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AP03N70F-A
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
额定重复性雪崩
开关速度快
简单的驱动要求
符合RoHS
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
650V
3.6Ω
3.3A
G
S
描述
AP03N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 265VAC离线AC / DC转换应用程序。
TO- 220FM型提供高阻断电压,以克服电压浪涌
和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合
开关,加固设计和成本效益。
在TO- 220FM包装普遍首选的所有commercial-
工业应用。该装置适合于开关模式电源
耗材, DC -AC转换器和大电流高速开关
电路。
G
D
S
TO-220FM(F)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
650
±30
3.3
2.1
10
29
0.23
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
67
3
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.3
65
单位
℃/W
℃/W
200705051-1/4
数据&规格如有变更,恕不另行通知
AP03N70F-A
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
分钟。
650
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
-
2
-
-
-
12
3
5
9
5
18
6
600
45
4
MAX 。单位
-
-
3.6
4
-
10
100
±100
20
-
-
-
-
-
-
960
-
-
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25 C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
o
V
GS
= 10V ,我
D
=1.6A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=1.6A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=3A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=3A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=100Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
3
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ,V
DD
= 50V ,L = 15MH ,R
G
=25Ω , I
AS
=3A.
参数
正向电压上
3
2
测试条件
I
S
= 3A ,V
GS
=0V
I
S
= 3A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
422
2580
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
3.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
2/4
AP03N70F-A
4
3
T
C
=25 C
3
o
10V
6.0V
2
T
C
=150
o
C
10V
5.0V
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
2
4.5V
2
5.0V
1
1
4.0V
1
4.5V
V
G
=4.0V
0
V
G
=3.5V
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3.0
2.5
I
D
=1.6A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
归一化
DS ( ON)
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
0.5
0.8
-50
0
50
100
150
0.0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
100
5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
4
10
T
j
= 150 C
I
S
(A)
1
T
j
= 25 C
V
GS ( TH)
(V)
1.3
o
o
3
2
0.1
1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP03N70F-A
16
10000
f=1.0MHz
14
V
GS
,门源电压( V)
12
I
D
=3A
V
DS
=480V
C
国际空间站
10
C( pF)的
8
100
6
C
OSS
4
C
RSS
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
10
归热响应(R
thJC
)
0.2
10us
1
0.1
I
D
(A)
100us
1ms
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
0.01
0
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
T
c
=25
o
C
单脉冲
0
1
10
100
10ms
100ms
单脉冲
0.01
1000
10000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
AP03N70F-A
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
额定重复性雪崩
开关速度快
简单的驱动要求
符合RoHS
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
650V
3.6Ω
3.3A
G
S
描述
AP03N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 265VAC离线AC / DC转换应用程序。
TO- 220FM型提供高阻断电压,以克服电压浪涌
和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合
开关,加固设计和成本效益。
在TO- 220FM包装普遍首选的所有commercial-
工业应用。该装置适合于开关模式电源
耗材, DC -AC转换器和大电流高速开关
电路。
G
D
S
TO-220FM(F)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
650
±30
3.3
2.1
10
29
0.23
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
67
3
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.3
65
单位
℃/W
℃/W
200705051-1/4
数据&规格如有变更,恕不另行通知
AP03N70F-A
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
分钟。
650
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
-
2
-
-
-
12
3
5
9
5
18
6
600
45
4
MAX 。单位
-
-
3.6
4
-
10
100
±100
20
-
-
-
-
-
-
960
-
-
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25 C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
o
V
GS
= 10V ,我
D
=1.6A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=1.6A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=3A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=3A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=100Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
3
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ,V
DD
= 50V ,L = 15MH ,R
G
=25Ω , I
AS
=3A.
参数
正向电压上
3
2
测试条件
I
S
= 3A ,V
GS
=0V
I
S
= 3A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
422
2580
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
3.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
2/4
AP03N70F-A
4
3
T
C
=25 C
3
o
10V
6.0V
2
T
C
=150
o
C
10V
5.0V
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
2
4.5V
2
5.0V
1
1
4.0V
1
4.5V
V
G
=4.0V
0
V
G
=3.5V
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3.0
2.5
I
D
=1.6A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
归一化
DS ( ON)
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
0.5
0.8
-50
0
50
100
150
0.0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
100
5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
4
10
T
j
= 150 C
I
S
(A)
1
T
j
= 25 C
V
GS ( TH)
(V)
1.3
o
o
3
2
0.1
1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP03N70F-A
16
10000
f=1.0MHz
14
V
GS
,门源电压( V)
12
I
D
=3A
V
DS
=480V
C
国际空间站
10
C( pF)的
8
100
6
C
OSS
4
C
RSS
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
10
归热响应(R
thJC
)
0.2
10us
1
0.1
I
D
(A)
100us
1ms
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
0.01
0
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
T
c
=25
o
C
单脉冲
0
1
10
100
10ms
100ms
单脉冲
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1000
10000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
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单价/备注
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP03N70F-A
    -
    -
    -
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    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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AP03N70F-A
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