【a双通道RF / IF PLL频率合成器ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF421】,IC型号ADF4212BCP,ADF4212BCP PDF资料,ADF4212BCP经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

双通道RF / IF PLL频率合成器

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

概述

特点

ADF4210 ： 550兆赫/ 1.2 GHz的

ADF4211 ： 550兆赫/ 2.0 GHz的

ADF4212 ： 1.0千兆赫/ 2.7 GHz的

ADF4213 ： 1.0千兆赫/ 3 GHz的

2.7 V至5.5 V电源供电

独立的电荷泵电源（V

P

）允许扩展

调谐电压3 V系统

可编程双模预分频器

RF和IF ： 8/9 ， 16/17 ， 32/33 ， 64/65

可编程电荷泵电流

3线串行接口

模拟和数字锁定检测

快速锁定模式

掉电模式

该ADF4210 / ADF4211 / ADF4212 / ADF4213是一款双通道频率

合成器可以用于实现本地振荡器（ LO）的

在无线的上变频和下变频部分

接收机和发射机。它们可以提供本振为

在RF和IF部分。它们由一个低噪声数字PFD的

（相位频率检测器），精密电荷泵，一个亲

可编程参考分频器，可编程A和B计数器

和一个双模前置分频器（P / P + 1）。在A（ 6位）和B

（12位）计数器，在结合双模预分频器

（P / P + 1 ），实现N分频器（N = BP + A）。此外，

14位参考分频器（R计数器）允许选择

REFIN频率在PFD输入端。一个完整的PLL（相位

锁定环）可如合成器一起使用来实现

外部环路滤波器和VCO （压控振荡器）。

所有片内寄存器均通过简单的3线接口。

应用

该器件的电源电压范围为2.7 V操作

基地台的无线电台（GSM， PCS ，DCS，

5伏，并且可以在使用中被掉电时不。

CDMA，WCDMA ）

无线手机（ GSM ， PCS ， DCS ， CDMA ， WCDMA ）

无线局域网

通信测试设备

有线电视设备

功能框图

V

DD

1

V

DD

2

V

P

1

V

P

2

R

SET

12位IF

B- COUNTER

IF

IN

IF

预分频器

8位IF

A- COUNTER

相

比较

参考

收费

泵

如果目前的

环境

IFCP3 IFCP2 IFCP1

CP

IF

REF

IN

振荡器

14位IF

R- COUNTER

IF

LOCK

检测

时钟

数据

LE

24-BIT

数据

SDOUT

注册

14位RF

R- COUNTER

产量

MUX

MUXOUT

RFCP3 RFCP2 RFCP1

RF

LOCK

检测

如果目前的

环境

收费

泵

相

比较

参考

R

SET

FL

O

开关

FL

O

12位RF

B- COUNTER

RF

IN

RF

预分频器

6位射频

A- COUNTER

CP

RF

ADF4210/ADF4211/

ADF4212/ADF4213

AGND

IF

DGND

RF

AGND

RF

DGND

IF

DGND

IF

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

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ADI公司， 2001

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213–SPECIFICATIONS

(V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V 10%, 5 V 10%; V

DD

1, V

DD

2

≤

V

P

1, V

P

2

≤

6.0 V ; AGND

RF

= DGND

RF

= AGND

IF

= DGND

IF

= 0 V ;

SET

= 2.7 k

T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

P

ARAMETER

RF / IF特性（ 3 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

RF输入灵敏度

IF输入频率（ IF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

RF / IF特性（ 5 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

RF输入灵敏度

IF输入频率（ IF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

REFIN特性

REFIN输入频率

REFIN输入灵敏度

4

REFIN输入电容

REFIN输入电流

相位检测器

鉴相器频率

5

电荷泵

I

CP

吸入/源

高价值

低价值

绝对精度

R

SET

范围

I

CP

三态泄漏电流

漏极和源极电流匹配

I

CP

与V

CP

I

CP

与温度的关系

逻辑输入

V

INH

，输入高电压

V

INL

，输入低电压

I

INH

/I

INL

，输入电流

C

IN

，输入电容

逻辑输出

V

OH

，输出电压高

V

OL

，输出低电压

B版本

B芯片

2

单位

1

dBm至50

;

测试条件/评论

参见图3为输入电路。

使用方波的频率更低大于f

民

.

0.1/1.2

0.1/2.0

0.15/2.7

0.2/3.0

–10/0

60/550

0.06/1.0

–10/0

165

0.1/1.2

0.1/2.0

0.15/2.7

0.2/3.0

–10/0

60/550

0.06/1.0

–10/0

165

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

MHz的最小/最大

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

0.18/1.2

0.18/2.0

0.2/2.3

0.2/2.5

–5/0

100/550

0.1/1.0

–5/0

200

0/115

–5/0

10

±

100

55

0.18/1.2

0.18/2.0

0.2/2.3

0.2/2.5

–5/0

100/550

0.1/1.0

–5/0

200

0/115

–5/0

10

±

100

55

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

MHz的最小/最大

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

MHz的最小/最大

dBm的最小/最大

pF的最大

A

最大

兆赫最大

参见图3为输入电路。

使用方波的频率更低大于f

民

.

参见图2为输入电路。

对于f < 5兆赫，采用直流耦合方波

（ 0至V

DD

).

交流耦合。当直流耦合， 0至V

DD

最大

（ CMOS兼容）

5

625

3

1.5/5.6

1

2

0.8

×

DV

DD

0.2

×

DV

DD

±

1

10

DV

DD

– 0.4

0.4

5

625

3

1.5/5.6

1

2

0.8

×

DV

DD

0.2

×

DV

DD

±

1

10

DV

DD

– 0.4

0.4

毫安（典型值）

A

典型值

％（典型值）

千欧，最小值/最大值

nA的典型值

％（典型值）

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

V分钟

V最大

可编程：见表V

有R

SET

= 2.7 k

有R

SET

= 2.7 k

0.5 V V

CP

0.5 V V

CP

V

CP

= V

P

/2

V

P

– 0.5 V

V

P

– 0.5 V

I

OH

= 500

A

I

OL

= 500

A

–2–

REV 。一

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

参数

电源

V

DD

1

V

DD

2

V

P

I

DD

（ RF + IF ）

6

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

I

DD

（ RF只）

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

I

DD

（如果只有）

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

I

P

(I

P

1 + I

P

2)

低功耗休眠模式

噪声特性

ADF4213的相位噪声楼

7

相位噪声性能

8

ADF4210 / ADF4211 ， IF ： 540 MHz输出

9

ADF4212 / ADF4213 ， IF ： 900 MHz输出

10

ADF4210 / ADF4211 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

12

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

13

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 2400 MHz输出

14

杂散信号

ADF4210 / ADF4211 ， IF ： 540 MHz输出

9

ADF4212 / ADF4213 ， IF ： 900 MHz输出

10

ADF4210 / ADF4211 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

12

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

13

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 2400 MHz输出

14

B版本B芯片

2

单位

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

11.5

15.0

17.5

20

6.75

10

12.5

15

5.5

1.0

1

–171

–164

–91

–89

–91

–85

–67

–88

–88/–90

–90/–94

–80/–82

–65/–70

–80/–82

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

11.5

15.0

17.5

20

6.75

10

12.5

15

5.5

1.0

1

–171

–164

–91

–89

–91

–85

–67

–88

–88/–90

–90/–94

–80/–82

–65/–70

–80/–82

V MIN / V最大

最大mA

A

典型值

dBc的/赫兹（典型值）

dB典型值

测试条件/评论

V

DD

1, V

DD

2

V

DD

1, V

DD

2

6.0 V

9.0毫安典型

11.0毫安典型

13.0毫安典型

15毫安典型

5.0毫安典型

7.0毫安典型

9.0毫安典型

11毫安典型

4.5毫安典型

T

A

= 25℃ ，0.55 mA典型

@ 25 kHz的PFD频率

@ 200kHz的PFD频率

@ VCO输出

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

见注11

@ 200 Hz的偏移和10kHz的PFD频率

@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

见注11

@ 10千赫/ 20 kHz和10 kHz的PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

笔记

1

工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。

3

这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保该IF / RF输入被分频为频率为

超过此值以下。

4

V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V ;对于V

DD

1 = V

DD

2 = 5 V ，采用CMOS兼容的水平，T

A

= 25°C.

5

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

6

V

DD

= 3 V ; P = 16 ; RF

IN

= 900 MHz的; IF

IN

= 540兆赫，T

A

= 25°C.

7

该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去上20 logN （N为N分频器值）。看

TPC 16 。

8

相位噪声测量与EVAL - ADF4210 / ADF4212 / ADF4213EB评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了

REFIN的合成（F

REFOUT

= 10 MHz的@ 0 dBm的）。

9

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

IF

= 540 MHz的; N = 2700 ;环路B / W = 20千赫。

10

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫。

11

如附注10家上市条件相同。

12

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1750 MHz的; N = 8750 ;环路B / W = 20千赫。

13

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 10千赫;偏移频率= 200赫兹; F

RF

= 1750 MHz的; N = 175000 ;环的B / W = 1千赫。

14

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1960 MHz的; N = 9800 ;环路B / W = 20千赫。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

(V 1 = V 2 = 3 V 10%, 5 V

时序特性

= AGND = DGND = 0 V ; T =

DD

IF

A

10%; V

DD

1, V

DD

2

≤

V

P

1, V

P

2

≤

6 V

民

给T

最大

除非另有说明）。

10％ ; AGND

RF

= DGND

RF

参数

t

1

t

2

t

3

t

4

t

5

t

6

在极限

T

民

给T

最大

（B版）

10

25

10

20

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

数据到时钟建立时间

数据时钟保持时间

时钟高时间

时钟低电平持续时间

时钟到LE建立时间

LE脉宽

笔记

通过设计保证，但未经生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

t

3

时钟

t

4

t

1

数据

DB20

（MSB）

DB19

t

2

DB2

DB1

（控制位C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

t

6

LE

t

5

LE

图1.时序图

绝对最大额定值

1, 2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DD

1至GND

3

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

DD

1至V

DD

2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

V

P

1, V

P

2至GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

P

1, V

P

2至V

DD

1 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+5.5 V

数字I / O电压为GND 。。。。。。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

模拟量I / O电压为GND 。。。。。。。。。 0.3 V到V

P

+ 0.3 V

REF

IN

中，Rf

IN

A， RF

IN

B,

IF

IN

A， IF

IN

B至GND 。。。。。。。。。。。。 0.3 V至VDD + 0.3 V

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -40∞C至+ 85∞C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

TSSOP

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。 150.4∞C / W

CSP

θ

JA

（桨焊接）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 122 ° C / W

CSP

θ

JA

（桨无焊接）。。。。。。。。。。。。。。。。 216 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路

< 2千伏，它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理

和组装。

3

GND = AGND = DGND = 0V。

晶体管数量

11749 （CMOS）和522 （双极）。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADF4210 / ADF4211 / ADF4212 / ADF4213具有专用ESD保护电路， per-

永久性的损坏，可能会发生在经受高能量静电放电设备。因此，

适当的ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

订购指南

警告！

ESD敏感器件

模型

ADF4210BRU

ADF4210BCP

ADF4211BRU

ADF4211BCP

ADF4212BRU

ADF4212BCP

ADF4213BRU

ADF4213BCP

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

–4–

封装选项*

RU-20

CP-20

RU-20

CP-20

RU-20

CP-20

RU-20

CP-20

REV 。一

*联系方式

该工厂的芯片的可用性。

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

引脚功能描述

引脚数

TSSOP

1

助记符

V

DD

1

功能

电源的RF部分。去耦电容到接地平面应尽可能地

尽可能到该引脚。 V

DD

1应介于2.7 V和5.5 V V值

DD

1必须有

相同的电势为V

DD

2.

电源为RF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

1.在系统中

V

DD

图1是3伏，它可以被设置为6 V和用于驱动具有调谐范围的VCO多达6五

输出从RF电荷泵。这通常被连接到一个环滤波器，驱动所述输入

到外部VCO 。

接地引脚的RF数字电路。

输入到RF预分频器。是交流耦合的RF VCO此低电平输入信号。

接地引脚的RF模拟电路。

RF / IF快速锁定模式。

参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值

DD

/ 2和等效输入

100 kΩ的电阻。该输入可以被驱动从一个TTL或CMOS晶体振荡器。

数字地的中频数字，接口和控制电路。

该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测，在缩放RF ， IF缩放或缩放

在外部访问的参考频率。

串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据是

锁存到在CLK的上升沿的24位移位寄存器。这个输入是高阻抗

CMOS输入。

串行数据输入。串行数据被加载的MSB音响首先用两个LSB被控制位。这

输入是高阻抗CMOS输入。

负荷启用， CMOS输入。当LE变为高电平时，存储在移位寄存器中的数据被加载到

的四个锁存器中的一个，使用控制比特被选择的锁存器。

在此引脚与地之间的电阻设置最大RF和IF电荷泵输出

电流。标称电压电势在R

SET

引脚为0.66 V.我之间的关系

CP

和R

SET

is

13.5

I

CP MAX

=

R

SET

所以，与

R

SET

= 2.7 k,

I

CP MAX

= 5毫安两者的RF和IF电荷泵。

接地引脚为中频模拟电路。

输入到RF预分频器。是交流耦合的IF VCO此低电平输入信号。

接地引脚的中频数字，接口和控制电路。

输出从IF电荷泵。这通常被连接到一个环滤波器，驱动所述输入

到外部VCO 。

电源为IF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

2.在系统中

V

DD

图2是3伏，它可以被设置为6 V和用于驱动具有调谐范围的VCO多达6五

电源为IF ，数字和接口部分。去耦电容到地平面应

被放置在尽可能靠近此引脚。 V

DD

2应介于2.7 V和5.5 V V值

DD

2

必须具有相同的电势为V

DD

1.

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

V

P

1

CP

RF

DGND

RF

IN

AGND

RF

FL

O

REF

IN

DGND

IF

MUXOUT

CLK

12

13

14

数据

LE

R

SET

15

16

17

18

19

20

AGND

IF

IN

DGND

IF

CP

IF

V

P

2

V

DD

2

销刀豆网络gurations

TSSOP

V

P

1

CP-20

V

DD

1

V

DD

2

CP

IF

16

15

DGND

IF

14

IF

IN

13

AGND

IF

12

R

SET

11

LE

V

DD

1

V

P

1

2

CP

RF 3

DGND

RF 4

RF

在5

AGND

RF 6

20

V

DD

2

20

19

18 17

ADF4210/

ADF4211/

ADF4212/

ADF4213

19

V 2

P

18

CP

IF

17

DGND

IF

16

IF

IN

CP

RF 1

DGND

RF 2

RF

IN 3

AGND

RF

FL

O

4

5

ADF4210/

ADF4211/

ADF4212/

ADF4213

顶视图

（不按比例）

6

7

8

9

10

顶视图

15

AGND

IF

（不按比例）

14

R

SET

FL

O 7

13

LE

12

数据

11

CLK

REF

在8

DGND

如果9

MUXOUT

10

REF

IN

CLK

V

P

2

DGND

IF

REV 。一

–5–

MUXOUT

数据

a

双通道RF / IF PLL频率合成器

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

概述

特点

ADF4210 ： 550兆赫/ 1.2 GHz的

ADF4211 ： 550兆赫/ 2.0 GHz的

ADF4212 ： 1.0千兆赫/ 2.7 GHz的

ADF4213 ： 1.0千兆赫/ 3 GHz的

2.7 V至5.5 V电源供电

独立的电荷泵电源（V

P

）允许扩展

调谐电压3 V系统

可编程双模预分频器

RF和IF ： 8/9 ， 16/17 ， 32/33 ， 64/65

可编程电荷泵电流

3线串行接口

模拟和数字锁定检测

快速锁定模式

掉电模式

该ADF4210 / ADF4211 / ADF4212 / ADF4213是一款双通道频率

合成器可以用于实现本地振荡器（ LO）的

在无线的上变频和下变频部分

接收机和发射机。它们可以提供本振为

在RF和IF部分。它们由一个低噪声数字PFD的

（相位频率检测器），精密电荷泵，一个亲

可编程参考分频器，可编程A和B计数器

和一个双模前置分频器（P / P + 1）。在A（ 6位）和B

（12位）计数器，在结合双模预分频器

（P / P + 1 ），实现N分频器（N = BP + A）。此外，

14位参考分频器（R计数器）允许选择

REFIN频率在PFD输入端。一个完整的PLL（相位

锁定环）可如合成器一起使用来实现

外部环路滤波器和VCO （压控振荡器）。

所有片内寄存器均通过简单的3线接口。

应用

该器件的电源电压范围为2.7 V操作

基地台的无线电台（GSM， PCS ，DCS，

5伏，并且可以在使用中被掉电时不。

CDMA，WCDMA ）

无线手机（ GSM ， PCS ， DCS ， CDMA ， WCDMA ）

无线局域网

通信测试设备

有线电视设备

功能框图

V

DD

1

V

DD

2

V

P

1

V

P

2

R

SET

12位IF

B- COUNTER

IF

IN

IF

预分频器

8位IF

A- COUNTER

相

比较

参考

收费

泵

如果目前的

环境

IFCP3 IFCP2 IFCP1

CP

IF

REF

IN

振荡器

14位IF

R- COUNTER

IF

LOCK

检测

时钟

数据

LE

24-BIT

数据

SDOUT

注册

14位RF

R- COUNTER

产量

MUX

MUXOUT

RFCP3 RFCP2 RFCP1

RF

LOCK

检测

如果目前的

环境

收费

泵

相

比较

参考

R

SET

FL

O

开关

FL

O

12位RF

B- COUNTER

RF

IN

RF

预分频器

6位射频

A- COUNTER

CP

RF

ADF4210/ADF4211/

ADF4212/ADF4213

AGND

IF

DGND

RF

AGND

RF

DGND

IF

DGND

IF

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

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ADI公司， 2001

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213–SPECIFICATIONS

(V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V 10%, 5 V 10%; V

DD

1, V

DD

2

≤

V

P

1, V

P

2

≤

6.0 V ; AGND

RF

= DGND

RF

= AGND

IF

= DGND

IF

= 0 V ;

SET

= 2.7 k

T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

P

ARAMETER

RF / IF特性（ 3 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

RF输入灵敏度

IF输入频率（ IF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

RF / IF特性（ 5 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

RF输入灵敏度

IF输入频率（ IF

IN

)

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

REFIN特性

REFIN输入频率

REFIN输入灵敏度

4

REFIN输入电容

REFIN输入电流

相位检测器

鉴相器频率

5

电荷泵

I

CP

吸入/源

高价值

低价值

绝对精度

R

SET

范围

I

CP

三态泄漏电流

漏极和源极电流匹配

I

CP

与V

CP

I

CP

与温度的关系

逻辑输入

V

INH

，输入高电压

V

INL

，输入低电压

I

INH

/I

INL

，输入电流

C

IN

，输入电容

逻辑输出

V

OH

，输出电压高

V

OL

，输出低电压

B版本

B芯片

2

单位

1

dBm至50

;

测试条件/评论

参见图3为输入电路。

使用方波的频率更低大于f

民

.

0.1/1.2

0.1/2.0

0.15/2.7

0.2/3.0

–10/0

60/550

0.06/1.0

–10/0

165

0.1/1.2

0.1/2.0

0.15/2.7

0.2/3.0

–10/0

60/550

0.06/1.0

–10/0

165

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

MHz的最小/最大

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

0.18/1.2

0.18/2.0

0.2/2.3

0.2/2.5

–5/0

100/550

0.1/1.0

–5/0

200

0/115

–5/0

10

±

100

55

0.18/1.2

0.18/2.0

0.2/2.3

0.2/2.5

–5/0

100/550

0.1/1.0

–5/0

200

0/115

–5/0

10

±

100

55

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

MHz的最小/最大

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

MHz的最小/最大

dBm的最小/最大

pF的最大

A

最大

兆赫最大

参见图3为输入电路。

使用方波的频率更低大于f

民

.

参见图2为输入电路。

对于f < 5兆赫，采用直流耦合方波

（ 0至V

DD

).

交流耦合。当直流耦合， 0至V

DD

最大

（ CMOS兼容）

5

625

3

1.5/5.6

1

2

0.8

×

DV

DD

0.2

×

DV

DD

±

1

10

DV

DD

– 0.4

0.4

5

625

3

1.5/5.6

1

2

0.8

×

DV

DD

0.2

×

DV

DD

±

1

10

DV

DD

– 0.4

0.4

毫安（典型值）

A

典型值

％（典型值）

千欧，最小值/最大值

nA的典型值

％（典型值）

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

V分钟

V最大

可编程：见表V

有R

SET

= 2.7 k

有R

SET

= 2.7 k

0.5 V V

CP

0.5 V V

CP

V

CP

= V

P

/2

V

P

– 0.5 V

V

P

– 0.5 V

I

OH

= 500

A

I

OL

= 500

A

–2–

REV 。一

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

参数

电源

V

DD

1

V

DD

2

V

P

I

DD

（ RF + IF ）

6

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

I

DD

（ RF只）

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

I

DD

（如果只有）

ADF4210

ADF4211

ADF4212

ADF4213

I

P

(I

P

1 + I

P

2)

低功耗休眠模式

噪声特性

ADF4213的相位噪声楼

7

相位噪声性能

8

ADF4210 / ADF4211 ， IF ： 540 MHz输出

9

ADF4212 / ADF4213 ， IF ： 900 MHz输出

10

ADF4210 / ADF4211 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

12

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

13

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 2400 MHz输出

14

杂散信号

ADF4210 / ADF4211 ， IF ： 540 MHz输出

9

ADF4212 / ADF4213 ， IF ： 900 MHz输出

10

ADF4210 / ADF4211 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 900 MHz输出

10

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

12

ADF4211 / ADF4212 ， RF ： 1750 MHz输出

13

ADF4212 / ADF4213 ， RF ： 2400 MHz输出

14

B版本B芯片

2

单位

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

11.5

15.0

17.5

20

6.75

10

12.5

15

5.5

1.0

1

–171

–164

–91

–89

–91

–85

–67

–88

–88/–90

–90/–94

–80/–82

–65/–70

–80/–82

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

11.5

15.0

17.5

20

6.75

10

12.5

15

5.5

1.0

1

–171

–164

–91

–89

–91

–85

–67

–88

–88/–90

–90/–94

–80/–82

–65/–70

–80/–82

V MIN / V最大

最大mA

A

典型值

dBc的/赫兹（典型值）

dB典型值

测试条件/评论

V

DD

1, V

DD

2

V

DD

1, V

DD

2

6.0 V

9.0毫安典型

11.0毫安典型

13.0毫安典型

15毫安典型

5.0毫安典型

7.0毫安典型

9.0毫安典型

11毫安典型

4.5毫安典型

T

A

= 25℃ ，0.55 mA典型

@ 25 kHz的PFD频率

@ 200kHz的PFD频率

@ VCO输出

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

见注11

@ 200 Hz的偏移和10kHz的PFD频率

@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

见注11

@ 10千赫/ 20 kHz和10 kHz的PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

笔记

1

工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。

3

这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保该IF / RF输入被分频为频率为

超过此值以下。

4

V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V ;对于V

DD

1 = V

DD

2 = 5 V ，采用CMOS兼容的水平，T

A

= 25°C.

5

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

6

V

DD

= 3 V ; P = 16 ; RF

IN

= 900 MHz的; IF

IN

= 540兆赫，T

A

= 25°C.

7

该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去上20 logN （N为N分频器值）。看

TPC 16 。

8

相位噪声测量与EVAL - ADF4210 / ADF4212 / ADF4213EB评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了

REFIN的合成（F

REFOUT

= 10 MHz的@ 0 dBm的）。

9

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

IF

= 540 MHz的; N = 2700 ;环路B / W = 20千赫。

10

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫。

11

如附注10家上市条件相同。

12

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1750 MHz的; N = 8750 ;环路B / W = 20千赫。

13

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 10千赫;偏移频率= 200赫兹; F

RF

= 1750 MHz的; N = 175000 ;环的B / W = 1千赫。

14

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1960 MHz的; N = 9800 ;环路B / W = 20千赫。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

(V 1 = V 2 = 3 V 10%, 5 V

时序特性

= AGND = DGND = 0 V ; T =

DD

IF

A

10%; V

DD

1, V

DD

2

≤

V

P

1, V

P

2

≤

6 V

民

给T

最大

除非另有说明）。

10％ ; AGND

RF

= DGND

RF

参数

t

1

t

2

t

3

t

4

t

5

t

6

在极限

T

民

给T

最大

（B版）

10

25

10

20

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

数据到时钟建立时间

数据时钟保持时间

时钟高时间

时钟低电平持续时间

时钟到LE建立时间

LE脉宽

笔记

通过设计保证，但未经生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

t

3

时钟

t

4

t

1

数据

DB20

（MSB）

DB19

t

2

DB2

DB1

（控制位C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

t

6

LE

t

5

LE

图1.时序图

绝对最大额定值

1, 2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DD

1至GND

3

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

DD

1至V

DD

2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

V

P

1, V

P

2至GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

P

1, V

P

2至V

DD

1 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+5.5 V

数字I / O电压为GND 。。。。。。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

模拟量I / O电压为GND 。。。。。。。。。 0.3 V到V

P

+ 0.3 V

REF

IN

中，Rf

IN

A， RF

IN

B,

IF

IN

A， IF

IN

B至GND 。。。。。。。。。。。。 0.3 V至VDD + 0.3 V

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -40∞C至+ 85∞C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

TSSOP

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。 150.4∞C / W

CSP

θ

JA

（桨焊接）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 122 ° C / W

CSP

θ

JA

（桨无焊接）。。。。。。。。。。。。。。。。 216 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路

< 2千伏，它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理

和组装。

3

GND = AGND = DGND = 0V。

晶体管数量

11749 （CMOS）和522 （双极）。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADF4210 / ADF4211 / ADF4212 / ADF4213具有专用ESD保护电路， per-

永久性的损坏，可能会发生在经受高能量静电放电设备。因此，

适当的ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

订购指南

警告！

ESD敏感器件

模型

ADF4210BRU

ADF4210BCP

ADF4211BRU

ADF4211BCP

ADF4212BRU

ADF4212BCP

ADF4213BRU

ADF4213BCP

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

芯片级封装

–4–

封装选项*

RU-20

CP-20

RU-20

CP-20

RU-20

CP-20

RU-20

CP-20

REV 。一

*联系方式

该工厂的芯片的可用性。

ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213

引脚功能描述

引脚数

TSSOP

1

助记符

V

DD

1

功能

电源的RF部分。去耦电容到接地平面应尽可能地

尽可能到该引脚。 V

DD

1应介于2.7 V和5.5 V V值

DD

1必须有

相同的电势为V

DD

2.

电源为RF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

1.在系统中

V

DD

图1是3伏，它可以被设置为6 V和用于驱动具有调谐范围的VCO多达6五

输出从RF电荷泵。这通常被连接到一个环滤波器，驱动所述输入

到外部VCO 。

接地引脚的RF数字电路。

输入到RF预分频器。是交流耦合的RF VCO此低电平输入信号。

接地引脚的RF模拟电路。

RF / IF快速锁定模式。

参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值

DD

/ 2和等效输入

100 kΩ的电阻。该输入可以被驱动从一个TTL或CMOS晶体振荡器。

数字地的中频数字，接口和控制电路。

该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测，在缩放RF ， IF缩放或缩放

在外部访问的参考频率。

串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据是

锁存到在CLK的上升沿的24位移位寄存器。这个输入是高阻抗

CMOS输入。

串行数据输入。串行数据被加载的MSB音响首先用两个LSB被控制位。这

输入是高阻抗CMOS输入。

负荷启用， CMOS输入。当LE变为高电平时，存储在移位寄存器中的数据被加载到

的四个锁存器中的一个，使用控制比特被选择的锁存器。

在此引脚与地之间的电阻设置最大RF和IF电荷泵输出

电流。标称电压电势在R

SET

引脚为0.66 V.我之间的关系

CP

和R

SET

is

13.5

I

CP MAX

=

R

SET

所以，与

R

SET

= 2.7 k,

I

CP MAX

= 5毫安两者的RF和IF电荷泵。

接地引脚为中频模拟电路。

输入到RF预分频器。是交流耦合的IF VCO此低电平输入信号。

接地引脚的中频数字，接口和控制电路。

输出从IF电荷泵。这通常被连接到一个环滤波器，驱动所述输入

到外部VCO 。

电源为IF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

2.在系统中

V

DD

图2是3伏，它可以被设置为6 V和用于驱动具有调谐范围的VCO多达6五

电源为IF ，数字和接口部分。去耦电容到地平面应

被放置在尽可能靠近此引脚。 V

DD

2应介于2.7 V和5.5 V V值

DD

2

必须具有相同的电势为V

DD

1.

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

V

P

1

CP

RF

DGND

RF

IN

AGND

RF

FL

O

REF

IN

DGND

IF

MUXOUT

CLK

12

13

14

数据

LE

R

SET

15

16

17

18

19

20

AGND

IF

IN

DGND

IF

CP

IF

V

P

2

V

DD

2

销刀豆网络gurations

TSSOP

V

P

1

CP-20

V

DD

1

V

DD

2

CP

IF

16

15

DGND

IF

14

IF

IN

13

AGND

IF

12

R

SET

11

LE

V

DD

1

V

P

1

2

CP

RF 3

DGND

RF 4

RF

在5

AGND

RF 6

20

V

DD

2

20

19

18 17

ADF4210/

ADF4211/

ADF4212/

ADF4213

19

V 2

P

18

CP

IF

17

DGND

IF

16

IF

IN

CP

RF 1

DGND

RF 2

RF

IN 3

AGND

RF

FL

O

4

5

ADF4210/

ADF4211/

ADF4212/

ADF4213

顶视图

（不按比例）

6

7

8

9

10

顶视图

15

AGND

IF

（不按比例）

14

R

SET

FL

O 7

13

LE

12

数据

11

CLK

REF

在8

DGND

如果9

MUXOUT

10

REF

IN

CLK

V

P

2

DGND

IF

REV 。一

–5–

MUXOUT

数据