【a特点快速12位ADC，具有1.47的转化。时间600 kSPS的吞吐速率（ AD7892-3 ）5】,IC型号AD7892BR-1,AD7892BR-1 PDF资料,AD7892BR-1经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

快速12位ADC，具有1.47的转化。时间

600 kSPS的吞吐速率（ AD7892-3 ）

500 kSPS的吞吐速率（ AD7892-1 ， AD7892-2 ）

单电源供电

片内采样/保持放大器

选择输入范围：

10 V或5 V的AD7892-1

0 V至+ 2.5V为AD7892-2

2.5 V的AD7892-3

高速串行和并行接口

低功耗， 60毫瓦（典型值）

过压保护的模拟输入（ AD7892-1

和AD7892-3 ）

MOS单电源，

12位600 kSPS的ADC

AD7892

功能框图

REF OUT / REF IN

+2.5V

参考

DB0

DB2

DB3/RFS

12-BIT

IN1

IN2

ADC

信号

缩放

采样/保持

时钟

控制逻辑

DB4/SCLK

DB5/SDATA

DB10/LOW

DB11/LOW

AD7892

模式

EOC CONVST

AGND DGND

待机

概述

该AD7892是一款高速，低功耗， 12位A / D转换器

即采用单+ 5V电源。该器件内置一个

1.47

逐次逼近型ADC ，一个片内采样/保持

放大器，一个内部+2.5 V基准电压源和片上通用的

接口结构，允许串行和并行连接

化到一个微处理器。该器件可接受的模拟输入范围

10 V或

5 V （ AD7892-1 ）， 0 V至+2.5 V（ AD7892-2 ）和

2.5 V （ AD7892-3 ）。在模拟输入过压保护

对于AD7892-1和AD7892-3允许输入电压去

17 V或

7 V分别不损坏端口。

AD7892提供两种数据输出格式可供选择：

单个并行12位字或串行数据。快速总线访问时间

和标准控制输入，可确保轻松并行接口

微处理器和数字信号处理器。一种高速

串行接口可直接连接到串行端口

微控制器和数字信号处理器。

除了传统直流精度规格，如

线性度，满量程和偏移误差，该部分也被用于指定

动态性能参数，包括谐波失真

和信号噪声比。

该AD7892是制作ADI公司线性相容

IBLE CMOS （ LC

MOS ）工艺，混合技术工艺

它结合了低功耗CMOS精密的双极性电路

逻辑。它采用24引脚，宽0.3" ，塑料或密封

DIP或24引脚SOIC封装。

产品亮点

1. AD7892-3的特点是1.47的转换时间

AND A

200 ns的跟踪/保持捕获时间。这允许一个吞吐量

放率的部分高达600 kSPS的。该AD7892-1和

AD7892-2操作与500 kSPS的吞吐速率。

2.从AD7892采用+5 V单电源和反对工作

sumes 60毫瓦（典型值），非常适合低功耗和便携

应用程序。

3.部分提供了一个高速，灵活的接口布局

以方便连接到并行和串行接口

微处理器，微控制器和数字信号

处理器。

版本C

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ADI公司， 2000

AD7892–SPECIFICATIONS

参数

动态性能

AD7892-1 ， AD7892-2

信号（噪声+失真）比

总谐波失真

峰值谐波或杂散噪声

互调失真

二阶条款

三阶条款

AD7892-3

信号（噪声+失真）比

总谐波失真

峰值谐波或杂散噪声

互调失真

二阶条款

三阶条款

DC精度

决议

最小分辨率为其中没有

失码的保证

相对精度

微分非线性

AD7892-1

正满量程误差

负满量程误差

双极性零误差

AD7892-3

正满量程误差

负满量程误差

双极性零误差

AD7892-2

正满量程误差

单极性偏移误差

模拟量输入

AD7892-1

输入电压范围

输入阻抗

AD7892-2

在V输入电压范围

IN1

输入电流

在V输入电压范围

IN2

AD7892-3

在V输入电压范围

IN1

输入阻抗

参考输出/输入

REF IN输入电压范围

输入阻抗

输入电容

REF OUT输出电压

REF OUT错误@ + 25°C

民

给T

最大

REF OUT温度系数

REF OUT输出阻抗

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

输入电容，C

IN4

一个版本

–78

–79

–78

–79

–78

1.5

= + 5V 5 ％， AGND = DGND = 0 V ， REF IN = 2.5 V.所有规格牛逼

民

给T

最大

除非另有说明）。

S版

单位

测试条件/评论

= 100千赫。 F

样品

= 500 kSPS时

B版本

–78

–79

–78

–79

–78

–79

–78

分贝分钟

最大分贝

分贝分钟

最大分贝

典型值-84分贝

FA = 49 kHz时， FB = 50千赫

典型值-84分贝

= 100千赫。 F

样品

= 600 kSPS时

FA = 49 kHz时， FB = 50千赫

最大分贝

位

LSB（最大值）

0至+2.5

2.5

2.375/2.625

1.6

2.5

5.5

2.4

0.8

0至+2.5

2.5

2.375/2.625

1.6

2.5

5.5

2.4

0.8

0至+2.5

伏

kΩ的分

伏

nA的最大

毫伏最大

伏

kΩ的分

输入应用到V

IN1

随着V

IN2

接地

输入应用到V

IN1

和V

IN2

输入应用到V

IN1

随着V

IN2

接地

输入应用到V

IN1

输入应用到V

IN1

2.375/2.625

1.6

2.5

5.5

2.4

0.8

V MIN / V最大

kΩ的分

pF的最大

V NOM

毫伏最大

PPM /°C的典型值

kΩ的NOM

V分钟

V最大

最大

pF的最大

2.5 V

电阻连接到内部参考节点

= 5 V

= 0 V到V

–2–

版本C

AD7892

参数

逻辑输出

输出高电压，V

输出低电压，V

DB11–DB0

浮态泄漏电流

浮态电容

输出编码

AD7892-1和AD7892-3

AD7892-2

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

转换时间

采样/保持捕获时间

电源要求

DD5

正常工作

待机模式

AD7892-2

AD7892-3 ， AD7892-1

功耗

正常工作

待机模式

AD7892-2

AD7892-3 ， AD7892-1

一个版本

4.0

0.4

B版本

4.0

0.4

S版

4.0

0.4

单位

V分钟

V最大

最大

pF的最大

测试条件/评论

来源

= 200

SINK

= 1.6毫安

二进制补码

直（自然科学）二进制

1.47

0.2

1.6

0.4

250

1.25

400

1.47

0.2

1.6

0.4

250

1.25

400

最大

V NOM

最大mA

典型值

最大

毫瓦MAX

毫瓦（典型值）

最大

AD7892-3

AD7892-1和AD7892-2

对于指定的性能5 ％

1.68

0.32

100

典型值15

= + 5V通常为60毫瓦

500

= + 5V通常75

笔记

温度范围如下： A，B版本： -40 ° C至+ 85°C ; S版： -55 ° C至+ 125°C 。

S版提供AD7892-1和AD7892-2只。

参见术语。

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

这些正常模式和待机模式电流与电阻器来实现（在范围为10千欧至100千欧）来完成DGND或V

在销8 ，9，16和17 。

A转换不应该在30以内的部分开始

对退出待机模式。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

绝对最大额定值*

= + 25 ° C除非另有说明）

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

模拟输入电压至AGND

AD7892-1 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

17 V

AD7892-2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

AD7892-3 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

7 V

基准输入电压至AGND 。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

数字输入电压至DGND 。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

数字输出电压DGND 。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

工作温度范围

商业（ A，B版本）。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

扩展（S版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

塑料DIP封装，功率耗散。。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 105 ° C / W

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。 + 260℃

CERDIP封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 70 ° C / W

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。 + 300℃

SOIC封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 75 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

版本C

–3–

AD7892

时序特性

1, 2

参数

CONV

ACQ

并行接口

6 3

7 4

串行接口

113

143

153

174

17A4

A，B

版本

1.47

1.6

200

400

200

= +5 V

5 ％， AGND = DGND = 0 V ， REF IN = + 2.5V ）

单位

最大

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

测试条件/评论

转换时间为AD7892-3

转换时间为AD7892-1 ， AD7892-2

采集时间为AD7892-3

采集时间为AD7892-1 ， AD7892-2

CONVST

脉宽

EOC

脉宽

EOC

下降沿到

下降沿建立时间

建立时间

阅读脉宽

数据访问时间的下降沿后

总线释放时间的上升沿之后

保持时间

CONVST

建立时间

RFS

低到SCLK下降沿建立时间

RFS

低到数据有效延迟

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

SCLK上升沿到数据有效保持时间

SCLK上升沿到数据有效延迟

RFS

到SCLK下降沿保持时间

总线释放时间的上升沿之后

RFS

总线释放时间SCLK的上升沿之后

VERSION

1.68

320

200

笔记

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有的输入信号被测量与指定tR = tF = 1纳秒（10％至90％的+ 5V）和定时从1.6 V的电压电平

参见图2和3 。

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

上述时间是从由所述数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1的电路所测得的数是然后

外推回除去的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着，在时序特性所给出的时间是真正的公交车

放弃部分的时间，因此是独立的外部总线负载电容。

假定对数据比特的CMOS负载。用TTL负载，更大的电流，从上述数据线和所述吸入

CONVST

时间需要延长至400 ns（最小值）。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

1.6mA

产量

针

50pF

+1.6V

200 A

图1.负载电路的访问时间和总线释放时间

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7892具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

版本C

AD7892

订购指南

模型

AD7892AN-1

AD7892BN-1

AD7892AR-1

AD7892BR-1

AD7892SQ-1

AD7892AN-2

AD7892BN-2

AD7892AR-2

AD7892BR-2

AD7892AN-3

AD7892BN-3

AD7892AR-3

AD7892BR-3

EVAL-AD7892-2CB

EVAL-AD7892-3CB

EVAL -CONTROL BOARD

输入

范围

5 V或

10 V

5 V或

10 V

5 V或

10 V

5 V或

10 V

5 V或

10 V

0 V至+2.5 V

2.5 V

评估板

控制器板

样品

率

500 ksps的

600 kSPS时

相对的

准确性

1 LSB

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

包

选项

N-24

R-24

Q-24

N-24

R-24

N-24

R-24

笔记

N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; R = SOIC 。

这些电路板可以作为独立的评估板，或与EVAL -CONTROL BOARD配合用于评估/演示。

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制并与CB标志后缀的ADI公司评估板通信。

版本C

–5–