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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第191页 > AD7482BSTZ
3 MSPS , 12位SAR ADC
AD7482
特点
高吞吐速率: 3 MSPS
宽输入带宽: 40MHz的
无流水线延迟与SAR ADC
卓越的DC精度性能
2并行接口模式
低功耗: 90毫瓦(全功率)和2.5兆瓦(休眠模式)
待机模式: 2 μA最大
采用5 V单电源供电
内部2.5 V参考
满量程超量程模式(使用第13位)
通过用户访问偏移寄存器系统偏移去除
额定0 V至2.5 V的输入与转移能力范围
提供14位引脚兼容的升级AD7484
功能框图
AV
DD
AGND
BIAS
DV
DD
V
DRIVE
DGND
2.5V
参考
REFSEL
BUF
REFOUT
REFIN
VIN
T / H
12-BIT
算法
特区
AD7482
MODE1
MODE2
STBY
RESET
CONVST
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
控制
逻辑和I / O
注册
CS
RD
D0
D1
D2
D3
D4
图1 。
概述
该AD7482是一款12位,高速,低功耗,逐次
逼近型ADC 。该器件具有一个并行接口
最高吞吐量可达3 MSPS 。该器件内置一个低噪声,
宽带宽采样和保持,可以处理输入频率
超过40兆赫。
转换过程是一种专有的算法连续
近似的技术,导致无流水线延迟。该
输入信号进行采样,并转换为在下降沿开始
在CONVST信号的边沿。转换过程中,控制
通过内部调整振荡器。接口是通过标准
并行信号线,使得该部分与直接兼容
微控制器和DSP 。
该AD7482提供出色的交流和直流性能规格
系统蒸发散。工厂调整技术,确保高直流精度,从而导致
极低的INL ,失调和增益误差。
该器件采用先进的设计技术,实现极低
功耗在高吞吐量。耗电量
在正常的操作模式为90毫瓦。有两种动力
节能模式:休眠模式,这使该参考电路
活着的快速开机,功耗2.5毫瓦,而
待机模式下的功耗降低到只有10微瓦。
在AD7482具有一个片上2.5 V基准电压源,但也可以
适应外部提供2.5 V基准电压源。
额定模拟输入范围为0 V至2.5 V ,但偏移
移位功能让这个标称范围为± 200 mV的偏移。
这允许用户相当大的灵活性在设置底
信号范围,一个有用的功能,当年底基准点
采用单电源运算放大器。
该AD7482还通过提供8%的超量程能力
第13位。因此,如果模拟输入范围偏离外
标称由高达8% ,则用户仍然可以准确地解决
信号通过第13位。
在AD7482由4.75 V供电,以5.25 V电源。部分
还提供了一个V
DRIVE
销,允许用户设置电压
级别对数字接口线。的范围内对本V
DRIVE
在2.7 V至5.25 V的部分装在一个48引脚LQFP封装
并规定工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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联系电话: 781.329.4700
传真: 781.461.3113 2002-2009 ADI公司保留所有权利。
02638-001
AD7482
目录
特点................................................. ............................................. 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ................ 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 9
术语................................................. ................................... 11
电路说明................................................ ......................... 12
转换器操作................................................ .................. 12
模拟输入................................................ ............................... 12
ADC传递函数............................................... .............. 13
节能................................................ ............................... 13
偏移/超量程............................................... ......................... 14
并行接口................................................ ......................... 15
电路板布局和接地.............................................. ..... 17
外形尺寸................................................ ....................... 19
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
12/09 -REV 。 A到版本B
变化表1,电源要求部分....................... 4
更改订购指南.............................................. ............ 19
9月8日 - 修订版。 0到版本A
更改表4 .............................................. .............................. 7
更改偏移/超量程段......................................... 14
变为表5,表6,表7 ........................................ ..... 15
更改订购指南.............................................. ............ 19
8月2日 - 修订版0 :初始版
版本B |第20页2
AD7482
特定网络阳离子
AV
DD
/ DV
DD
= 5 V± 5 % , AGND = DGND = 0 V ,V
REF
=外,女
样品
= 3 MSPS ;所有规格牛逼
给T
最大
并适用于V
DRIVE
= 2.7 V
至5.25伏,除非另有说明。工作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
表1中。
参数
动态性能
1, 2
信号 - 噪声+失真(SINAD )
3
71
72
71
总谐波失真( THD )
3
90
88
峰值谐波或杂散噪声( SFDR )
互调失真( IMD )
3
二阶条款
三阶条款
孔径延迟
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
3
微分非线性
偏移误差
3
增益误差
3
模拟量输入
输入电压
直流漏电流
输入电容
参考输入/输出
输入电压V
REFIN
输入直流漏电流,V
REFIN
输入电容,V
REFIN4
输入电流,V
REFIN
输出电压V
REFOUT
错误25°C ,V
REFOUT
偏差T
给T
最大
, V
REFOUT
输出阻抗,V
REFOUT
4
3
3
典型值
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
兆赫
兆赫
最低位
最低位
最低位
最低位
% FSR
最低位
% FSR
mV
V
μA
μA
pF
V
μA
pF
μA
V
mV
mV
测试条件/评论
f
IN
= 1兆赫
f
IN
= 1兆赫
f
IN
= 1 MHz时,内部参考
86
内部参考
87
96
94
10
40
3.5
12
±0.25
±0.25
±0.5
±1
±0.5
±1.5
0.036
±1.5
0.036
200
+2.7
±1
±2
35
+2.5
±1
25
220
+2.5
±50
±100
1
f
IN1
= 95.053千赫,
f
IN2
= 105.329千赫
@ 3分贝
@ 0.1分贝
B级
A级
保证无漏码来
12位
V
IN
从0 V至2.7 V
V
IN
= -200 mV的
对于指定的性能的±1%
外部参考
版本B |第20页3
AD7482
参数
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN4
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
4
输出编码
转化率
转换时间
跟踪和保持器采集时间(t
ACQ
)
吞吐率
电源要求
AV
DD
DV
DD
V
DRIVE
I
DD
正常模式(静态)
正常模式(工作)
打盹模式
待机模式
功耗
正常模式(工作)
打盹模式
待机模式
5
1
2
V
DRIVE
1
典型值
最大
单位
V
V
μA
pF
V
V
μA
pF
测试条件/评论
0.4
±1
10
0.7 × V
DRIVE
0.4
±10
10
直(自然科学)二进制
300
70
70
2.5
3
5
5
2.7
5.25
13
20
0.5
2
100
2.5
10
ns
ns
ns
MSPS
MSPS
V
V
V
mA
mA
mA
μA
mW
mW
μW
正弦波输入
满量程阶跃输入
并行模式1
并行模式2
±5%
±5%
CS和RD =逻辑1
0.5
引用SINAD数字包括大约1分贝外部模拟输入电路的噪声贡献。
请参阅使用模拟输入电路的典型性能特性部分。
3
参见术语部分。
4
样品测试@ 25°C ,以确保合规性。
5
数字输入电平在DGND或V
DRIVE
.
版本B |第20页4
AD7482
时序特性
AV
DD
/ DV
DD
= 5 V± 5 % , AGND = DGND = 0 V ,V
REF
=外部;所有规格牛逼
给T
最大
并适用于V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,
除非另有说明。
表2中。
参数
1
数据读取
转换时间
安静的时间转换开始之前
CONVST脉冲宽度
CONVST下降沿到BUSY下降沿
CS下降沿到RD下降沿
数据访问时间
CONVST下降沿到新数据有效
BUSY上升沿到新数据有效
总线释放时间
RD上升沿到CS上升沿
CS脉冲宽度
RD脉冲宽度
数据写入
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
CS下降沿来写下降沿
写下降沿到CS上升沿
1
符号
t
CONV
t
安静
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
14
t
15
t
9
t
10
t
11
t
12
t
13
典型值
最大
300
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
100
5
0
100
20
25
30
5
10
0
30
30
5
2
6
5
0
所有给出的时序规格为25 pF负载电容。与负载电容大于该值,数字缓冲器或锁存器必须被使用。
版本B |第20页5
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