【a特点12位分辨率低增益TC ：为2ppm /℃ （典型值）快速TTL兼容的数据锁存器单+5 V至+】,IC型号AD7545UE,AD7545UE PDF资料,AD7545UE经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

12位分辨率

低增益TC ：为2ppm /℃ （典型值）

快速TTL兼容的数据锁存器

单+5 V至+15 V电源

小型20引脚DIP 0.3"和20引脚表面贴装

套餐

锁存器免费（肖特基保护二极管不要求）

低成本

非常适用于电池供电设备

REF

CMOS 12位

缓冲乘法DAC

AD7545

功能框图

AD7545

12-BIT

乘法DAC

出1

AGND

输入数据锁存器

DGND

18 V

DB11–DB0

（引脚4-15 ）

概述

该AD7545是一款单芯片12位CMOS乘法DAC

板载数据锁存器。它是由一个单一的12位宽的装

字和直接接口到大多数12位和16位的总线系统。

数据被加载到输入锁存器的控制下

和

输入;这些捆绑控制输入低电平使输入

锁存器的透明，可直接无缓冲操作

DAC 。

在AD7545特别适合于单电源操作

而应用广泛的温度变化。

的AD7545可与任何供电电压从+ 5V到

15 V时的CMOS逻辑电平的输入装置耗散

馅饼小于0.5毫瓦为V

= +5 V.

销刀豆网络gurations

DIP

DGND

LCCC

DGND

AGND

出1

PLCC

AGND

出1

REF

AGND 2

DGND 3

DB11 （MSB） 4

DB10 5

DB9 6

19 V

REF

18 V

OUT 1 1

20 R

DB11 （MSB） 4

DB10 5

DB9 6

DB 8 7

DB7 8

1 20 19

18 V

DB11 （MSB） 4

DB10 5

DB9 6

DB 8 7

DB7 8

DB6

20 19

销1

识别码

REF

18 V

15 DB0 （ LSB ）

14 DB1

AD7545

顶视图

（不按比例）

15 DB0 （ LSB ）

14 DB1

AD7545

顶视图

（不按比例）

TOP VIEW 15 DB0 （ MSB ）

（不按比例）

14 DB1

DB 8 7

DB7 8

9 DB6

DB5 10

13 DB2

DB6

DB4

DB3

DB5

DB2

12 DB3

11 DB4

9 10 11 12 13

10 11 12 13

DB5

DB4

DB3

DB2

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 617 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 617 / 326-8703

ADI公司，1997

AD7545–SPECIFICATIONS

参数

静态性能

决议

VERSION

所有

， A，S

K，B ，T

L，C ，U

GL ， GC ， GU

， A，S

K，B ，T

L，C ，U

GL ， GC ， GU

， A，S

K，B ，T

L，C ，U

GL ， GC ， GU

所有

J，K ，L， GL

A， B，C ， GC

S， T，U ， GU

所有

1/2

0.015

REF

= +10 V, V

OUT1

= O V， AGND = DGND除非另有说明）

= +15 V

范围

= + 25 （C T）

敏

MAX1

1/2

0.01

1/2

0.02

200

= +5 V

范围

= + 25 （C T）

敏

MAX1

1/2

0.03

200

单位

位

LSB（最大值）

PPM / ° C最大值

％按％最大

nA的最大

最大

测试条件/评论

微分非线性

增益误差（使用内部RFB ）

10位单调牛逼

民

给T

最大

12位单调牛逼

民

给T

最大

12位单调牛逼

民

给T

最大

12位单调牛逼

民

给T

最大

DAC寄存器加载

1111 1111 1111

增益误差是使用可调

图4，图5和图6的电路

典型值是2 PPM / °下V

= +5 V

DB0 - DB11 = 0 V ;

WR ， CS

= 0 V

增益温度COEF网络cient

ΔGain / ΔTemperature

直流电源抑制

ΔGain / ΔV

输出漏电流在OUT1

动态性能

目前的稳定时间

1/2 LSB 。 OUT1负载= 100

DAC

从下降沿输出测量

WR ， CS

= 0.

传播延迟

（从数字

输入电平变化到90 ％

最后的模拟输出）

数模转换毛刺Inpulse

AC穿心

在OUT1

参考输入

输入阻抗

（引脚19至GND）

模拟输出

输出电容

OUT1

数字输入

输入高电压

输入低电压

输入电流

输入电容

DB0–DB11

WR ， CS

开关特性

片选写建立时间

片选写保持时间

把脉冲宽度

数据建立时间

数据保持时间

电源

所有

300

400

–

250

–

ns（最大值）

纳伏秒（典型值）

mV的P-P （典型值）

kΩ的分

kΩ最大值

OUT1负载= 100

EXT

= 13 pF的

REF

= AGND

REF

10 V ， 10 kHz的正弦波

输入电阻TC = -300 PPM /°C的典型值

典型的输入电阻= 11 kΩ的

所有

200

pF的最大

DB0 - DB11 = 0 V ，

WR ， CS

= 0 V

DB0 - DB11 = V

WR ， CS

= 0 V

所有

2.4

0.8

280

200

250

175

140

100

2.4

0.8

380

270

400

280

210

150

500

13.5

1.5

180

120

160

100

13.5

1.5

200

150

240

170

120

500

V分钟

V最大

最大

pF的最大

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

最大mA

最大

典型值

所有数字输入V

或V

所有数字输入0 V至V

≥

, t

≥

= 0或V

= 0

见时序图

所有

笔记

温度范围如下： J，K ，L ，G L版本， 0℃至+ 70 ℃; A， B，C ， GC版本， -25 ° C至+ 85°C ; S， T，U GU版本， -55 ° C至+ 125°C 。

这包括为5 ppm的最大增益的TC的效果。

保证，但未经测试。

DB0 - DB11 = 0 V到V

或V

为0V。

穿通线可以通过连接的金属盖在陶瓷封装（后缀D）的到DGND进一步降低。

逻辑输入MOS盖茨。典型输入电流（ + 25℃）小于1 nA的。

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

REV 。一

AD7545

芯片

SELECT

写模式：

模式选择

保持模式：

或

高电平时，数据总线

（ DB0 - DB11 ）被锁定; DAC

保存最后的数据存在时

假定高的状态。

和

低， DAC回应

到数据总线（ DB0 - DB11 ）输入。

写

DATA IN

(DB0–DB11)

数据有效

注意事项：

= + 5V ;牛逼

= t

= 20ns的

= + 15V ;吨

= t

= 40ns的

所有输入信号的上升时间和下降时间实测为10％

90 ％的V

定时测量参考电平为V

+ V

/2.

写周期时序图

绝对最大额定值*

= + 25 ° C除非另有说明）

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 ， 17 V

数字输入电压至DGND 。。。。。。。 0.3 V ，V

+0.3 V

RFB

, V

REF

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

25 V

PIN1

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

+0.3 V

AGND至DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

+ 0.3 V

功率耗散（任何套餐）到+ 75°C 。。。。。。。 450毫瓦

减额高于+ 75 ℃。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6毫瓦/°C的

工作温度

商业（ J，K ，L ， GL ）等级。。。。。。。。 0 ° C至+ 70°C

工业（A ， B，C ， GC）等级。。。。。。。。 -25 ° C至+ 85°C

扩展（S ， T，U ， GU）等级。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。 + 300℃

*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7545具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

术语

相对精度

订购指南

最大

增益误差

= +25 C

= +5 V

20 LSB

10 LSB

5 LSB

1 LSB

20 LSB

10 LSB

5 LSB

1 LSB

量通过该D / A变换器的传递函数

零点和满后不同于理想传递函数

分规模进行了调整。这是一个端点的线性

测量。

微分非线性

模型

AD7545JN

AD7545AQ

AD7545SQ

AD7545KN

AD7545BQ

AD7545TQ

AD7545LN

AD7545CQ

AD7545UQ

AD7545GLN

AD7545GCQ

AD7545GUQ

AD7545JP

AD7545SE

AD7545KP

AD7545TE

AD7545LP

AD7545UE

AD7545GLP

AD7545GUE

温度

范围

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

相对的

准确性

2 LSB

1 LSB

1/2最低位

2 LSB

1 LSB

1/2最低位

包

选项

N-20

Q-20

N-20

Q-20

N-20

Q-20

N-20

Q-20

P-20A

E-20A

P-20A

E-20A

P-20A

E-20A

P-20A

E-20A

所测量的变化而提供了理想的区别

任意两个相邻码之间变化。如果设备有一个differ-

小于1无穷区间非线性LSB这将是单调的，即

输出将总是增加的增加的数字码

加到D / A转换器。

传播延迟

这是电路的内部延迟的测量，并测

从数字输入改变为点的时间sured在哪些

在OUT1模拟输出达到90 ％，其最终价值。

数模转换毛刺脉冲

这是测量的电荷量从喷射

数字输入到模拟输出时的输入变化

状态。它通常指定为以nV秒的毛刺的面积，

并测定结合V

REF

= AGND和ADLH0032CG为

输出运算放大器， C1 （相位补偿） = 33 pF的。

笔记

Analog Devices公司保留出货的权利或者代替陶瓷浸渍的陶瓷（ D-20）

包（ C- 20）。

如需订购MIL -STD - 883 ， B类零件的过程中，添加/ 883B部件号。

请联系当地的销售办事处为军事数据表。对于美国军用标准

图纸（ SMD ）见DESC图纸5962-87702 。

E =无引线陶瓷芯片载体; N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片

载体; Q = CERDIP 。

REV 。一

–3–

AD7545

电路信息-D / A转换器部分

图1显示了对D的简化电路/ A转换部

的AD7545和图2给出了一个近似相等的

电路。需要注意的是梯子端接电阻器连接到

AGND 。 R通常为11千欧。

REF

电源。为了最大限度地减少供电电流它是中建议

谁料，数字输入电压尽可能靠近切实可行

可以将电源电压（V

和DGND ）。

该AD7545可与在任何电源电压下工作

距离5

≤

15伏。随着V

= + 15V输入逻辑

水平CMOS兼容而已，也就是说， 1.5 V和13.5 V.

基本应用

出1

AGND

DB11

（MSB）

DB10

DB9

DB1

DB0

（ LSB ）

AD7545图1.简化的D / A电路

使用图4和图5示出了简单的单极和双极性电路

在AD7545 。电阻R1用来调整为满量程。该

“G”的版本（ AD7545GLN ， AD7545GCQ ， AD7545GUD ）

有保证的最大增益误差

1 LSB为+ 25°C

= + 5V），并且在许多应用中，应该有可能

免除增益调整电阻完全。电容C1提供

相位补偿，并有助于防止过冲和振铃时

采用高速运算放大器。注意，图4，图5中，所有的电路

和6具有在V恒定输入阻抗

REF

终奌站。

图1中的电路可以被用来作为一个固定的参考

D / A转换，以便它提供一个模拟输出电压在

范围为0 -V

（请注意，由运算放大器引入的反转），

或V

可以是在这种情况下，电路表现为一种交流信号

一个衰减器（ 2象限乘法器）。 V

可以是任何电压

范围为-20

≤

+ 20伏（所提供的运算放大器可

因为V处理这样的电压）

REF

被允许超过V

表II示出了用于图4的电路中的代码的关系。

OUT1 1

AGND

DGND

类似物

常见

DB11–DB0

AD544L

（见正文）

33pF

OUT

二进制加权电流控制OUT1之间切换

总线与AGND由N沟道开关，从而保持

独立的开关的恒定电流在每个梯形腿

状态。

在OUT1总线，C电容

OUT1

是代码依赖新生

凹痕和70 pF的变化（全部切换到AGND）到200 pF的

（全部切换到OUT1 ）。

一个电流开关的示于图2中的输入

在V性

REF

（图1）总是等于R

LDR

中的R / 2R梯形电阻特性和等于值

“ R”表示）。由于R

在V

REF

销是固定的，所述参考termi-

最终可以通过参考电压或参考电流来驱动，

交流电的正极性或负极性或直流。（如果电流源是

使用时，低温度系数的外部R

建议

来定义比例因子）。

到梯形图

19 V

REF

AD7545

从

接口

逻辑

请参阅表我

图4.单极性的二进制运算

表一，建议微调电阻值与等级的

= +5 V

AGND

出1

图2. N沟道电流转向开关

电路信息，数字部分

TRIM

电阻器

焦耳/ A / S

500

150

K / B / T

200

L / C / U

100

GL / GC / GU

6.8

图3示出了数字式结构为一个比特。

数字信号控制并

控制

产生

从

和

WR 。

到AGND开关

到OUT1开关

表II中。单极性的二进制代码表图4的电路

在DAC寄存器模拟输出的二进制数

4095

–V

4096

2048

–V

4096

= –1/2 V

–V

4096

0伏特

输入缓冲器

1111

控制

1111

图3.数字输入结构

1000

0000

输入缓冲器是设计成简单的CMOS倒相器

当AD7545与V操作

= 5V时，缓冲器CON组

VERT TTL输入电平（ 2.4 V和0.8 V）到CMOS逻辑电平。

当V

在2.0伏的区域到3.5伏，则输入

缓冲区工作在其线性区域和借鉴从目前的

–4–

0000

0001

0000

REV 。一

AD7545

图5和表III中示出了所建议的电路和

对于双极性操作码的关系。在D / A函数本身

采用偏移二进制码和反向器U

在MSB管路的

绿党的二进制补码输入的代码偏移二进制码。如果AP-

propriate ; MSB的反转可以在软件使用来完成

异-OR指令和逆变器被删去。 R3，R4

和R5的选择必须在0.01 ％匹配，并且它们应该

是相同类型的电阻器（最好是线绕或金属

箔），所以其温度系数匹配。 R3的不匹配

价值R4导致偏移和满量程误差。不匹配

R5和R4和R3使满量程误差。

33pF

OUT1 1

AGND

DB11

（见正文）

DB10–DB0

AD544L

10%

数据输入

类似物

常见

OUT

AD544J

10k

20k

表Ⅳ中。 12个加号震级代码表电路

图6

标志

位

在DAC的二进制数

最高位

最低位

模拟量输出， V

OUT

1111 1111 1111

0000 0000 0000

1111 1111 1111

4095

+ V

4096

0伏特

4095

– V

4096

19 V

REF

注： “0”符号位R3连接到GND 。

AD7545

应用提示

R1和R2的值

见表Ⅰ。

图5.双极性工作（二进制补码）

表Ⅲ。二进制补码表电路

图5

数据输入

0111

1111

模拟输出

2047

2048

输出偏移：

（ CMOS D / A转换器表现出码相依

凹痕的输出电阻，这反过来，使一个代码依赖

放大器的噪声增益。效果是一个代码依赖差动

非线性术语在放大器输出端，它取决于V

其中，V

为放大器的输入偏置电压。为了保持

单调的操作，建议V

有没有更大

超过25

–6

) (V

REF

）在操作的温度范围内。

合适的运算放大器AD517L和AD544L 。该AD517L是

最适合于低带宽固定的参考应用

要求：它具有极低的偏移量（ 50

并且在大多数

应用程序不需要偏移修整。该AD544L有

宽得多的带宽和较高的转换速率，这是推荐

用于乘和其他需要快速建立。一

偏移修整上AD544L可能需要在一些电路。

一般地管理：

AC或瞬态电压

AGND和DGND之间会产生噪音注入

模拟输出。确保最简单的方法，在该电压

AGND和DGND是平等的，是配合AGND和DGND

一起在AD7545 。在更复杂的系统，其中所述

AGND和DGND联接纽带是在背板上，这是中建议

修补该两个二极管反向并联连接

AD7545的AGND和DGND引脚（ IN914或间

相当于）。

数字过失：

当WR和CS均为低电平锁存器

是透明和D / A转换器的输入遵循数据

输入。在一些总线系统中，数据总线上的数据并不总是

适用于整个周期期间， WR为低和作为

结果无效的数据可以简单地出现在D / A转换器输入

在写周期。这种无效的数据可能会导致不必要的

毛刺在D / A转换器的输出。解决这一

问题，如果发生，是重新定时的写脉冲WR ，以便它

只有当数据有效时。

数字毛刺的另一个原因是从电容耦合

数字线到OUT1和AGND终端。这应该是

通过筛选AD7545的模拟引脚（引脚1最小化，

2 ，19，20 ）从所述数字引脚通过之间的接地轨道运行

引脚2和3和引脚18之间的AD7545 19 。记

模拟引脚是如何在封装的一端与分离

从数字引脚为V

与DGND以帮助筛查

板级。片上的电容耦合也可产生

来自AD7545的数字 - 模拟部分串扰

特别是在高电流和快速的上升和电路

下降时间。这种类型的串扰，通过使用最小

–5–

0000

1111

0000

1111

0001

0000

1111

0伏特

–V

2048

–V

2048

1000

0000

图6示出实现双极性输出的另一种方法

放。该电路的操作与符号加上幅度码，并具有

给予12位分辨率在每一个象限，COM的优势

相比每个象限的11位分辨率的图 - 电路

URE 5. AD7592是一款完全保护的CMOS切换

开关与数据锁存器。 R4和R5应相互匹配到

0.01％，保持在D / A转换器的精度。不匹配

R4和R5之间引入增益误差。

33pF

OUT1 1

AGND 2

DB11–DB0

AD544L

类似物

常见

20k

10k

10%

1/2 AD7592JN

20k

OUT

AD544J

19 V

REF

AD7545

签位

R1和R2的值

见表Ⅰ。

图6. 12位+符号位大小D / A转换器

REV 。一