ACT- F512K32高速
16兆位闪存多芯片模块
电路科技
特点
■
4低功耗512K ×8 FLASH死在一个MCM
www.aeroflex.com
包
■
TTL兼容输入和CMOS输出
■
访问时间60 ， 70 ， 90 ， 120和为150ns
■
+ 5V编程， 5V ±10 ％电源
■
10万次擦除/编程
■
低待机电流
■
页编程操作和内部程序
控制时间
■
部门架构（每个模具）
●
每个64K字节等于8扇区大小
●
任何部门的结合可以被删除
一个命令序列
●
支持整片擦除
■
嵌入式擦除和编程算法
■
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
■
工业标准管脚引出线
■
包装 - 密封陶瓷
68铅， 0.88" X 0.88" X 0.160"单腔小
外形鸥翼，艾法斯代码＃ "F5"
（滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
●
66引脚， 1.08" X 1.08" X 0.160" PGA类型，没有
肩，艾法斯代码＃ "P3"
●
66引脚， 1.08" X 1.08" X 0.185" PGA型，
肩，艾法斯代码＃ "P7"
■
内部去耦电容的低噪声
手术
■
商用，工业和军用温度
范围
■
DESC SMD ＃ 5962-94612
发布（ P3 ， P7 ， F5 ）
●
框图 - PGA型封装（ P3 ， P7 ） & CQFP （ F5 ）
概述
在ACT - F512K32是高
速度快， 16兆位的CMOS闪光灯
多芯片
模块
（ MCM ）
专为全温度
范围内的军事，空间，或高
可靠性的应用。
所述MCM可以组织
为512K X 32位， 1M X 16位
或2米x 8位器件和输入
TTL
和
产量
CMOS
兼容。
该
命令
寄存器写的是使
WE为逻辑低电平（Ⅴ
IL
),
而CE为低， OE是
逻辑高电平（Ⅴ
IH
)
。阅读是
通过芯片来完成启用
（ CE）和输出使能（ OE ）
逻辑上活跃的，看
图9.存取时间成绩
为60ns ， 70ns的，为90ns ， 120ns的和
为150ns最大为标准。
该
ACT–F512K32
is
包装在气密
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
OE
A
0
–
A
18
512Kx8
512Kx8
512Kx8
512Kx8
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
引脚说明
I / O
0-31
数据I / O
A
0–18
地址输入
WE
1-4
写入启用
CE
1-4
OE
V
CC
GND
NC
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD1665 REV B 01年6月29日
概述，续
,
密封的共烧陶瓷66针， 1.08"SQ PGA
或68领先， .88"SQ陶瓷鸥翼型CQFP
包工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125°C和军事
环境。
每个闪存芯片的组织结构
512KX8比特和被设计为
在系统编程与标准
系统5.0V Vcc电源。一个12.0V V
PP
不
在用于写或擦除操作。该
MCM还可以与标准重新编程
EPROM编程器（用适当的插座） 。
标准的ACT- F512K32提供接入
为60ns和150ns的，允许的时间
的高速微处理器的操作
无需等待。为了消除总线
争用，该设备具有单独的芯片
使能（CE ）和写使能（WE ） 。该
ACT - F512K32是命令集兼容
JEDEC标准
4
兆
EEPROM的。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写
计时。寄存器的内容作为输入到
内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写周期
同时在内部锁存地址和数据
所需的编程和擦除
操作。
读数据从器件中是类似
读取12.0V Flash或EPROM器件。
在ACT - F512K32由编程
执行程序命令序列。
这将调用嵌入式程序
算法，它是一个内部算法
自动时间的编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。典型地，每个
部门可以进行编程，并在更短的验证
超过1秒钟。擦除由完成
执行擦除命令序列。这
将调用嵌入式擦除算法
这是一个内部算法，该算法
自动preprograms阵列， （如果它不是
已编程）在执行前
擦除操作。在擦除时，设备
自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
该模块或任何个人在每一个死亡
扇形模具典型地擦除和验证
在1.5秒内（如果已经完全
预编程） 。
每个芯片还设有一个扇区擦除
架构。该部门模式允许64K
要擦除的存储字节块和
重新编程，而不会影响其它的块。
出厂时的ACT- F512K32被删除
从工厂。
该器件采用5.0V单电源
用于读取和写入操作电源
功能。 lnternally生成和调节
提供了用于将程序电压和
擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制在写入操作
失电。编程或擦除的结束是
通过D7的数据轮询或切换的检测
在D6位功能。一旦节目结束
或擦除周期已经完成，该装置
内部复位到读模式。
每个管芯的所有位，或在所有的位
扇形
of
a
死了，
是
删除
通过
福勒 - Nordhiem
隧道。
字节
是
编程一个字节的时间由热电子
注入。
DESC标准军事绘图系统（ SMD ）
号被释放。
A
艾法斯电路技术
2
SCD1665 REV B 01年6月29日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
z
绝对最大额定值
参数
情况下的工作温度
存储温度范围
电源电压范围
信号电压范围（任何引脚除A9 ）注1
最大焊接温度（ 10秒）
数据保留
耐力（写入/擦除周期）
A9电压为部门保护，注2
符号
T
C
T
英镑
V
CC
V
G
-
-
-
V
ID
范围
-55到+125
-65到+150
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
300
10
100000最低
-2.0至14.0
V
单位
°C
°C
V
V
°C
岁月
注意：输入1.最小直流电压或I / O引脚为-0.5V 。在电压转换，输入可以下冲V
SS
到-2.0V最多的周期
为20ns 。在输入和I / O引脚最大直流电压为V
CC
+ 0.5V 。在电压转换，输入和I / O引脚可能要过冲
V
CC
+ 2.0V进行达20毫微秒。
注2.最小直流输入电压A9为-0.5V 。在电压转换， A9可能下冲V
SS
到-2.0V最高为20ns的周期。
上A9的最大直流输入电压为+ 12.5V可能过冲，以14.0V进行达20ns的。
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
V
ID
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（军事）
A9电压部门保护
最低
+4.5
+2.0
-0.5
-55
11.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
12.5
单位
V
V
V
°C
V
A
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，TC = 25 ° C）
符号
C
AD
C
OE
C
WE
参数
A
0
– A
16
电容
OE电容
写使能电容
CQFP （ F5 ）套餐
PGA （ P3 ， P7 ）套餐
C
CE
C
I
/
O
芯片使能电容
I / O0 - I / O31电容
20
20
20
20
pF
pF
pF
pF
最大
50
50
单位
pF
pF
参数的保证，但未经测试
直流特性 - CMOS兼容
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有说明）
参数
输入漏电流
输出漏电流
主动工作电源电流为读（ 1 ）
主动工作电源电流为编程或擦除（ 2 ）
待机电源电流
静态电源电流（ 4 ）
输出低电压
输出高电压
低电源锁定输出电压（ 4 ）
符号
I
LI
条件
V
CC
= 5.5V ，VI
N
= GND到V
CC
CE = V
IL
,
OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CE = V
IL
,
OE = V
IH
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5V
0.85× V
CC
3.2
4.2
速度60 ，70， 90 ， 120 &为150ns
最低
最大
10
10
190
240
6.5
0.6
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
I
LOX
32 V
CC
= 5.5V ，VI
N
= GND到V
CC
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
4
I
CC
3
V
OL
V
OH
V
LKO
注意： 1中列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率依赖分量（在5兆赫） 。频率
组分通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IN
.
注2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
注3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V时，除非另有说明
注4.参数保证，但未经测试。
艾法斯电路技术
3
SCD1665 REV B 01年6月29日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
交流特性 - 只读操作
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
–60
60
60
60
30
20
20
0
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址， CE或OE变化输出保持，以先到为准
注意事项1.设计保证，但未经测试。
–70
70
70
70
35
20
20
0
–90
90
90
90
35
20
20
0
–120
120
120
120
50
30
30
0
–150
150
150
150
55
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
符号
t
AVAC
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
WC
t
CE
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
60
0
40
0
40
0
45
20
14
典型值
30
120
0
t
VCE
50
50
t
OES
t
OEH
0
10
0
10
0
50
50
0
10
–60
70
0
45
0
45
0
45
20
14
JEDEC Stand'd最小值最大值
参数
写周期时间
芯片使能建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
字节编程的时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间写前（ 2 ）
VCC建立时间（ 2 ）
芯片编程时间
输出使能设置时间（ 2 ）
输出使能保持时间（ 1 ） （ 2 ）
–70
最小最大
–90
最小最大
90
0
45
0
45
0
45
20
–120
最小最大
120
0
50
0
50
0
50
20
典型值
30
120
0
50
50
0
10
50
0
10
0
50
50
–150
最小最大
150
0
50
0
50
0
50
20
典型值14
30
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
ns
ns
A
TYP 14 TYP 14
30
120
0
50
30
120
t
GHWL
注： 1。对于切换和数据查询。 2.设计保证，但未经测试。
AC特征 - 写/擦除/编程操作，CE控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
符号
t
AVAC
t
WLE
L
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
–60
60
0
40
0
40
0
45
20
JEDEC Stand'd最小值最大值
参数
写周期时间
写使能设置时间
芯片使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间写前（ 1 ）
芯片编程时间
1.设计保证，但未经测试。
艾法斯电路技术
–70
最小最大
70
0
45
0
45
0
45
20
90
0
45
0
45
0
45
20
14
–90
最小最大
–120
最小最大
120
0
50
0
50
0
50
20
–150
最小最大
150
0
50
0
50
0
50
20
典型值
30
120
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
14 TYP 14 TYP
30
120
0
50
0
50
30
120
TYP 14 TYP 14
30
120
30
120
0
50
50
t
GHEL
0
50
美国证券交易委员会
4
SCD1665 REV B 01年6月29日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
设备操作
在ACT- F512K32 MCM是由四，四
兆位闪存芯片。下面的描述是针对
单个闪光装置，是适用于每个四
在MCM内的内存芯片。芯片1被区别
CE
1
和I / O
1-7
，芯片2 CE
2
和I / 0
8-15
， 3芯片通过CE认证
3
和I / 0
16-23
和4片由CE
4
和I / 0
24-31
.
在ACT- F512K32的编程是通过完成
执行程序命令序列。
该
程序算法，它是一个内部算法，
自动时间的编程脉冲宽度和验证
适当的细胞状态。扇区可进行编程和
在不到一秒的验证。擦除完成
通过执行擦除命令序列。擦除
算法，这是内部的，自动preprograms
如果它尚未被执行前程序性阵列
擦除操作。
在擦除时，设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞状态。整个存储器通常被擦除
并验证了在1.5秒内（如果预编程） 。该
行业模式允许内存64K字节的块是
擦除和重新编程，而不会影响其它的块。
如果设备被擦除过程中取消选择或
编程，该装置将利用有功电流，直到
操作完成。
写
设备擦除和编程是通过完成
命令寄存器。该寄存器的内容服务
作为输入到内部状态机。状态机
输出决定了设备的功能。
命令寄存器本身不占有
可寻址的存储器位置。该寄存器锁存器
用于存储指令，以及地址和数据
所需的信息来执行命令。该
命令寄存器被写入通过使WE为逻辑低
电平（V
IL
） ，而CE为低， OE是在V
IH
。地址
被锁在WE或CE的下降沿为准
后来发生的情况。数据被锁存的上升沿
以先到为准WE或CE 。
标准
微处理机写定时被使用。请参见AC
方案特点和波形，图3 ，
图8和13 。
A
总线操作
读
对ACT - F512K32具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，得到的数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）
是输出控制，并应被用于栅极的数据
芯片的输出引脚选择。图7示出
AC读取时序波形。
命令德网络nitions
设备操作由写入特定选择
地址和数据序列到命令寄存器。
表3中定义了这些寄存器的命令序列。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令
注册。微处理器读周期获取数组数据
从存储器。该装置仍处于启用状态的读取
直到命令寄存器的内容被改变。
设备会自动开机，在读/复位
状态。在这种情况下，不要求一个命令序列
读取数据。标准的微处理器读周期会
检索数组数据。
设备会自动
电时，在读/复位状态。在这种情况下，一
指令序列并不需要读出的数据。
标准的微处理器读周期将检索阵
数据。此默认值确保没有假
改变存储器内容的权力过程中发生
过渡。请参阅AC阅读特点及
图7为在特定的定时参数。
表2 - 扇区地址表
输出禁用
在逻辑高电平与输出使能（V
IH
从输出）
该设备被禁用。输出引脚被置于高
阻抗状态。
待机模式
在ACT- F512K32待机模式下功耗小于
6.5毫安。在待机模式下，输出是在高
阻抗状态，独立于OE输入。
表1 - 巴士运营
手术
读
待机
输出禁用
写
ENABLE行业
保护
VERIFY行业
保护
CE OE WE A0 A1 A6 A9
L
H
L
L
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
H
X
H
L
L
H
A
0
A
1
A
6
A
9
X
X
X
X
X
X
X
X
I / O
DOUT
高Z
高Z
D
IN
X
CODE
A18 A17
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H 地址0FFFFh
10000H 1FFFFH
20000H 2FFFFh
30000H 3FFFFH
40000H 4FFFFh
50000H 5FFFFh
60000H 6FFFFh
70000h 7FFFFH
A
0
A
1
A
6
A
9
X
L
X
H
X
L
V
ID
V
ID
SA5
SA6
SA7
艾法斯电路技术
5
SCD1665 REV B 01年6月29日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
