a
特点
高速
400 MHz的-3 dB的全功率带宽
2000 V / s的压摆率
固定的2增益，无需外部元件
内部共模反馈来提高增益
和相位平衡
为-60 dB @ 10 MHz的
单独的输入设置共模输出
电压
低失真
68分贝SFDR @ 5 MHz的200
负载
低功耗7.5毫安@ 3 V
电源电压范围2.7 V至5 V
应用
视频线路驱动器
数字式线路驱动器
低功耗差分ADC驱动器
差分输入/输出电平转换
单端输入至差分输出驱动器
–D
IN
低成本，高速
差分驱动器
AD8131
功能框图
1
750
V
OCM
2
750
7 NC
6 V–
1.5k
OUT + 4
1.5k
5 -OUT
8 +D
IN
V+ 3
AD8131
NC =无连接
–20
V
OUT
， DM = 2V P-P
V
OUT
，厘米/ V
OUT
， DM
–30
BALANCE错误 - 分贝
–40
–50
V
S
= +5V
–60
–70
V
S
=
–80
5V
1
10
100
频率 - 兆赫
1000
概述
图1.输出平衡误差与频率的关系
该AD8131是一款差分或单端输入至differen-
TiAl基输出驱动器，无需外部元件的一个固定
2.在AD8131的增益对于运算放大器的一大进步
用于驱动长线路信号或驱动差分输入
ADC的。该AD8131具有独特的内部反馈特性，
提供输出增益和相位匹配是平衡的，以
-60分贝在10 MHz ，降低了EMI辐射和抑制
谐波。 ADI公司的新一代XFCB制造
双极型工艺中， AD8131具有400 MHz的-3 dB带宽
并提供差分信号具有非常低的谐波失真。
的AD8131是用于传输的差分驱动器
高速信号通过低成本双绞线或同轴电缆。
的AD8131可用于模拟或数字视频
信号或其它高速数据传输。在AD8131
驱动程序能够驱动3类或5类双绞线或同轴电缆的
且线路衰减极小。在AD8131具有相当的
分立式线路驱动器的成本和性能方面的改进
的解决方案。
的AD8131可以在各种应用更换变压器
系统蒸发散保留低频和直流信息。在AD8131
不具有敏感性的磁干扰和
变压器的磁滞，而其尺寸更小，更容易
有工作，并且具有与集成电路相关联的高可靠性。
在AD8131的差分输出有助于平衡输入
用于差分ADC的，优化的失真性能
ADC的。差分输出的共模电平
是可调节的以在V的电压
OCM
脚，很容易电平转换
驱动单电源ADC与双电源输入信号
信号。快速过载恢复则可确保采样准确度。
该AD8131将在这两个SOIC和
μSOIC
套餐
工作在-40°C到+ 85 ℃。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1999
5 V,
= 0, G = 2,
200 ，除非另有说明。参考
AD8131–SPECIFICATIONS
全部（ @ 25℃ ，V = referVto单endedRinput =和差分输出，除非另有说明。 ）以
图2和图37为试验设置和标签说明。特定网络阳离子
S
OCM
L， DM
参数
D
IN
to
OUT特定网络阳离子
条件
民
典型值
最大
单位
动态性能
的-3 dB大信号带宽
-3 dB的小信号带宽
带宽为0.1 dB平坦度
压摆率
建立时间
过驱动恢复时间
噪音/谐波性能
二次谐波
V
OUT
= 2 V P-P
V
OUT
= 0.2 V P-P
V
OUT
= 0.2 V P-P
V
OUT
= 2 V P-P ，10％至90％的
0.1%, V
OUT
= 2 V P-P
V
IN
= 5 V至0 V步
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 800
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 800
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 800
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 800
20兆赫，R
L， DM
= 800
20兆赫，R
L， DM
= 800
F = 20MHz的
NTSC ，R
L， DM
= 150
NTSC ，R
L， DM
= 150
V
操作系统， DM
= V
OUT ， DM
; V
DIN +
= V
DIN-
= V
OCM
= 0 V
T
民
给T
最大
变异
V
OCM
= FLOAT
T
民
给T
最大
变异
单端输入
差分输入
V
OUT ， DM
/V
英寸，厘米
;
V
英寸，厘米
=
±
0.5 V
最大
V
OUT
;单端输出
V
OUT ， DM
/V
IN， DM
;
V
IN， DM
=
±
0.5 V
V
OUT ，厘米
/V
OUT ， DM
;
V
OUT ， DM
= 1 V
1.97
400
320
85
2000
14
5
–68
–63
–95
–79
–94
–70
–101
–77
–54
30
25
0.01
0.06
±
2
±
8
±
4
±
10
1.125
1.5
1
-7.0到+5.0
–70
-3.6到+3.6
60
2
–70
±
7
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
%
度
mV
μV/°C
mV
μV/°C
k
k
pF
V
dB
V
mA
V/V
dB
三次谐波
IMD
IP3
电压噪声（ RTO ）
微分增益误差
差分相位误差
输入特性
失调电压
输入阻抗
输入电容
输入共模电压
CMRR
输出特性
输出电压摆幅
线性输出电流
收益
输出平衡误差
V
OCM
to
OUT特定网络阳离子
2.03
动态性能
-3 dB带宽
压摆率
直流性能
输入电压范围
输入阻抗
输入失调电压
输入偏置电流
V
OCM
CMRR
收益
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
工作温度范围
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
V
OCM
= 600毫伏
V
OCM
= -1 V至+1 V
210
500
±
3.6
120
±
1.5
±
2.5
0.5
–60
1
兆赫
V / μs的
V
k
mV
mV
A
dB
V/V
V
mA
μA /°C的
dB
°C
V
操作系统厘米
= V
OUT ，厘米
; V
DIN +
= V
DIN-
= V
OCM
= 0 V
V
OCM
= FLOAT
[V
OUT ， DM
/V
OCM
];
V
OCM
=
±
0.5 V
V
OUT ，厘米
/V
OCM
;
V
OCM
=
±
1 V
±
7
0.988
±
1.4
10.5
1.012
±
5.5
12.5
–56
+85
V
DIN +
= V
DIN-
= V
OCM
= 0 V
T
民
给T
最大
变异
V
OUT ， DM
/V
S
;
V
S
=
±
1 V
11.5
25
–70
–40
–2–
第0版
V
= 200，除非
指出。参考
特定网络阳离子
（ @ 25℃， V = 5伏，参阅= to2.5 V， G = 2 ， R输入端和differentialotherwiseunless说明。 ）图2和图37
为测试设置和标签说明。所有特定网络阳离子
单端
输出
S
OCM
L， DM
AD8131
单位
参数
D
IN
to
OUT特定网络阳离子
条件
民
典型值
最大
动态性能
的-3 dB大信号带宽
-3 dB的小信号带宽
带宽为0.1 dB平坦度
压摆率
建立时间
过驱动恢复时间
噪音/谐波性能
二次谐波
V
OUT
= 2 V P-P
V
OUT
= 0.2 V P-P
V
OUT
= 0.2 V P-P
V
OUT
= 2 V P-P ，10％至90％的
0.1%, V
OUT
= 2 V P-P
V
IN
= 5 V至0 V步
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 800
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 800
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 200
V
OUT
= 2 V P-P ， 5兆赫，R
L， DM
= 800
V
OUT
= 2 V P-P ， 20兆赫，R
L， DM
= 800
20兆赫，R
L， DM
= 800
20兆赫，R
L， DM
= 800
F = 20MHz的
NTSC ，R
L， DM
= 150
NTSC ，R
L， DM
= 150
V
操作系统， DM
= V
OUT ， DM
; V
DIN +
= V
DIN-
= V
OCM
= 2.5 V
T
民
给T
最大
变异
V
OCM
= FLOAT
T
民
给T
最大
变异
单端输入
差分输入
V
OUT ， DM
/V
英寸，厘米
;
V
英寸，厘米
=
±
0.5 V
最大
V
OUT
;单端输出
V
OUT ， DM
/V
IN， DM
;
V
IN， DM
=
±
0.5 V
V
OUT ，厘米
/V
OUT ， DM
;
V
OUT ， DM
= 1 V
1.96
385
285
65
1600
18
5
–67
–56
–94
–77
–74
–67
–95
–74
–51
29
25
0.02
0.08
±
3
±
7
±
8
±
4
±
10
1.125
1.5
1
-1.0到+4.0
–70
1.0 3.7
45
2
–62
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
%
度
mV
μV/°C
mV
μV/°C
k
k
pF
V
dB
V
mA
V/V
dB
三次谐波
IMD
IP3
电压噪声（ RTO ）
微分增益误差
差分相位误差
输入特性
失调电压
输入阻抗
输入电容
输入共模电压
CMRR
输出特性
输出电压摆幅
线性输出电流
收益
输出平衡误差
V
OCM
to
OUT特定网络阳离子
2.04
动态性能
-3 dB带宽
压摆率
直流性能
输入电压范围
输入阻抗
输入失调电压
输入偏置电流
V
OCM
CMRR
收益
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
工作温度范围
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
V
OCM
= 600毫伏
V
OCM
= 1.5 V至3.5 V
200
450
1.0 3.7
30
±
5
±
10
0.5
–60
1
兆赫
V / μs的
V
k
mV
mV
A
dB
V/V
V
mA
μA /°C的
dB
°C
V
操作系统厘米
= V
OUT ，厘米
; V
DIN +
= V
DIN-
= V
OCM
= 2.5 V
V
OCM
= FLOAT
[V
OUT ， DM
/V
OCM
];
V
OCM
= 2.5 V
±
0.5 V
V
OUT ，厘米
/V
OCM
;
V
OCM
= 2.5 V
±
1 V
±
12
0.985
2.7
9.25
1.015
11
11.25
–56
+85
V
DIN +
= V
DIN
= V
OCM
= 2.5 V
T
民
给T
最大
变异
V
OUT ， DM
/V
S
;
V
S
=
±
0.5 V
10.25
20
–70
–40
第0版
–3–
AD8131
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5.5 V
V
OCM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
V
S
内部功耗
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300C
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个额定值，功能的操作
器件在这些或任何其他条件上面这个操作部分上市
特定网络阳离子是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
测量SEMI标准的4层电路板的热阻。
8引脚SOIC
θ
JA
= 121 ° C / W
8-Lead
μSOIC θ
JA
= 142 ° C / W
绝对最大额定值
1
引脚功能描述
引脚号名称
1
2
–D
IN
V
OCM
功能
3
4
5
6
7
8
负输入端。
适用于该引脚电压设置共
模输出电压以1 ：1的比例。为
例如， 1 V DC上的V
OCM
将设置直流偏置
在+ OUT和-OUT等级为1 V.
V+
正电源电压。
+ OUT正输出。注：在电压-D
IN
is
倒在+ OUT 。
-OUT负输出。注意：该电压在+ D的
IN
反转在-OUT 。
V–
负电源电压。
NC
无连接。
+D
IN
积极投入
引脚配置
–D
IN
V
OCM
1
750
2
750
7 NC
6 V–
1.5k
OUT + 4
1.5k
5 -OUT
8 +D
IN
V+ 3
AD8131
NC =无连接
订购指南
模型
AD8131AR
AD8131AR-REEL
AD8131AR-REEL7
AD8131ARM
AD8131ARM-REEL
AD8131ARM-REEL7
AD8131-EVAL
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
8引脚SOIC
8-Lead
μSOIC
评估板
封装选项
SO-8
-40 ° C至+ 85°C
RM-8
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD8131具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
第0版
QQ：2880707522 复制
