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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1014页 > AD8400AN50
a
特点
256位
取代1,2或4电位
1 k , 10 k , 50 k , 100 k
电源关闭,少于5 A
3线SPI兼容的串行数据输入
10 MHz的更新数据加载速率
+ 2.7V至+ 5.5V单电源供电
中量程预设
应用
替代机械电位器
可编程滤波器,延迟,时间常数
音量控制,平移
线阻抗匹配
电源调整
概述
V
DD
DGND
1-/2-/4-Channel
数字电位器
AD8400/AD8402/AD8403
功能框图
AD8403
8-BIT
LATCH
CK
1
DAC
2
SELECT
3
A1, A0
2
8
8
RDAC3
A3
W3
SHDN
B3
AGND3
4
CK
RS
SHDN
8-BIT
LATCH
8
RDAC2
A2
W2
B2
AGND2
RS
8
RDAC1
A1
W1
B1
SHDN
AGND1
10-BIT
串行
LATCH
SDI
CLK
CS
D
CK Q
RS
8-BIT
LATCH
CK
RS
8-BIT
LATCH
CK
RS
8
RDAC4
A4
W4
B4
AGND4
SHDN
在AD8400 / AD8402 / AD8403提供了一个单,双或四
通道, 256位数字控制可变电阻( VR )
装置。这些设备执行相同的电子调整
功能作为一个电位计或可变电阻器。在AD8400
包含在紧凑的SO- 8封装的可变电阻器。
的AD8402包含两个独立的可变电阻
节省空间的SO- 14表面贴装封装。在AD8403 CON-
24引脚tains四个独立的可变电阻PDIP , SOIC
和TSSOP封装。每个部分包含一个固定电阻与一个
雨刮器接触的水龙头在一个点上阻止 - 固定电阻值
通过加载到控制串行输入的数字代码开采
注册。雨刮器和两个端点之间的电阻
固定电阻器的相对于线性变化的数字
代码传送到VR锁存器。每个可变电阻器报价
性的完全可编程值时, A之间
端子和电刷或B端子和电刷。该
固定A到B 1 kΩ的,为10kΩ , 50 kΩ或100 kΩ的终端电阻
±1%
通道与通道之间的匹配公差带的标称
为500ppm /℃的温度系数。独特的开关税务局局长
CUIT最大程度地减少高故障固有的传统交换
电阻器的设计避免任何先合后断或折断,直至─
使操作。
每个VR具有保持其设定自己的VR锁存器
电阻值。这些VR锁存器由一个SPI更新
兼容的串行到并行的移位寄存器,其由装
标准的3线串行输入数字接口。十大数据位进行
备份数据字读入串行输入寄存器。数据
字被解码,其中前两个比特确定的地址
的VR锁存器中加载时,最后8位是数据。串行
数据输出引脚串行寄存器的相对端可
简单的菊花链连接多个VR应用,而无需额外
tional外部解码逻辑。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
SDO
RS
SHDN
复位( RS )引脚强制雨刮器的中间值位置,以
装载80
H
进入VR锁存器。该
SHDN
引脚强制电阻
TOR结束对终端开路状态的终端
和短裤雨刮器的B端,实现了微瓦
电源关闭状态。当
SHDN
返回到逻辑高,
前一锁存器的设置把刮水器在相同的电阻
设置在关闭之前。数字接口仍处于活动状态中
关机,这样的代码更改可将生产
当设备退出关断新的雨刮器位置。
该AD8400是两个可用的SO- 8表面贴装和
8引脚塑料DIP封装。
在AD8402可在表面贴装( SO- 14)和
14引脚塑料DIP封装,而AD8403可
窄体24引脚塑料DIP和24引脚表面
贴装封装。在AD8402 / AD8403还提供了
1.1毫米超薄TSSOP - 14 / TSSOP -24封装的PCMCIA AP-
并发症。所有部件均保证工作在扩展级
工业温度范围-40℃至+ 85℃ 。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 617 / 326-8703
ADI公司,1997
AD8400/AD8402/AD8403–SPECIFICATIONS
10 K版
电气特性
参数
符号
(V
DD
= + 3V 10 %或+ 5 V
另有说明)
条件
10%, V
A
= +V
DD
, V
B
= 0 V , -40℃
T
A
+ 85°C ,除非
–1
–2
8
典型值
1
±
1/4
±
1/2
10
500
50
0.2
最大
+1
+2
12
100
1
单位
最低位
最低位
k
PPM /°C的
%
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
A
V
V
V
V
V
V
A
pF
V
A
mA
W
%/%
%/%
千赫
%
s
纳伏/赫兹÷
dB
直流特性变阻器模式规范适用于所有村
电阻差NL
2
R- DNL
R
WB
, V
A
= NC
R- INL
R
WB
, V
A
= NC
非线性电阻器
2
3
标称阻值
R
T
A
= + 25 ° C,产品型号: AD840XYY10
V
AB
= V
DD
,雨刮=无连接
电阻温度系数
R
AB
/T
滑动端电阻
R
W
I
W
= 1 V / R
标称电阻匹配
R/R
O
通道1到2,3,或4,V
AB
= V
DD
, T
A
= +25°C
直流特性电位器分规范适用于所有村
决议
N
4
INL
积分非线性
4
微分非线性
DNL
V
DD
= +5 V
T
A
= +25°C
DNL
V
DD
= +3 V
DNL
V
DD
= +3 V
T
A
= –40°C, +85°C
码= 80
H
分压器温度系数
V
W
/T
满量程误差
V
WFSE
代码= FF
H
零刻度误差
V
WZSE
码= 00
H
电阻端子
电压范围
5
电容
6
AX ,BX
电容
6
Wx
关断电流
7
关闭抽头电阻
数字输入输出&
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平
输出逻辑低电平
输入电流
输入电容
6
电源
电源电压范围
电源电流( CMOS )
电源电流( TTL )
8
功耗( CMOS )
9
电源灵敏度
动态特性
6, 10
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
相声
11
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
A_SD
R
W_SD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
DD
范围
I
DD
I
DD
P
DISS
PSS
PSS
BW_10K
THD
W
t
S
e
NWB
C
T
8
–2
–1
–1
–1.5
–4
0
0
±
1/2
±
1/4
±
1/4
±
1/2
15
–2.8
+1.3
+2
+1
+1
+1.5
0
+2
V
DD
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 80
H
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 80
H
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0, V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
V
DD
= +3 V
R
L
= 1 kΩ到V
DD
I
OL
= 1.6毫安, V
DD
= +5 V
V
IN
= 0 V或5 V ,V
DD
= +5 V
2.4
75
120
0.01
100
5
200
0.8
2.1
0.6
V
DD
–0.1
0.4
±
1
5
2.7
5.5
0.01
5
0.9
4
27.5
0.0002 0.001
0.006 0.03
600
0.003
2
9
–65
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V
V
IH
= 2.4 V或0.8 V ,V
DD
= +5.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V, V
DD
= +5.5 V
V
DD
= +5 V
±
10%
V
DD
= +3 V
±
10%
R = 10 kΩ的
V
A
= 1 V RMS + 2 V DC ,V
B
= 2 V DC , F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
±
1%的误差带
R
WB
= 5kΩ的中,f = 1千赫
RS
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V
说明对于10 kΩ的版本
1
标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V
DD
= +5 V.
2
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。参见图30测试电路。
I
W
= 50
A
对于V
DD
= 3 V和I
W
= 400
A
对于V
DD
= + 5V为10 kΩ的版本。
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器(V
W
) =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
的DNL规范极限值
±
1 LSB(最大值)保证单调的工作条件。参见图29测试电路。
5
电阻端子A, B,W对极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。电阻端电容测试测量与被测终端上2.5 V偏压。其余
电阻器端子处于开路。
7
测量斧头终端。所有的斧端子在关断模式下开路。
8
最坏的情况下电源电流为2.4 V , CMOS逻辑的标准特征时所消耗的输入逻辑电平。参见图21我的阴谋
DD
与逻辑电压。
9
P
DISS
从(我计算
DD
×
V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
10
所有的动态特性采用V
DD
= +5 V.
11
测量在V
W
脚的地方相邻V
W
销使一满刻度电压的变化。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
版本B
特定网络阳离子
50千& 100 K版
电气特性
参数
符号
AD8400/AD8402/AD8403
(V
DD
= + 3V 10 %或+ 5 V
另有说明)
条件
10%, V
A
= +V
DD
, V
B
= 0 V , -40℃
T
A
+ 85°C ,除非
–1
–2
35
70
典型值
1
±
1/4
±
1/2
50
100
500
53
0.2
最大
+1
+2
65
130
100
1
单位
最低位
最低位
k
k
PPM /°C的
%
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
A
V
V
V
V
V
V
A
pF
V
A
mA
W
%/%
%/%
千赫
千赫
%
s
s
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
dB
直流特性变阻器模式规范适用于所有村
电阻差NL
2
R- DNL
R
WB
, V
A
= NC
2
非线性电阻器
R- INL
R
WB
, V
A
= NC
R
T
A
= + 25 ° C,产品型号: AD840XYY50
标称阻值
3
R
T
A
= + 25 ° C,产品型号: AD840XYY100
电阻温度系数
R
AB
/T
V
AB
= V
DD
,雨刮=无连接
I
W
= 1 V / R
滑动端电阻
R
W
标称电阻匹配
R/R
O
通道1到2,3,或4,V
AB
= V
DD
, T
A
= +25°C
直流特性电位器分规范适用于所有村
决议
N
4
INL
积分非线性
微分非线性
4
DNL
V
DD
= +5 V
T
A
= +25°C
DNL
V
DD
= +3 V
DNL
V
DD
= +3 V
T
A
= –40°C, +85°C
分压器温度系数
V
W
/T
码= 80
H
代码= FF
H
满量程误差
V
WFSE
零刻度误差
V
WZSE
码= 00
H
电阻端子
电压范围
5
电容
6
AX ,BX
电容
6
Wx
关断电流
7
关闭抽头电阻
数字输入输出&
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平
输出逻辑低电平
输入电流
输入电容
6
电源
电源电压范围
电源电流( CMOS )
电源电流( TTL )
8
功耗( CMOS )
9
电源灵敏度
动态特性
6, 10
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
相声
11
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
A_SD
R
W_SD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
DD
范围
I
DD
I
DD
P
DISS
PSS
PSS
BW_50K
BW_100K
THD
W
t
S
_50K
t
S
_100K
e
NWB
_50K
e
NWB
_100K
C
T
8
–4
–1
–1
–1.5
–1
0
0
±
1
±
1/4
±
1/4
±
1/2
15
–0.25
+0.1
+4
+1
+1
+1.5
0
+1
V
DD
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 80
H
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 80
H
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0, V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
V
DD
= +3 V
R
L
= 1 kΩ到V
DD
I
OL
= 1.6毫安, V
DD
= +5 V
V
IN
= 0 V或5 V ,V
DD
= +5 V
2.4
15
80
0.01
100
5
200
0.8
2.1
0.6
V
DD
–0.1
0.4
±
1
5
2.7
5.5
0.01
5
0.9
4
27.5
0.0002 0.001
0.006 0.03
125
71
0.003
9
18
20
29
–65
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V
V
IH
= 2.4 V或0.8 V ,V
DD
= +5.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V, V
DD
= +5.5 V
V
DD
= +5 V
±
10%
V
DD
= +3 V
±
10%
R = 50 kΩ的
R = 100kΩ的
V
A
= 1 V RMS + 2 V DC ,V
B
= 2 V DC , F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
±
1%的误差带
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
±
1%的误差带
R
WB
= 25 kΩ的, F = 1 kHz时,
RS
= 0
R
WB
= 50 kΩ的, F = 1 kHz时,
RS
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V
注意事项50 kΩ和100 kΩ的
1
标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V
DD
= +5 V.
2
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。参见图30测试电路。
I
W
= V
DD
/ R的V
DD
= + 3V或+ 5V为50 kΩ和100 kΩ的版本。
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器(V
W
) =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
的DNL规范极限值
±
1 LSB(最大值)保证单调的工作条件。参见图29测试电路。
5
电阻端子A, B,W对极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。电阻端电容测试测量与被测终端上2.5 V偏压。其余
电阻器端子处于开路。
7
测量斧头终端。所有的斧端子在关断模式下开路。
8
最坏的情况下电源电流为2.4 V , CMOS逻辑的标准特征时所消耗的输入逻辑电平。参见图21我的阴谋
DD
与逻辑电压。
9
P
DISS
从(我计算
DD
×
V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
10
所有的动态特性采用V
DD
= +5 V.
11
测量在V
W
脚的地方相邻V
W
销使一满刻度电压的变化。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
版本B
–3–
AD8400/AD8402/AD8403–SPECIFICATIONS
1 K版
电气特性
参数
符号
(V
DD
= + 3V 10 %或+ 5 V
另有说明)
条件
10%, V
A
= +V
DD
, V
B
= 0 V , -40℃
T
A
+ 85°C ,除非
–5
–4
0.8
典型值
1
–1
±
1.5
1.2
700
53
0.75
最大
+3
+4
1.5
100
2
单位
最低位
最低位
k
PPM /°C的
%
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
A
V
V
V
V
V
V
A
pF
V
A
mA
W
%/%
%/%
千赫
%
s
纳伏/赫兹÷
dB
直流特性变阻器模式规范适用于所有村
电阻差NL
2
R- DNL
R
WB
, V
A
= NC
2
R- INL
R
WB
, V
A
= NC
非线性电阻器
标称阻值
3
R
T
A
= + 25 ° C,产品型号: AD840XYY1
V
AB
= V
DD
,雨刮=无连接
电阻温度系数
R
AB
/T
滑动端电阻
R
W
I
W
= 1 V / R
AB
标称电阻匹配
R/R
O
CH 1 2,V
AB
= V
DD
, T
A
= +25°C
直流特性电位器分规范适用于所有村
决议
N
INL
积分非线性
4
4
微分非线性
DNL
V
DD
= +5 V
DNL
V
DD
= 3 V,T
A
= +25°C
分压器温度系数
V
W
/T
码= 80
H
代码= FF
H
满量程误差
V
WFSE
零刻度误差
V
WZSE
码= 00
H
电阻端子
电压范围
5
电容
6
AX ,BX
电容
6
Wx
关断电源电流
7
关闭抽头电阻
数字输入输出&
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平
输出逻辑低电平
输入电流
输入电容
6
电源
电源电压范围
电源电流( CMOS )
电源电流( TTL )
8
功耗( CMOS )
9
电源灵敏度
动态特性
6, 10
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
相声
11
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
DD_SD
R
W_SD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
DD
范围
I
DD
I
DD
P
DISS
PSS
PSS
BW_1K
THD
W
t
S
e
NWB
C
T
8
–6
–4
–5
–20
0
0
±
2
–1.5
–2
25
–12
6
+6
+2
+5
0
10
V
DD
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 80
H
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 80
H
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0, V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
V
DD
= +3 V
R
L
= 1 kΩ到V
DD
I
OL
= 1.6毫安, V
DD
= +5 V
V
IN
= 0 V或5 V ,V
DD
= +5 V
2.4
75
120
0.01
50
5
100
0.8
2.1
0.6
V
DD
–0.1
0.4
±
1
5
2.7
5.5
0.01
5
0.9
4
27.5
0.0035 0.008
0.05
0.13
5,000
0.015
0.5
3
–65
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V
V
IH
= 2.4 V或0.8 V ,V
DD
= +5.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V, V
DD
= +5.5 V
V
DD
= +5 V
±
10%
V
DD
= +3 V
±
10%
R = 1kΩ的
V
A
= 1 V RMS + 2 V DC ,V
B
= 2 V DC , F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
±
1%的误差带
R
WB
= 500
,
F = 1千赫
RS
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V
注意事项1 kΩ器件
1
标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V
DD
= +5 V.
2
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。参见图30测试电路。
I
W
= 500
A
对于V
DD
= 3 V和I
W
= 4毫安V
DD
= + 5V为1 kΩ的版本。
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器(V
W
) =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
的DNL规范极限值
±
1 LSB(最大值)保证单调的工作条件。参见图29测试电路。
5
电阻端子A, B,W对极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。电阻端电容测试测量与被测终端上2.5 V偏压。其余
电阻器端子处于开路。
7
测量斧头终端。所有的斧端子在关断模式下开路。
8
最坏的情况下电源电流为2.4 V , CMOS逻辑的标准特征时所消耗的输入逻辑电平。参见图21我的阴谋
DD
与逻辑电压。
9
P
DISS
从(我计算
DD
×
V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
10
所有的动态特性采用V
DD
= +5 V.
11
测量在V
W
脚的地方相邻V
W
销使一满刻度电压的变化。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–4–
版本B
AD8400/AD8402/AD8403–SPECIFICATIONS
所有版本
(V = + 3V 10 %或+ 5 V
电气特性
另有说明)
DD
10%, V
A
= +V
DD
, V
B
= 0 V , -40℃
T
A
+ 85°C ,除非
10
5
5
1
10
10
50
0
10
典型值
1
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
开关特性
2, 3
输入时钟脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
CLK到SDO传输延迟
4
CS
建立时间
CS
高脉冲宽度
复位脉冲宽度
CLK到秋季
CS
上升保持时间
CS
上升到时钟上升沿设置
符号
t
CH
, t
CL
t
DS
t
DH
t
PD
t
CSS
t
CSW
t
RS
t
CSH
t
CS1
条件
时钟电平高或低
R
L
= 1 kΩ至+5 V ,C
L
20 pF的
25
笔记
1
标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V
DD
= +5 V.
2
通过设计保证,不受生产测试。电阻端电容测试测量与被测终端上2.5 V偏压。其余
电阻器端子处于开路。
3
看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定
R
= t
F
= 1毫微秒(10% 90 %的V
DD
)和定时从一个电压电平
1.6 V.采用V开关特性进行测量
DD
= 3 V或5 V.为了避免错误的时钟的最小输入逻辑转换速率1 V /
s
应当保留。
4
传播延迟取决于V的价值
DD
, R
L
和C
L
- 参见应用程序的文本。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
1
SDI
0
1
CLK
0
DAC寄存器加载
1
CS
0
V
OUT
V
DD
0V
V
OUT
V
DD
V
DD
/2
±1%
误差带
1
RS
0
t
RS
A1
A0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
t
S
±1%
图1c 。复位时序图
绝对最大额定值*
图1a。时序图
SDI
(数据输入)
1
AX或DX
0
1
A'x或D' X
0
A'x或D' X
AX或DX
(T
A
= + 25℃ ,除非另有说明)
t
DS
t
DH
SDO
(数据输出)
t
PD_MIN
1
CLK
0
1
CS
0
V
DD
V
OUT
0V
t
PD- MAX
t
CH
t
CS1
t
CL
t
CSS
t
CSH
t
CSW
t
S
±1
%
±1
%误差带
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V, + 8V
V
A
, V
B
, V
W
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V ,V
DD
A
X
–B
X
, A
X
–W
X
, B
X
–W
X
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
20毫安
数字输入和输出电压GND 。 。 。 。 。 。 。 0 V , + 8V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
最高结温(T
J
最大值)。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
封装功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (T
J
最大-T
A
)/θ
JA
热阻
JA
)
P- DIP( N-14) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 83 ° C / W
P- DIP (N - 24 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 63 ° C / W
SOIC ( SO - 14 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 70 ° C / W
SOIC ( SOL - 24 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 120 ° C / W
TSSOP -14 ( RU - 14 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 180℃ / W的
TSSOP -24 ( RU - 24 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 143 ° C / W
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
图1b。详细时序图
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD8400 / AD8402 / AD8403配备了专用ESD保护电路, perma-
新界东北的损害可能会发生在受到高能静电放电设备。因此,
适当的ESD预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–5–
版本B
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:朱咸华
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