a
特点
改善置换的Burr-Brown
OPA- 111和OPA- 121运算放大器
低噪音
2 V P-P max时， 0.1赫兹到10赫兹
10纳伏/ √Hz的最大值为10千赫兹
11 fA的P-P电流噪声0.1 Hz至10 Hz
低噪声，低漂移
FET运算放大器
AD645
连接图
TO- 99 （H ）封装
8引脚小型塑封DIP
（N ）封装
例
OFFSET
零
In
+ IN
-VS
OFFSET
零
8
1
7
高直流精度
250 V最大失调电压
1 V / C最大漂移
1.5 pA的最大输入偏置电流
114分贝开环增益
可在小型塑封DIP ， 8引脚封装报头，或
芯片形式
应用
低噪声前置放大器的光电二极管
CT扫描仪
精密的I- V转换器
V
牛逼
PR RIF
IM
ED
1
2
3
4
顶视图
8 NC
+V
AD645
7 + VS
“在
6输出
5 OFFSET
零
3
+在
2
6
产量
AD645
4
–V
5
OFFSET
零
NC =无连接
注：盒连接
到引脚8
产品说明
该AD645是6性能等级。该AD645J
和AD645K的额定在商用温度范围
0° C至+ 70°C 。该AD645A ， AD645B和超
精密AD645C的额定工业温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。该AD645S ，额定军
-55 ℃的温度范围+ 125°C ，并提供
处理，以MIL- STD- 883B 。
该AD645是采用8引脚小型塑封DIP ， 8引脚
头，或裸片形式。
产品亮点
该AD645是一款低噪声，高精度FET输入运算放大器。它OF-
FET输入设备的FERS微微安培级的电流输入
加上失调漂移和输入电压噪声媲美
高性能的双极性输入放大器。
该AD645进行了改进，以提供最低的失调漂移
一个FET运算放大器， 1
μV/°C 。
失调电压漂移和测量
修剪在可能的最低成本的晶圆级。一个inher-
ently低噪声架构和先进的制造技
niques导致有保证低输入电压的装置
2噪音
V
峰 - 峰值， 0.1 Hz至10 Hz 。直流性能水平
随着低输入电流，使AD645极好
为高阻抗应用中的稳定性是选择
最关心的问题。
1k
电压噪声谱密度
纳伏/赫兹
1.保证和测试的2低频噪声
V
峰 - 峰值的最大
和20纳伏/ √Hz的在100赫兹，使AD645C非常适合低
噪声应用，需要一个FET输入运算放大器。
2.低V
OS
1漂移
μV/°C
最高让AD645C的excel-
借给选择需要的最终稳定性的应用。
3.低输入偏置电流和电流噪声（ 11 fA的第0.1 Hz至
10赫兹）允许AD645用作高精度
前置放大器用于电流输出的传感器，例如光电二极管，或作为
缓冲高源阻抗电压输出的传感器。
30
25
成员单位之一
100
20
15
10
10
5
1.0
1
10
100
频率 - 赫兹
1k
10k
0
–2.5
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
输入失调电压漂
V/
°
C
图1. AD645电压噪声谱密度与
频率
平均输入图2.典型的分布偏移
电压漂移（ 196单位）
版本B
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AD645–SPECIFICATIONS
（ @ 25 ℃，
模型
条件
1
输入失调电压
1
初始偏移
OFFSET
漂移（平均）
与供应（ PSRR ）
与供应
输入偏置电流
2
任一输入
任一输入
@ T
最大
任一输入
失调电流
失调电流
@ T
最大
输入电压噪声
民
T
民
–T
最大
90
T
民
–T
最大
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= +10 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
为0.110赫兹
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 0.1到10赫兹
F = 0.1直通20千赫
100
300
3
110
100
0.7/1.8
16/115
0.8/1.9
0.1
2/6
1.0
20
10
9
8
11
0.6
2
V
O
= 20 V P-P
R
负载
= 2 k
V
OUT
= 20 V P-P
R
负载
= 2 k
16
1
32
2
6
8
5
3.0
50
30
15
10
20
1.1
15伏直流电，除非另有说明）
民
AD645K/B
TYP MAX
民
AD645C
TYP MAX
民
AD645S
TYP MAX
单位
V
V
μV/°C
dB
dB
pA
pA
pA
pA
pA
3.3
50
30
15
10
20
1.1
V
p-p
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
fA的P-P
FA / √Hz的
兆赫
千赫
V / μs的
s
s
s
AD645J/A
典型值
最大
500
1000
10/5
94
90
3/5
50
100
1
110
100
250
400
5/2
94
90
50
75
0.5
110
100
1.8
115
1.9
0.1
6
250
300
1
90
86
3
100
500
4
110
95
1.8
1800
1.9
0.1
100
500
1500
10
0.7/1.8 1.5/3
16/115
0.8/1.9
0.1
0.5
2/6
1.0
20
10
9
8
11
0.6
2
16
1
32
2
6
8
5
16
1
2.5
40
20
12
10
15
0.8
5
1.0
0.5
1.0
1
20
10
9
8
11
0.6
2
32
2
6
8
5
2
40
20
12
10
15
0.8
1.0
20
10
9
8
11
0.6
2
16
1
32
2
6
8
5
输入电流噪声
频率响应
单位增益小信号
全功率响应
压摆率，单位增益
建立时间
3
到0.1％
至0.01％
过载恢复
4
总谐波
失真
输入阻抗
迪FF erential
共模
输入电压范围
迪FF erential
5
共模电压
超过最大歌剧院。范围
共模
抑制比
开环增益
50 ％过载
F = 1千赫
R
负载
≥
2 k
V
O
= 3 V有效值
V
差异
=
±
1 V
0.0006
10
12
1
10
14
2.2
±
20
+11, –10.4
0.0006
10
12
1
10
14
2.2
±
20
+11, –10.4
0.0006
10
12
1
10
14
2.2
±
20
+11, –10.4
0.0006
10
12
1
10
14
2.2
±
20
+11, –10.4
%
pF
pF
V
V
V
dB
dB
dB
dB
V
V
mA
mA
V
V
mA
±
10
±
10
V
CM
=
±
10 V
T
民
–T
最大
V
O
=
±
10 V
R
负载
≥
2 k
T
民
–T
最大
90
±
10
±
10
94
90
120
114
±
10
±
10
±
5
±
10
±
10
94
90
120
114
±
10
±
10
±
5
±
10
±
10
90
86
114
110
±
10
±
10
±
5
110
100
130
110
100
130
110
100
130
110
100
130
114
输出特性
电压
R
负载
≥
2 k
T
民
–T
最大
当前
V
OUT
=
±
10 V
短路
电源
额定性能
工作范围
静态电流
晶体管数量
±
10
±
10
±
5
±
11
±
10
±
15
±
15
3.0
62
±
11
±
10
±
15
±
15
3.0
62
±
11
±
10
±
15
±
15
3.0
62
±
11
±
10
±
15
±
15
3.0
62
±
5
＃晶体管的
±
18
3.5
±
5
±
18
3.5
±
5
±
18
3.5
±
5
±
18
3.5
笔记
1
输入失调电压规格在5分钟运行在T后保证
A
= +25°C.
2
偏置电流规格都保证在最大的两个输入5分钟后运行在T
A
= + 25°C 。对于较高的温度，电流加倍，每10 ℃。
3
增益= -1 ，R
负载
= 2 k.
4
定义为所需的放大器的输出，以除去从放大器的输入为50％的过载后返回到正常操作的时间。
5
定义为，使得既不输入超过输入端之间的最大连续电压
±
10伏地面。
所有的最小和最大规格有保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
AD645
绝对最大额定值
1
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
内部功耗
2
(@ T
A
= +25°C)
8排针封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
8针Mini- DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + V
S
和-V
S
存储温度范围（H ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
存储温度范围（N ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 125∞C
工作温度范围
AD645J / K 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
AD645A / B / C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
AD645S 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
铅温度范围
（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本说明书中的操作部分，是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
2
热特性：
8引脚小型塑封DIP封装形式：
θ
JA
= 100 ° C /瓦
8针接头包装：
θ
JA
= 200℃/瓦特
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD645具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
订购指南
警告！
ESD敏感器件
金属化PHOTOGRAPH
模型
1
AD645JN
AD645KN
AD645AH
AD645BH
AD645CH
AD645SH/883B
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
封装选项
2
N-8
N-8
H-08A
H-08A
H-08A
H-08A
尺寸以英寸（毫米）所示。
联系工厂最新的尺寸。
笔记
1
芯片也可提供。
2
N =小型塑封DIP ; H =金属罐。
+V
S
2
7
AD645
3
4
1
10k
6
5
V
OS
调整
–V
S
图3. AD645失调空配置
800
700
100
20
120
110
25
成员单位之一
成员单位之一
80
70
60
50
40
30
20
500
400
300
200
100
成员单位之一
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
600
90
15
10
5
10
0
–1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
输入失调电压 - 毫伏
输入偏置电流 - pA的
输入电压噪声 -
V
p-p
输入图4.典型分布
失调电压（ 1855单位）
输入图5.典型分布
偏置电流（ 576单位）
0.1赫兹图6.典型分布
到10 Hz电压噪声（ 202单位）
版本B
–3–
QQ：2881677436 复制
