A23L3616 / A23L36161系列
初步
文档标题
8M ×16 / 16M ×8位CMOS掩膜ROM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
8M ×16 / 16M ×8位CMOS掩膜ROM
历史
创刊号
添加A23L36161 （闪存型）
修改A23L36161V引脚配置：
1脚从A22到A16
销48从A16到A22
发行日期
2003年11月3日
2004年8月27日
2004年11月24日
备注
初步
初步
（ 2004年11月， 0.2版）
AMIC技术股份有限公司
A23L3616 / A23L36161系列
初步
特点
8M ×16位或16M ×8位的组织
电源电压范围： 2.7V 3.6V
访问时间： 100ns的（最大） / 3.0V 3.6V
为120ns （最大值） / 2.7V 3.6V
当前：工作： 40毫安/ 3.3V （典型值）
待机：
10μA （典型值） / 3.3V
对于有线或扩建的三态输出
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
采用44引脚SOP ，48引脚TSOP （前锋，
反向型和闪存的引脚兼容）
套餐
引脚排列与闪光灯类型兼容（ A23L36161 ）
8M ×16 / 16M ×8位CMOS掩膜ROM
销刀豆网络gurations
SOP
字节
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A21
A20
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
TSOP （正向型）
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
GND
GND
O15/A-1
O7
O14
O6
O13
O5
O12
O4
VCC
VCC
A22
O11
O3
O10
O2
O9
O1
O8
O0
OE
GND
GND
A21
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
O0
O8
O1
O9
O2
O10
O3
O11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A20
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A22
GND
O15
O7
O14
O6
O13
O5
O12
O4
VCC
A23L3616M （对于8M ×16只）
A23L3616V
TSOP （反式）
GND
GND
O15/A-1
O7
O14
O6
O13
O5
O12
O4
VCC
VCC
A22
O11
O3
O10
O2
O9
O1
O8
O0
OE
GND
GND
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
字节
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A21
A20
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
A23L3616R
初步
（ 2004年11月， 0.2版）
1
AMIC技术股份有限公司
A23L3616 / A23L36161系列
绝对最大额定值*
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 0
°
C至+ 70
°
C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
°
C至+ 125
°
C
输出电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到VCC + 0.5V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到VCC + 0.5V
*评论
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能会导致该设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只。这个功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不暗示或预期。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
DC电气特性
(T
A
= 0
°
C至+ 70
°
C， VCC = 2.7V 3.6V ， GND = 0V为-100 ， VCC = 3.0V 3.6V ， GND = 0， -70 ）
符号
参数
分钟。
马克斯。
单位
条件
记
V
OH
V
OL
V
lH
V
lL
l
LI
l
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电源电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
2.4
0.4
2.2
-0.3
VCC + 0.3
0.6
+10
+10
60
1.5
30
V
V
V
V
A
A
I
OH
= -0.4mA （3V）
I
OL
= 1.6毫安（3V）
VCC =最大值。
V
IN
= VCC和GND
VCC =最大值。
V
OUT
= VCC和GND
t
CYC
=最小值。
CE = V
IH
CE
≥
VCC - 0.2V
1
2
I
CC
I
SB
I
SB1
mA
mA
A
初步
（ 2004年11月， 0.2版）
4
AMIC技术股份有限公司
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