a
特点
增强的置换LF441和TL061
DC性能：
200 A最大静态电流
10 pA的最大偏置电流，预热（ AD548C ）
250 V最大失调电压（ AD548C ）
2 V / C最大漂移（ AD548C ）
2 V峰 - 峰值噪声， 0.1赫兹到10赫兹
AC性能：
1.8 V / s的压摆率
1 MHz的单位增益带宽
可在塑料，密封陶瓷浸渍和密封
金属罐封装和芯片形式
可在磁带和卷轴在按照
EIA- 481A标准
MIL- STD- 883B零件可用
双版： AD648
表面贴装（ SOIC ）封装
产品说明
偏移空1
反相
2
输入
同相3
输入
V– 4
高精度，低功耗
BiFET运算放大器
AD548
连接图
小型塑封DIP （N ）封装，
CERDIP （Q ）封装，
SOIC （R ）封装
8 NC
7 V+
6输出
AD548
顶视图
5 OFFSET
零
10k
5
4
TO- 99 （H ）封装
NC
NULL OFFSET
1
8
1
–15V
V
OS
TRIM
V+
7
6
顶视图
AD548
反相
2
输入
3
5
4
产量
该AD548是一款低功耗，高精度单片运算
放大器。它提供了低偏置电流（ 10pA的最大值，温暖
向上）和低静态电流（ 200
A
max）和被制造
与离子注入场效应管和激光晶圆调整技术。
输入偏置电流保证在AD548的整个
共模电压范围。
经济级的最大保证输入失调
电压小于2毫伏和较少的输入偏移电压漂移
超过20个
μV/°C 。
在C级减小输入偏移电压，以较少的
超过0.25毫伏和失调电压漂移至小于2
μV/°C 。
这
直流精度等级达到利用模拟的激光晶圆
漂移修整过程。低静态电流的结合
租金和低失调电压漂移输入最小变动摘
设定电压由于自热效应。另外四个成绩
提供在商业，工业和军用温度
范围。
该AD548推荐用于所有的双电源运算放大器应用程序
阳离子要求低功耗和出色的直流和交流perfor-
曼斯。在应用中，如电池供电的，精密
仪器前端和CMOS DAC缓冲器， AD548的
低输入失调电压和漂移，低的完美结合
偏置电流，低1 / f噪声降低了输出误差。高的COM
共模抑制（86 dB时，分上的“C”级）和高
开环增益保证了比12位的线性高im-更好
pedance ，缓存的应用程序。
该AD548被固定在一个标准的运算放大器配置
而在6性能等级。该AD548J和
AD548K的额定的商业级温度范围
0 ° C至+ 70°C 。该AD548A ， AD548B和AD548C的额定
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
同相
输入
OFFSET
零
V–
注： PIN 4与案例
NC =无连接
在-40 ° C至+ 85°C工业温度范围。该
AD548S ，额定的-55°C军用温度范围
至+ 125 ° C的范围内可处理以MIL- STD- 883B ，牧师C.
该AD548是采用8引脚小型塑封DIP ， CERDIP ，
TO- 99金属罐，表面贴装（ SOIC ） ，或在芯片的形式。
产品亮点
1.低电源电流，具有出色的直流和交流的结合
性能和低漂移，使AD548的理想运算
放大器针对高性能，低功耗的应用。
2. AD548与行业标准运算引脚兼容
安培如LF441 ， TL061和AD542 ，使DE-
签名，以提高性能，同时实现降低
在高达85 ％的功耗。
3.保证低输入失调电压（ 2毫伏max）和漂移
(20
μV/°C
最大值）为AD548J得以实现利用
ADI公司的激光漂移微调技术，消除了
需要外部修整。
4. ADI公司指定的暖机的每个器件所
DITION ，确保该装置将满足其公布的specifi-
阳离子在实际使用中。
5.双版， AD648也可用。
6.加强替代LF441和TL061 。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
AD548–SPECIFICATIONS
（ @ +25 C和V =
S
15 V DC除非另有说明）
AD548K/B
典型值
0.3
最大
0.5
0.7/0.8
5
86
80
15
15
10
0.25/0.65
15
5
0.15/0.35
3
10
0.65
15
5
0.35
民
AD548C
典型值
0.10
最大
0.25
0.4
2.0
单位
mV
mV
μV/°C
dB
dB
μV /月
pA
nA
pA
pA
nA
pF
pF
V
V
dB
dB
dB
dB
4.0
V
p-p
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
兆赫
千赫
V / μs的
s
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
V
V
mA
V
V
A
模型
民
输入失调电压
初始偏移
T
民
给T
最大
与温度的关系
与供应
与供应，T
民
给T
最大
长期偏移稳定性
1
AD548J/A/S
典型值
最大
0.75
2.0
3.0/3.0/3.0
20
民
80
76/76/76
15
5
20
0.45/1.3/20
30
10
0.25/0.65/10
86
80
输入偏置电流
任一输入
2
, V
CM
= 0
任一输入
2
在T
最大
, V
CM
= 0
最大输入偏置电流
共模电压范围
失调电流，V
CM
= 0
失调电流在T
最大
输入阻抗
迪FF erential
共模
输入电压范围
迪FF erential
3
共模
共模抑制
V
CM
=
±
10 V
T
民
给T
最大
V
CM
=
±
11 V
T
民
给T
最大
输入电压噪声
电压0.1 Hz至10 Hz
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
F = 10千赫
输入电流噪声
F = 1千赫
频率响应
单位增益小信号
全功率响应
压摆率，单位增益
建立时间
±
0.01%
开环增益
V
O
=
±
10 V ，R
L
≥
10 k
T
民
给T
最大
, R
L
≥
10 k
V
O
=
±
10 V ，R
L
≥
5 k
T
民
给T
最大
, R
L
≥
5 k
输出特性
电压1 R
L
≥
10 k,
T
民
给T
最大
电压1 R
L
≥
5 k,
T
民
给T
最大
短路电流
电源
额定性能
工作范围
静态电流
温度范围
运行时，额定性能
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
封装选项
SOIC （R- 8）的
塑料（N - 8 ）
CERDIP （ C- 8）的
金属罐（ H- 08A ）
磁带和卷轴
提供芯片
0.8
1.0
3
5
2
2
1
×
10
12
3
3
×
10
12
3
±
20
±
12
90
90
84
84
2
80
40
30
30
1.8
1.0
30
1.8
8
1000
700
500
300
±
13
±
12.3
15
±
15
170
0.8
1.0
1
×
10
12
3
3
×
10
12
3
±
20
±
12
92
92
86
86
2
80
40
30
30
1.8
1.0
30
1.8
8
1000
700
500
300
±
13
±
12.3
15
±
15
170
0.8
1.0
1
×
10
12
3
3
×
10
12
3
±
20
±
12
98
98
90
90
2
80
40
30
30
1.8
1.0
30
1.8
8
1000
700
500
300
±
13
±
12.3
15
±
15
170
±
11
76
76/76/76
70
70/70/70
±
11
82
82
76
76
±
11
86
86
76
76
300
300/300/300
150
150/150/150
±
12
±
12/± 12/± 12
±
11
±
11/± 11/± 11
300
300
150
150
±
12
±
12
±
11
±
11
300
300
150
150
±
12
±
12
±
11
±
11
±
4.5
±
18
200
±
4.5
±
18
200
±
4.5
±
18
200
AD548J
AD548A
AD548S
AD548JR
AD548JN
AD548AQ
AD548AH
AD548JR-REEL
AD548JCHIPS
AD548K
AD548B
AD548C
AD548KR ， AD548BR
AD548KN
AD548CQ
AD548BH
AD548KR - REEL ， AD548BR -REEL
笔记
1
输入失调电压规格在5分钟运行在T后保证
A
= +25°C.
2
偏置电流规格都保证在最大的两个输入5分钟后运行在T
A
= + 25°C 。对于较高的温度，电流加倍，每10 ℃。
3
定义为输入端之间的电压，使得既不超过
±
10伏地面。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
AD548
绝对最大额定值
l
金属化PHOTOGRAPH
尺寸以英寸（毫米）所示。
请联络厂方最新的维度
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ， ±18 V
内部功耗
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
输入电压
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± 18 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + V
S
和-V
S
存储温度范围（Q ，H ） 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
（ N，R ） 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围
AD548J / K 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
AD548A / B / C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
AD548S 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
铅温度范围（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2
热特性： 8引脚SOIC封装形式：
θ
JA
= 160 ° C / W ，
θ
JC
= 42 ° C / W ;
8引脚塑料包装：
θ
JA
= 90℃ / W ; 8引脚CERDIP包装：
θ
JC
= 22 ° C / W ，
θ
JA
=
110 ° C / W ; 8引脚金属罐包装：
θ
JC
= 65 ° C / W ，
θ
JA
= 150 ° C / W 。
3
对于电源电压低于
±
18 V时，绝对最大输入电压等于
到电源电压。
20
典型特征
30
20
输出电压摆幅 - 伏P-P
+V
OUT
输出电压摆幅 -
±V
25
输入电压 -
±V
15
+V
IN
10
–V
IN
5
15
–V
OUT
10
25°C
R
L
= 10k
5
20
15
10
5
0
0
5
10
15
电源电压 -
±V
20
0
0
0
5
10
15
电源电压 -
±V
20
10
100
1k
负载电阻 -
10k
图1.输入电压范围
- 电源电压
200
图2.输出电压摆幅
- 电源电压
10
图3.输出电压摆幅
和负载电阻
100nA
10nA
输入偏置电流
静态电流 - μA
180
输入偏置电流 - pA的
8
1nA
100pA
10pA
1pA
100fA
6
160
4
140
2
120
0
0
5
10
15
电源电压 -
±V
20
0
4
8
12
16
电源电压 -
±V
20
10fA
–55
–25
5
35
65
温度 -
°C
95
125
图4.静态电流 -
电源电压
图5.输入偏置电流
- 电源电压
图6.输入偏置电流 -
温度
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD548具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本C
–3–
典型特征 - AD548
图19A 。单位增益跟随
图19B 。单位增益跟随
脉冲响应（大信号）
图19C 。单位增益跟随
脉冲响应（小信号）
图20A 。实用增益反相器
应用笔记
图20b 。实用增益反相器
脉冲响应（大信号）
图20C 。单位增益逆变器
脉冲响应（小信号）
该AD548是JFET输入运算放大器，保证马克西
我的妈妈
B
小于10 pA的，并且偏移和漂移激光调整到
0.25 mV至2
μV/°C
分别为（ AD548C ） 。 AC规格在 -
CLUDE 1 MHz带宽， 1.8 V /μs的典型压摆率和8
s
设定
稳定时间为20 V步骤
±
0.01％ - 所有以供给电流少
比200
A.
为了充分利用设备的性能，一个num-
误差源的误码率应予以考虑。
在AD548的最小功耗和低偏置漂移
降低输入失调电压自加热或“热身”的效果，
使AD548理想的开/关由电池供电的应用
系统蒸发散。功耗由于AD548的200
A
供应
目前对输入电流的影响可以忽略，但沉重的输出
把负荷将提高芯片的温度。由于JFET的IN-
把目前的双打每升高10°C的芯片温度，这
可以是一个显着的影响。
放大器被设计为功能与电源
电压低至
±
4.5五，这将表现出更高的输入偏移
电压比的额定电源电压
±
15 V ，由于电力
电源抑制效果。的共模范围
AD548从3 V延伸比负电源更积极
到1伏比正电源更负。旨在
干净驱动多达10 kΩ和100 pF的负载， AD548会
驱动2 kΩ的负载，降低了开环增益。
偏移归零
应用AD548
图21.偏移零配置
布局
采取AD548的10 pA的最大输入电流的充分利用，
寄生泄漏必须保持低于一个可以接受的水平。该
环氧树脂或酚醛电路的电阻的实际限制
板的材料是1间
×
10
12
和3
×
10
12
.
这可以
导致5 pA的0 V的输入之间的一个额外的泄漏
和-15 V的电源线。特氟隆或类似的低泄漏材料
（具有电阻超过10
17
)
应该被用于分离
从携带高相邻线的高阻抗输入线
电压。绝缘子应保持清洁，因为污染物
会降低其表面电阻。
金属后卫完全包围了高阻抗
节点和从动由附近的共模输入电压宝
势也可用于降低某些寄生泄漏。该
守护图案在图22中会降低寄生漏电由于
以有限的板表面电阻;但它不会补偿
低体积电阻率板。
不同于双极性输入放大器，回零输入偏移电压
一个BiFET运算放大器不会降低失调漂移。采用平衡
管脚1和5来调整输入偏移电压，如图图 -
URE 21将导致0.24的加漂移
μV/°C
100元
V
of
调零偏移量。该AD548C的低初始偏移量（ 0.25毫伏）
结果只有0.6
μV/°C
额外的漂移。
版本C
–5–
QQ：2880707522 复制
