ADG438F/ADG439F
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
表一ADG438F真值表
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
V
EN
, V
A
数字输入。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
+ 2 V或20 mA时，
以先到为准科幻RST
V
S
，模拟输入过压与电源。 。 。 。 。 V
SS
– 25 V
到V
DD
+ 40 V
V
S
，模拟输入过压关断电源
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 V至+55 V
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 105°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料包装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装
θ
JA
，热阻抗
窄体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W
宽体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
X =无关
表II中。 ADG439F真值表
A1
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关对
无
1
2
3
4
X =无关
ADG438F / ADG439F引脚配置
DIP / SOIC
A0 1
EN 2
V
SS
3
S1 4
S2 5
S3 6
16 A1
15 A2
14 GND
13 V
DD
顶视图
（不按比例） 12 S5
11 S6
10 S7
9
S8
A0 1
EN 2
V
SS
3
S1A 4
S2A 5
S3A 6
S4A 7
DA 8
DIP / SOIC
16 A1
15 GND
14 V
DD
13 S1B
顶视图
（不按比例） 12 S2B
11 S3B
10 S4B
9
DB
ADG438F
ADG439F
订购指南
S4 7
D 8
模型
ADG438FBN
ADG438FBR
ADG439FBN
ADG439FBR
ADG439FBRW
温度范围
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
封装选项*
N-16
R-16N
N-16
R-16N
R-16W
* N =塑料DIP ; R- 16N = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） ; R- 16W = 0.3"
小外形集成电路（ SOIC ） 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG438F / ADG439F具有专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电dischar水电站设备。因此，适当的
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
Rev. D的
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