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6 GHz的分数N频率合成器
ADF4156
特点
射频带宽到6GHz
2.7 V至3.3 V电源供电
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可编程模数小数
可编程电荷泵电流
3线串行接口
数字锁定检测
掉电模式
引脚兼容
ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113/ADF4106/
ADF4153和ADF4154频率合成器
可编程RF输出相位
环路滤波器的设计可以利用ADIsimPLL
周跳减少更快的锁定时间
概述
该ADF4156是一款6 GHz的分数N频率合成器
实现本机振荡器中的上变频和
无线接收机和发射机的下变频部分。
它由低噪声数字鉴相器的
器(PFD ),精密电荷泵和可编程参考
分频器。有型小数插值器是一个Σ-Δ ( Σ - Δ )
能够实现可编程小数N分频。该INT , FRAC ,
和MOD寄存器定义了一个总N分频器(N = ( INT +
(FRAC / MOD) ))。 RF输出相位是可编程的
需要之间的特定相位关系的应用
的输出与基准。 ADF4156还具有循环
跳减少电路,从而缩短锁定时间,而
需要修改环路滤波器。
所有片内寄存器均通过简单的3线接口。
该器件采用范围从2.7 V到电源
3.3V和可以关断不使用的时候。
应用
有线电视设备
基站对移动无线电(的WiMAX ,GSM, PCS ,DCS
超级3G ,CDMA,WCDMA )
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
无线局域网, PMR
通信测试设备
功能框图
AV
DD
DV
DD
V
P
R
SET
ADF4156
REF
IN
×2
5-BIT
v计数器
/2
分频器
V
DD
DGND
LOCK
检测
MUXOUT
产量
MUX
SD
OUT
V
DD
R
DIV
N
DIV
三阶
部分的
分数
REG
系数
REG
REG
N计数器
当前
环境
RFCP4 RFCP3 RFCP2 RFCP1
RF
IN
A
RF
IN
B
+相
频率
探测器
参考
收费
企业社会责任
CP
高Z
CE
时钟
数据
LE
32-BIT
数据
注册
AGND
DGND
CPGND
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
05863-001
ADF4156
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
时序规格................................................ .................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热阻抗................................................ ..................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
典型性能特征............................................. 7
电路说明................................................ ........................... 8
参考输入部分............................................... ................ 8
RF输入级............................................... ................................ 8
RF INT分频器............................................... .............................. 8
INT , FRAC , MOD和R的关系..................................... 8
RF v计数器............................................... ................................. 8
相位频率检测器( PFD)和电荷泵.............. 9
MUXOUT和锁定检测.............................................. 9 .......
输入移位寄存器............................................... ...................... 9
节目模式................................................ ............................ 9
寄存器映射................................................ .................................. 10
FRAC / INT寄存器R0 ............................................ ................. 11
相位寄存器, R 1 .............................................. ................ 12
MOD / R寄存器, R2 ............................................ ...................... 13
功能寄存器, R3 .............................................. ................... 15
CLK股利注册, R4 ............................................. .................... 16
保留位................................................ ............................... 16
初始化序列................................................ .............. 16
RF合成器:一个成功范例........................................ 17
模................................................. ...................................... 17
参考倍增和参考分频器............................. 17
12位可编程模数............................................. ... 17
周跳减少为缩短锁定时间........................... 17
推动机制................................................ ....................... 18
支线一致性和分数杂散优化........... 18
相RESYNC ................................................ ........................ 19
低频应用............................................... ..... 19
滤波器设计-的ADIsimPLL .............................................. ......... 19
接口................................................. .................................. 20
对于芯片级封装PCB设计指南.................... 20
外形尺寸................................................ ....................... 21
订购指南................................................ .......................... 22
修订历史
5月6日 - 修订版0 :初始版
第0版|第24 2
ADF4156
特定网络阳离子
AV
DD
DV
DD
= 2.7 V至3.3 V ,V
P
= AV
DD
至5.5 V , AGND = DGND = 0 V ,T
A
= T
给T
最大
, dBm的简称50 Ω ,除非
另有说明。
表1中。
参数
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
基准特性
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
3
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OH
,输出电压高
I
OH
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD
噪声特性
归一化相位噪声楼
4
相位噪声性能
5
5800 MHz输出
6
1
2
B版本
0.5/6.0
单位
GHz的最小/最大
测试条件/评论
1
为-10 dBm最小为0 dBm的最大;对于较低频率,
确保压摆率( SR ) > 400 V / μs的
对于f < 10兆赫,采用直流耦合的CMOS兼容
方波,转换速率> 25 V / μs的
偏置AV
DD
/2
2
10/250
0.4/AV
DD
10
±100
32
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
5
312.5
2.5
2.7/10
1
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
– 0.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
32
211
89
毫安(典型值)
μA (典型值)
% (典型值)
kΩ的最小/最大
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V分钟
μA(最大值)
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
可编程
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
漏极和源极电流
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5
V
CP
= V
P
/2
漏极开路输出选择; 1 kΩ的上拉至1.8 V
CMOS输出选择
I
OL
= 500 μA
26毫安典型
@ VCO输出
@ 5 kHz偏置, 25 MHz的PFD频率
工作温度为B版: -40°C至+ 85°C 。
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。
3
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
4
该图可以被用来计算相位噪声的任何应用程序。用公式-213 + 10log (F
PFD
)+ 20logN向看去计算的带内相位噪声性能
在VCO的输出。给出的值是最低的噪声模式。
5
相位噪声测量与EVAL- ADF4156EB1评估板和Agilent E5500相位噪声的系统。
6
f
REFIN
= 100 MHz的; F
PFD
= 25 MHz的;偏移频率= 5千赫; RF
OUT
= 5800 MHz的; N = 232 ;环路B / W = 20 kHz时,我
CP
= 313 μA ;最低的噪声模式。
第0版|第24 3
ADF4156
时序特定网络阳离子
AV
DD
DV
DD
= 2.7 V至3.3 V ,V
P
= AV
DD
至5.5 V , AGND = DGND = 0 V ,T
A
= T
给T
最大
, dBm的简称50 Ω ,除非
另有说明。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在T限制
给T
最大
(B版)
20
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
LE建立时间
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
时序图
t
4
时钟
t
5
t
2
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
3
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
05863-002
图2.时序图
第0版|第24 4
ADF4156
绝对最大额定值
T
A
= 25°C , GND = AGND = DGND = 0 V ,V
DD
= AV
DD
DV
DD
,
除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
V
DD
到V
DD
V
P
到GND
V
P
到V
DD
数字I / O电压为GND
模拟量I / O电压为GND
REF
IN
中,Rf
IN
到GND
工作温度范围
工业(B版)
存储温度范围
最高结温
再溢流焊接
峰值温度
在峰值温度的时间
最高结温
等级
-0.3 V至+4 V
-0.3 V至+0.3 V
0.3 V至5.8 V
0.3 V至5.8 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 125°C
150°C
260°C
40秒
150°C
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
这个装置是一个高性能的RF集成电路用
的<2千伏ESD额定值,它是ESD敏感。适当的预防措施
应采取的处理和装配。
热阻抗
表4.热阻抗
套餐类型
TSSOP
LFCSP_VQ (桨焊接)
θ
JA
112
30.4
单位
° C / W
° C / W
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第24 5
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