AF4835P
P沟道增强型功率MOSFET
特点
- 简单的驱动要求
- 低导通电阻
- 快速切换
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该SOP - 8包装普遍首选的所有
商业，工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器。
I
D
(A)
-8
产品概述
BV
DSS
(V)
-30
R
DS （ ON）
(m)
20
引脚分配
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D
D
D
D
引脚名称
S
G
D
描述
来源
门
漏
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
4835P X X X
包
S： SOP - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
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此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.2二○○四年十一月十九日
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AF4835P
P沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=70C
T
A
=25C
等级
-30
±20
-8
-6
-50
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
（注1 ）
马克斯。
最大
50
单位
摄氏度/ W
电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源
导通电阻
（注3）
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
（注3）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25
o
C,
I
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -15V ，我
D
=-8A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-4.6A,
V
DS
=-15V,
V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,
I
D
=-1A,
R
G
=6, V
GS
=-10V
R
D
=15
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
f=1.0MHz
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.037
-
-
-
20
-
-
-
36
5.5
3.5
12
8
75
40
1530
900
280
马克斯。
-
-
20
35
-3
-
-1
uA
-25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nA
nC
单位
V
V/
o
C
m
V
S
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流
（体二极管）
正向电压上
（注3）
2
测试条件
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
T
J
=25
o
C，我
S
=-2.1A,
V
GS
=0V
o
分钟。
-
-
典型值。
-
-0.75
马克斯。
-2.08
-1.2
单位
A
V
注1 ：
表面装在1 FR4板的铜垫;安装在最小的时候125℃ / W 。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
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修订版1.2
2004年11月19日
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