
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
范围
特征
电源
V
DD
电源电流
V
BAT
电源电流
电池电压工作范围
自举二极管的正向电压
I
DD
I
BAT
V
BAT
V
DBOOT
I
DBOOT
= -I
cx
= 10 mA时， V
DBOOT
= V
REG
– V
CX
I
DBOOT
= -I
cx
= 100毫安
自举二极管电阻
自举二极管电流限制
引导静态电流
引导刷新时间
VREG输出电压
1
VREG电压差
2
栅极驱动的魅力。电源电流
VREG输入偏置电流
增加供应
V
BOOST
输出电压限制
V
BOOST
输出伏。极限回Hyst 。
升压开关导通电阻
马克斯。升压开关电流
升压电流限制门限伏。
OFF时间
消隐时间
V
BOOSTM
V
BOOSTM
r
DS （ ON）
I
BOOSTSW
V
BI （日）
t
关闭
t
空白
增V
提升
I
BOOSTD
< 300毫安
V
BAT
= 7 V
14.9
35
–
–
0.45
3.0
100
–
–
1.4
–
–
–
–
16.3
180
3.3
300
0.55
8.0
220
V
mV
mA
V
s
ns
r
DBOOT
I
DM
I
CX
t
刷新
V
REG
V
REGDO
I
REG
I
REGbias
r
D
（ 100 mA时） = [V
D
（150 mA）的 - V
D
（50 mA）的] / 100毫安
3 V < [V
REG
– V
CX
] < 12 V
V
CX
= 40 V ， GHX = ON
V
SX
=低保证
V
= + 0.5V刷新
0.47 μF引导帽在V
cx
– V
sx
= +10 V
V
BAT
= 7 V至40 V ，V
BOOST
从升压注册
V
REGDO
= V
BOOST
– V
REG
, I
REG
= 40毫安
在VREG ，C无需外部直流负载
REG
= 10 F
目前进入V
BOOST
， ENABLE = 0
所有逻辑输入= 0 V
所有逻辑输入= 0 V
–
–
7.0
0.8
1.5
2.5
-150
10
–
12.7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.9
–
–
7.0
3.0
40
2.0
2.3
7.5
-1150
30
2.0
14
–
40
4.0
mA
mA
V
V
V
mA
A
s
V
V
mA
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
1.对于V
BOOSTM
＆ LT ; V
BOOST
在V < 40 V功率耗散
REG
LDO的增加。观察牛逼
J
< 150℃的限制。
2.用v
BOOST
减少漏失电压测量V
REG
= V
REGREF
- 200毫伏其中V
REG （参考）
= V
REG
在V
BOOST
= 16 V.
4
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
续下页...
3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
逻辑输入电流
输入滞后
逻辑输出高电压
逻辑输出低电压
输出高电压
源电流（脉冲）
源导通电阻
V
I(1)
V
I(0)
I
I(1)
I
I(0)
V
HYS
V
O（高）
V
I（L）
V
DSL （H）的
I
xU
r
SDU（上）
I
O（高）
= -800 A
I
O（ L）
= 1.6毫安
GHX ：我
xU
= -10毫安，V
sx
= 0
在GLx ：我
xU
= -10毫安，V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 25 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 35 °C
门极驱动，在GLx （内部SINK或更低开关级）
灌电流（脉冲）
沉导通电阻
门极驱动， GHX ，在GLx （一般）
相漏电（来源）
传播延迟，逻辑只
输出偏移时间
死区时间（直通
预防）
I
Sx
t
pd
t
SK （ O）
t
DEAD
ENABLE = 0，V
Sx
= 1.7 V
逻辑输入来卸载GHX ，在GLx
通过边分组，相 - 相
GHX之间， GLX同相的转变
0
–
–
75
–
–
–
–
100
150
50
180
A
ns
ns
ns
I
xL
r
DSL （上）
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 25 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 135 °C
–
550
1.8
3.0
850
–
–
–
–
–
6.0
7.5
mA
mA
最小输入高电平为逻辑“1”
最大低电平输入为逻辑“0 ”
V
I
= V
DD
V
I
= 0.8 V
2.0
–
–
50
100
V
DD
– 0.8
–
V
REG
– 2.26
V
REG
– 0.26
–
400
4.0
7.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
800
–
–
–
–
0.8
500
–
300
–
0.4
V
REG
V
REG
–
–
10
15
V
V
A
A
mV
V
V
V
V
mA
mA
符号
条件
范围
民
典型值
最大
单位
门极驱动， GHX （内部源或上层交换机级）
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL （H）的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL （H）的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
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5
数据表
26301.102b
3935
包装ED ， 44引脚PLCC
3相电源MOSFET控制器
- 针对汽车应用
该A3935是为汽车应用而专门设计的
需要大功率电机。每个提供了六个大电流栅极驱动
输出能够驱动多种n沟道功率MOSFET的。
汽车系统的要求是稳定运行超过一个
不同的电池输入范围。的A3935集成了一个脉冲频率
调制的升压转换器，以创建一个恒定的电源电压为
驱动外部MOSFET 。自举电容器被用来
提供所需的n沟道FET的上述电池电源电压。
通过6个TTL -相容的直接控制每个门的输出是可能的
IBLE投入。差分放大器集成，能实现高精度
电流在三相桥式测量。
包装JP ， 48引脚LQFP
包装LQ ， 36引脚SOIC
诊断输出可以被连续监控，以保护
从短到电池，短到电源，桥打开，电池驱动
欠压/过压条件。其他保护功能包括
死区时间， VDD欠压和热关断。
该A3935是三种封装可供选择， 44引脚
PLCC带铜质蝙蝠翼状片（后缀ED ） ， 48引脚薄型QFP
有裸露热焊盘（后缀JP） ，以及36引脚间距0.8mm SOIC
（后缀LQ ） 。
绝对最大额定值
负载电源电压VBAT ， VDRAIN ，
VBOOST ， BOOSTD ...
-0.6 V至40 V
输出电压范围，
GHA / GHB / GHC ，V
GHX
..
-4 V至55 V
SA / SB / SC ，V
SX
...............
-4 V至40 V
GLA / GLB / GLC ，V
GLX
....
-4 V至16 V
CA / CB / CC ，V
CX
..........
-0.6 V至55 V
检测电路电压，
CSP ， CSN ， LSS ...............
-4 V至6.5 V
逻辑电源电压，
V
DD
...........................
0.3 V至6.5 V
逻辑输入/输出和OVSET ，提升，
CSOUT ， VDSTH .........
0.3 V至6.5 V
工作温度范围，
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温，T
J
...........
+150°C
存储温度范围，
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的，但应避免使用。
特点
!
驱动宽范围的N沟道MOSFET，在3相桥
!
PFM升压转换器，具有低电压电池供电的设备使用
!
内部LDO稳压器为门驱动器电源
!
高侧栅极驱动器自举电路
!
电流监视器输出
!
可调整电池过压检测。
!
诊断输出
电动机引线短路至电池，短路至地，
桥开路保护
!
欠压保护
!
-40 ° C至+150° C，T
J
手术
!
热关断
!
通过完整的部件号总是订货，例如，
A3935KLQ
.
3935
三相电源
MOSFET控制器
功能框图
见页8和9为终端分配和描述。
2
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版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
3935
三相电源
MOSFET控制器
A3935KED （ PLCC ）
A3935KLQ （ SOIC ）
*测量的“高K”根据JEDEC标准JESD51-7多层印刷电路板。
测量在连接到铜箔的一个典型的双面印刷电路板与功率片（端子1 ， 2 ，11，12 ，22，23 ，34，和35）的
的3.8平方英寸区（ 2452毫米
2
）在每一侧。请参阅应用笔记29501.5 ，
改善蝙蝠功耗，
为
附加信息。
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3
3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
范围
特征
电源
V
DD
电源电流
V
BAT
电源电流
电池电压工作范围
自举二极管的正向电压
I
DD
I
BAT
V
BAT
V
DBOOT
I
DBOOT
= -I
cx
= 10 mA时， V
DBOOT
= V
REG
– V
CX
I
DBOOT
= -I
cx
= 100毫安
自举二极管电阻
自举二极管电流限制
引导静态电流
引导刷新时间
VREG输出电压
1
VREG电压差
2
栅极驱动的魅力。电源电流
VREG输入偏置电流
增加供应
V
BOOST
输出电压限制
V
BOOST
输出伏。极限回Hyst 。
升压开关导通电阻
马克斯。升压开关电流
升压电流限制门限伏。
OFF时间
消隐时间
V
BOOSTM
V
BOOSTM
r
DS （ ON）
I
BOOSTSW
V
BI （日）
t
关闭
t
空白
增V
提升
I
BOOSTD
< 300毫安
V
BAT
= 7 V
14.9
35
–
–
0.45
3.0
100
–
–
1.4
–
–
–
–
16.3
180
3.3
300
0.55
8.0
220
V
mV
mA
V
s
ns
r
DBOOT
I
DM
I
CX
t
刷新
V
REG
V
REGDO
I
REG
I
REGbias
r
D
（ 100 mA时） = [V
D
（150 mA）的 - V
D
（50 mA）的] / 100毫安
3 V < [V
REG
– V
CX
] < 12 V
V
CX
= 40 V ， GHX = ON
V
SX
=低保证
V
= + 0.5V刷新
0.47 μF引导帽在V
cx
– V
sx
= +10 V
V
BAT
= 7 V至40 V ，V
BOOST
从升压注册
V
REGDO
= V
BOOST
– V
REG
, I
REG
= 40毫安
在VREG ，C无需外部直流负载
REG
= 10 F
目前进入V
BOOST
， ENABLE = 0
所有逻辑输入= 0 V
所有逻辑输入= 0 V
–
–
7.0
0.8
1.5
2.5
-150
10
–
12.7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.9
–
–
7.0
3.0
40
2.0
2.3
7.5
-1150
30
2.0
14
–
40
4.0
mA
mA
V
V
V
mA
A
s
V
V
mA
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
1.对于V
BOOSTM
＆ LT ; V
BOOST
在V < 40 V功率耗散
REG
LDO的增加。观察牛逼
J
< 150℃的限制。
2.用v
BOOST
减少漏失电压测量V
REG
= V
REGREF
- 200毫伏其中V
REG （参考）
= V
REG
在V
BOOST
= 16 V.
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115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
逻辑输入电流
输入滞后
逻辑输出高电压
逻辑输出低电压
输出高电压
源电流（脉冲）
源导通电阻
V
I(1)
V
I(0)
I
I(1)
I
I(0)
V
HYS
V
O（高）
V
I（L）
V
DSL （H）的
I
xU
r
SDU（上）
I
O（高）
= -800 A
I
O（ L）
= 1.6毫安
GHX ：我
xU
= -10毫安，V
sx
= 0
在GLx ：我
xU
= -10毫安，V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 25 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 35 °C
门极驱动，在GLx （内部SINK或更低开关级）
灌电流（脉冲）
沉导通电阻
门极驱动， GHX ，在GLx （一般）
相漏电（来源）
传播延迟，逻辑只
输出偏移时间
死区时间（直通
预防）
I
Sx
t
pd
t
SK （ O）
t
DEAD
ENABLE = 0，V
Sx
= 1.7 V
逻辑输入来卸载GHX ，在GLx
通过边分组，相 - 相
GHX之间， GLX同相的转变
0
–
–
75
–
–
–
–
100
150
50
180
A
ns
ns
ns
I
xL
r
DSL （上）
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 25 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 135 °C
–
550
1.8
3.0
850
–
–
–
–
–
6.0
7.5
mA
mA
最小输入高电平为逻辑“1”
最大低电平输入为逻辑“0 ”
V
I
= V
DD
V
I
= 0.8 V
2.0
–
–
50
100
V
DD
– 0.8
–
V
REG
– 2.26
V
REG
– 0.26
–
400
4.0
7.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
800
–
–
–
–
0.8
500
–
300
–
0.4
V
REG
V
REG
–
–
10
15
V
V
A
A
mV
V
V
V
V
mA
mA
符号
条件
范围
民
典型值
最大
单位
门极驱动， GHX （内部源或上层交换机级）
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL （H）的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL （H）的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
www.allegromicro.com
5
数据表
26301.102b
3935
包装ED ， 44引脚PLCC
3相电源MOSFET控制器
- 针对汽车应用
该A3935是为汽车应用而专门设计的
需要大功率电机。每个提供了六个大电流栅极驱动
输出能够驱动多种n沟道功率MOSFET的。
汽车系统的要求是稳定运行超过一个
不同的电池输入范围。的A3935集成了一个脉冲频率
调制的升压转换器，以创建一个恒定的电源电压为
驱动外部MOSFET 。自举电容器被用来
提供所需的n沟道FET的上述电池电源电压。
通过6个TTL -相容的直接控制每个门的输出是可能的
IBLE投入。差分放大器集成，能实现高精度
电流在三相桥式测量。
包装JP ， 48引脚LQFP
包装LQ ， 36引脚SOIC
诊断输出可以被连续监控，以保护
从短到电池，短到电源，桥打开，电池驱动
欠压/过压条件。其他保护功能包括
死区时间， VDD欠压和热关断。
该A3935是三种封装可供选择， 44引脚
PLCC带铜质蝙蝠翼状片（后缀ED ） ， 48引脚薄型QFP
有裸露热焊盘（后缀JP） ，以及36引脚间距0.8mm SOIC
（后缀LQ ） 。
绝对最大额定值
负载电源电压VBAT ， VDRAIN ，
VBOOST ， BOOSTD ...
-0.6 V至40 V
输出电压范围，
GHA / GHB / GHC ，V
GHX
..
-4 V至55 V
SA / SB / SC ，V
SX
...............
-4 V至40 V
GLA / GLB / GLC ，V
GLX
....
-4 V至16 V
CA / CB / CC ，V
CX
..........
-0.6 V至55 V
检测电路电压，
CSP ， CSN ， LSS ...............
-4 V至6.5 V
逻辑电源电压，
V
DD
...........................
0.3 V至6.5 V
逻辑输入/输出和OVSET ，提升，
CSOUT ， VDSTH .........
0.3 V至6.5 V
工作温度范围，
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温，T
J
...........
+150°C
存储温度范围，
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的，但应避免使用。
特点
!
驱动宽范围的N沟道MOSFET，在3相桥
!
PFM升压转换器，具有低电压电池供电的设备使用
!
内部LDO稳压器为门驱动器电源
!
高侧栅极驱动器自举电路
!
电流监视器输出
!
可调整电池过压检测。
!
诊断输出
电动机引线短路至电池，短路至地，
桥开路保护
!
欠压保护
!
-40 ° C至+150° C，T
J
手术
!
热关断
!
通过完整的部件号总是订货，例如，
A3935KLQ
.
3935
三相电源
MOSFET控制器
功能框图
见页8和9为终端分配和描述。
2
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
3935
三相电源
MOSFET控制器
A3935KED （ PLCC ）
A3935KLQ （ SOIC ）
*测量的“高K”根据JEDEC标准JESD51-7多层印刷电路板。
测量在连接到铜箔的一个典型的双面印刷电路板与功率片（端子1 ， 2 ，11，12 ，22，23 ，34，和35）的
的3.8平方英寸区（ 2452毫米
2
）在每一侧。请参阅应用笔记29501.5 ，
改善蝙蝠功耗，
为
附加信息。
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3
3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
范围
特征
电源
V
DD
电源电流
V
BAT
电源电流
电池电压工作范围
自举二极管的正向电压
I
DD
I
BAT
V
BAT
V
DBOOT
I
DBOOT
= -I
cx
= 10 mA时， V
DBOOT
= V
REG
– V
CX
I
DBOOT
= -I
cx
= 100毫安
自举二极管电阻
自举二极管电流限制
引导静态电流
引导刷新时间
VREG输出电压
1
VREG电压差
2
栅极驱动的魅力。电源电流
VREG输入偏置电流
增加供应
V
BOOST
输出电压限制
V
BOOST
输出伏。极限回Hyst 。
升压开关导通电阻
马克斯。升压开关电流
升压电流限制门限伏。
OFF时间
消隐时间
V
BOOSTM
V
BOOSTM
r
DS （ ON）
I
BOOSTSW
V
BI （日）
t
关闭
t
空白
增V
提升
I
BOOSTD
< 300毫安
V
BAT
= 7 V
14.9
35
–
–
0.45
3.0
100
–
–
1.4
–
–
–
–
16.3
180
3.3
300
0.55
8.0
220
V
mV
mA
V
s
ns
r
DBOOT
I
DM
I
CX
t
刷新
V
REG
V
REGDO
I
REG
I
REGbias
r
D
（ 100 mA时） = [V
D
（150 mA）的 - V
D
（50 mA）的] / 100毫安
3 V < [V
REG
– V
CX
] < 12 V
V
CX
= 40 V ， GHX = ON
V
SX
=低保证
V
= + 0.5V刷新
0.47 μF引导帽在V
cx
– V
sx
= +10 V
V
BAT
= 7 V至40 V ，V
BOOST
从升压注册
V
REGDO
= V
BOOST
– V
REG
, I
REG
= 40毫安
在VREG ，C无需外部直流负载
REG
= 10 F
目前进入V
BOOST
， ENABLE = 0
所有逻辑输入= 0 V
所有逻辑输入= 0 V
–
–
7.0
0.8
1.5
2.5
-150
10
–
12.7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.9
–
–
7.0
3.0
40
2.0
2.3
7.5
-1150
30
2.0
14
–
40
4.0
mA
mA
V
V
V
mA
A
s
V
V
mA
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
1.对于V
BOOSTM
＆ LT ; V
BOOST
在V < 40 V功率耗散
REG
LDO的增加。观察牛逼
J
< 150℃的限制。
2.用v
BOOST
减少漏失电压测量V
REG
= V
REGREF
- 200毫伏其中V
REG （参考）
= V
REG
在V
BOOST
= 16 V.
4
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
逻辑输入电流
输入滞后
逻辑输出高电压
逻辑输出低电压
输出高电压
源电流（脉冲）
源导通电阻
V
I(1)
V
I(0)
I
I(1)
I
I(0)
V
HYS
V
O（高）
V
I（L）
V
DSL （H）的
I
xU
r
SDU（上）
I
O（高）
= -800 A
I
O（ L）
= 1.6毫安
GHX ：我
xU
= -10毫安，V
sx
= 0
在GLx ：我
xU
= -10毫安，V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 25 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 35 °C
门极驱动，在GLx （内部SINK或更低开关级）
灌电流（脉冲）
沉导通电阻
门极驱动， GHX ，在GLx （一般）
相漏电（来源）
传播延迟，逻辑只
输出偏移时间
死区时间（直通
预防）
I
Sx
t
pd
t
SK （ O）
t
DEAD
ENABLE = 0，V
Sx
= 1.7 V
逻辑输入来卸载GHX ，在GLx
通过边分组，相 - 相
GHX之间， GLX同相的转变
0
–
–
75
–
–
–
–
100
150
50
180
A
ns
ns
ns
I
xL
r
DSL （上）
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 25 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 135 °C
–
550
1.8
3.0
850
–
–
–
–
–
6.0
7.5
mA
mA
最小输入高电平为逻辑“1”
最大低电平输入为逻辑“0 ”
V
I
= V
DD
V
I
= 0.8 V
2.0
–
–
50
100
V
DD
– 0.8
–
V
REG
– 2.26
V
REG
– 0.26
–
400
4.0
7.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
800
–
–
–
–
0.8
500
–
300
–
0.4
V
REG
V
REG
–
–
10
15
V
V
A
A
mV
V
V
V
V
mA
mA
符号
条件
范围
民
典型值
最大
单位
门极驱动， GHX （内部源或上层交换机级）
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL （H）的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL （H）的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
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QQ：2881677436 复制
