APT8075BVFR
800V
12A 0.750
功率MOS V
FREDFET
TO-247
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
快速恢复体二极管
低漏
更快的开关
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
100 ％雪崩测试
FREDFET
D
G
S
热门TO- 247封装
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT8075BVFR
单位
伏
安培
800
12
48
±30
±40
260
2.08
-55到150
300
12
30
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
960
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
800
12
0.75
250
1000
2
4
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-5632冯 -
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
1-2005
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT8075BVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
pF
2600
270
135
130
13
66
12
11
45
8
3120
380
200
195
20
100
24
22
70
16
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
12
48
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
160
305
1.8
6.0
11
18
250
525
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.48
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 4.16mH ， R = 25
，峰值I = 25A
j
G
L
5
我 - [续] -I ，
di
/
= 100A / μs的，V
S
D
DD
- V
DSS
, T
j
- 150° C，R
G
= 2.0
,
dt
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
V
R
= 200V.
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.5
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5632冯 -
1-2005
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT8075BVFR
25
I
D
，漏极电流（安培）
25
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
20
5.5V
15
20
5.5V
15
10
5V
10
5V
5
4.5V
5
4.5V
4V
0
80
160
240
320
400
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
4V
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
1.4
V
GS
25
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
20
1.3
15
1.2
VGS=10V
VGS=20V
10
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.1
5
1.0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
12
I
D
，漏极电流（安培）
0
0.9
0
5
10
15
20
25
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
10
8
6
4
2
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
1-2005
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
050-5632冯 -
APT8075BVFR
50
I
D
，漏极电流（安培）
10S
100S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
5,000
C，电容（pF ）
10
5
1mS
西塞
1,000
科斯
500
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
CRSS
.1
1
5 10
50 100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
50
16
VDS=100V
VDS=250V
TJ = + 150°C
10
5
TJ = + 25°C
12
VDS=400V
8
1
.5
4
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
TO- 247封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
1-2005
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-5632冯 -
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT8075BVFR
800V
12A 0.750
功率MOS V
FREDFET
TO-247
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
快速恢复体二极管
低漏
更快的开关
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
100 ％雪崩测试
FREDFET
D
G
S
热门TO- 247封装
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT8075BVFR
单位
伏
安培
800
12
48
±30
±40
260
2.08
-55到150
300
12
30
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
960
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
800
12
0.75
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5632冯 -
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT8075BVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
pF
2600
270
135
130
13
66
12
11
45
8
3120
380
200
195
20
100
24
22
70
16
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
12
48
1.3
5
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
160
305
1.8
6.0
11
18
250
525
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.48
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 4.16mH ， R = 25Ω ，峰值I = 25A
j
G
L
5
I
≤
-I [续]
di
/
= 100A / μs的，V
S
D
DD
≤
V
DSS
, T
j
≤
150℃ ，R
G
= 2.0,
dt
V
R
= 200V.
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.5
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5632冯 -
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT8075BVFR
25
I
D
，漏极电流（安培）
25
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
20
5.5V
15
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
20
5.5V
15
10
5V
10
5V
5
4.5V
5
4.5V
4V
0
80
160
240
320
400
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
25
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
4V
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
1.4
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
20
1.3
15
1.2
VGS=10V
VGS=20V
10
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.1
5
1.0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
12
I
D
，漏极电流（安培）
0
0.9
0
5
10
15
20
25
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
10
8
6
4
2
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
V
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.90
-50
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
050-5632冯 -
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
APT8075BVFR
50
I
D
，漏极电流（安培）
10S
100S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
5,000
C，电容（pF ）
西塞
10
5
1mS
1,000
科斯
500
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
CRSS
.1
1
5 10
50 100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
50
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
16
VDS=100V
VDS=250V
TJ = + 150°C
10
5
TJ = + 25°C
12
VDS=400V
8
1
.5
4
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
TO- 247封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-5632冯 -
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2880707522 复制
