a
特点
AC和DC特点和指定( K, B,T
牌号)
每秒128K转换
1 MHz全功率带宽
500 kHz的全线性带宽
80分贝S / N + D( K, B,T级)
二进制补码数据格式(双极模式)
二进制数据格式(单极性模式)
10 M输入阻抗
16位总线接口(见AD679的8位接口)
板载参考和时钟
10 V单极性或双极性输入范围
MIL -STD- 883可提供标准版本
14位128 kSPS时
完整的采样ADC
AD779*
功能框图
产品说明
产品亮点
该AD779是一款完整的多用途14位单芯片
模拟 - 数字转换器,它由一个取样 - 保持放大器
(SHA ),微处理器兼容的总线接口,一个电压
参考和时钟生成电路。
该AD779指定用于交流(或“动态” )参数,
作为S / N + D比, THD和IMD这是很重要的信号
处理应用。此外, AD779K ,B和T
牌号为直流参数,重要的是完全指定
在测量应用。
的14个数据位是由一个16位总线在一个读存取
操作。数据格式为标准二进制单极模式
二进制补码二进制双极模式。该输入具有全
10 V在1 MHz和全功率带宽量程
500 kHz的全性带宽。高输入阻抗( 10 MΩ )
允许无信号直接连接到无缓冲源
退化。
本产品是采用ADI公司BiMOS过程中,
低功耗CMOS逻辑相结合的高精度,低
噪声双极性电路;激光微调薄膜电阻提供
精度高。该转换器采用递归子区域
算法包括纠错和Flash转换器
电路来实现高速和高分辨率。
该AD779的+ 5V和工作
±
12 V电源,
功耗为560毫瓦(典型值) 。二十八个引脚塑料DIP和
陶瓷DIP封装。
*受保护
由美国专利号4804960 ; 4814767 ; 4833345 ;
4250445 ; 4808908 ; RE30,586 。
升。完全集成:将AD779最小化
通过将高速外部组件的需求
采样保持放大器(SHA ) ,ADC 5伏基准,时钟
并在单个芯片上的数字接口。这提供了一个完全
指定的采样A / D转换功能无法实现的离散
设计。
2.规格: AD779K , B和T成绩提供
完全指定和测试的交流和直流参数。该AD779J ,
A和S级的额定和测试,交流参数; DC
精度指标显示为标准结构。 DC规格
行动(如INL ,增益和偏移)是控制的重要
和测量应用。 AC规格(如
S / N + D比, THD和IMD )是在信号处理价值
ing应用。
3.易用性:引脚排列的设计便于板lay-
出,单周期读的输出提供了兼容性
用16位总线。工厂调整,无需
校准模式或外部调整来实现额定
性能。
4.可靠性:采用AD779采用ADI公司
整体采用BiMOS技术。这将确保长期的
可靠性比较多芯片和混合设计。
5. AD779是符合MIL-版本
STD- 883 。请参阅ADI公司军用产品
数据手册或电流AD779 / 883B数据手册详细
特定连接的阳离子。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AD779–SPECIFICATIONS
AC规格
参数
信号与噪声和失真(S / N + D )的比值
-0.5 dB输入(简称为0 dB输入)
-20 dB的输入(简称-20 dB输入)
-60 dB输入(简称-60 dB输入)
总谐波失真( THD )
@ +25°C
T
民
给T
最大
峰值杂散或峰值谐波分量
全功率带宽
全性带宽
互调失真( IMD )
2
二阶产品
三阶产品
500
–90
–90
民
(T
民
给T
最大
, V
CC
= +12 V 5%, V
EE
= –12 V
f
lN
= 10.009千赫除非另有说明)
1
5%, V
DD
= +5 V
10%, f
样品
= 128 kSPS时,
AD779K/B/T
民
典型值
最大
80
60
20
81
61
21
–90
0.003
–88
0.004
–90
1
500
–84
0.006
–82
0.008
–84
AD779J/A/S
民
典型值
最大
78
58
18
79
59
19
–90
0.003
–88
0.004
–90
1
–84
0.006
–82
0.008
–84
单位
dB
dB
dB
dB
%
dB
%
dB
兆赫
千赫
–84
–84
–90
–90
–84
–84
dB
dB
数码特定网络阳离子
(所有设备类型牛逼
参数
逻辑输入
V
IH
高电平输入电压
V
IL
低电平输入电压
I
IH
高电平输入电流
I
IL
低电平输入电流
C
IN
输入电容
逻辑输出
V
OH
高电平输出电压
V
OL
I
OZ
C
OZ
低电平输出电压
高阻泄漏电流
高阻抗输出电容
给T
最大
, V
CC
= +12 V
5%, V
EE
= –12 V
民
2.0
0
–10
–10
5%, V
DD
= +5 V
最大
V
DD
0.8
+10
+10
10
10%)
单位
V
V
A
A
pF
V
V
V
A
pF
测试条件
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
I
OH
- 0.1毫安
I
OH
- 0.5毫安
I
OL
= 1.6毫安
V
IN
= V
DD
4.0
2.4
–10
0.4
+10
10
笔记
1
f
IN
振幅= -0.5分贝( 9.44 V峰峰值)双极模式的满量程,除非另有说明。提到1-0分贝( 9.997 V峰峰值)输入信号的所有测量
除非另有说明。
2
f
A
= 9.08千赫,女
B
= 9.58千赫兹,使用f
样品
= 128 kSPS时。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
版本B
AD779
时序特定网络阳离子
(所有设备类型牛逼
民
给T
最大
, V
CC
= +12 V
5%, V
DD
= +5 V 10%)
参数
转化率
1
转换脉冲宽度
孔径延迟
转换时间
状态延迟
存取时间
2, 3
浮动延迟
5
输出延迟
OE
延迟
阅读脉宽
转换延迟
符号
t
CR
t
CP
t
AD
t
C
t
SD
t
BA
t
FD
t
OD
t
OE
t
RP
t
CD
民
0.097
5
0
10
10
10
20
100
400
5%, V
EE
= –12 V
最大
7.8
3.0
20
6.3
400
100
57
4
80
0
单位
s
s
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
包括采集时间。
2
从下降沿测量
OE / EOCEN
( 0.8V)的时间,在该
数据线/ EOC跨越2.0 V或0.8 V.见图4 。
3
C
OUT
= 100 pF的。
4
C
OUT
= 50 pF的。
5
从上升沿测量
OE / EOCEN
(2.0体积),该时间在该
输出电压的变化由0.5 V.见图4 ;
OUT
= 10 pF的。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
图3. EOC时序
图1.转换时序
图2.输出时序
图4.负载电路总线时序规格
–4–
版本B
AD779
绝对最大额定值
1
规范
V
CC
V
BE
V
CC2
V
DD
AGND
AIN , REF
IN
数字输入
数字输出
最大结
温度
工作温度
J和K级
A和B等级
S和T等级
储存温度
焊接温度
( 10秒以内)
同
尊重
To
AGND
AGND
V
EE
DGND
DGND
AGND
DGND
DGND
民
–0.3
–18
–0.3
0
–1
V
EE
–0.5
–0.5
最大
+18
+0.3
+26.4
+7
+1
V
CC
+7
V
DD
+0.3
175
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
0
–40
–55
–65
+70
+85
+125
+150
+300
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2
该AD779是不是为了从工作
±
15 V电源。
ESD敏感度
该AD779具有输入保护电路组成的大型“分布式”二极管和
多晶硅串联电阻消散兼具高能量放电(人体模型)和快速,
低能量脉冲(带电器件模型) 。每个方法MIL -STD- 883C的3015.2的AD779
已被列为第1类设备。
适当的ESD保护措施,强烈建议,以避免功能性损坏或性能
退化。荷高达4000伏容易堆积在人体和测试
设备放电而不被发现。未使用的设备必须存储在导电泡沫或
分流器,并且泡沫应排出到目的地插座装置被移除之前。为
在ESD预防措施的更多信息,请参阅ADI公司
ESD防护手册。
订购指南
1
警告!
ESD敏感器件
模型
2
AD779JN
AD779KN
AD779JD
AD779KD
AD779AD
AD779BD
AD779SD
AD779TD
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
测试和指定
AC
AC + DC
AC
AC + DC
AC
AC + DC
AC
AC + DC
包装说明
28引脚塑料DIP
28引脚塑料DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
封装选项
3
N-28
N-28
D-28
D-28
D-28
D-28
D-28
D-28
笔记
1
两个周期的读( 8 + 16位)接口为8位总线,见AD679 。
2
上档次,包装产品筛选符合MIL -STD- 883的详细信息,请参阅ADI公司军用产品数据手册或电流
AD779 / 883B数据手册。
3
D =陶瓷DIP ; N =塑料DIP 。
版本B
–5–